JP2000012608A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明はチップサイズパッケージ型でかつ表面
実装型の半導体装置の製造方法に関し、装置の小型化及
び製造コストの低減を図ることを課題とする。 【解決手段】ウェーハ１上にチップ電極３を有する複数
の半導体チップ２を形成するウェーハ形成工程と、チッ
プ電極３を除き接着剤４をウェーハ１上に塗布する接着
剤塗布工程と、ウェーハ１を個々の半導体チップ２に分
割するチップ分割工程と、絶縁フィルム７上に所定の配
線パターン８が形成されると共にチップ電極３の形成位
置と対応する位置に開口部９が形成され、かつ孔部１０
が形成された配線パターン８のパターン端部１３が開口
部９内に延出した構成のフィルムキャリア６を半導体チ
ップ２に搭載し接着するフィルムキャリア配設工程と、
開口部９に接合材１４を配設することにより配線パター
ン８とチップ電極３とを接合する接合工程と、少なくと
もボンディング位置を保護する封止樹脂１９を形成する
樹脂封止工程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に係り、特にチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）型で
かつ表面実装型の半導体装置の製造方法に関する。近
年、パーソナルコンピュータ等の電子機器の機能は飛躍
的に進化し、アプリケーションの高性能化に対応して、
半導体装置（特にメモリ）の大容量化が求められてい
る。また、パーソナルコンピュータは小型化，軽量化が
図られており、これに伴い内蔵される半導体装置の小型
化が求められている。よって、これらの要求に対応しう
る半導体装置の製造方法の提供が望まれている。

【０００２】

【従来の技術】従来より、実装密度を高めうる半導体装
置として、ＦＢＧＡ(Fine-pitch BallGrid Array)構造
の半導体装置や、ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)接続
技術を用いた半導体装置が知られている。ＦＢＧＡ構造
の半導体装置は、所定の配線パターンが形成されたフィ
ルムテープを基板とし、この基板上に半導体チップが搭
載されている。この配線パターンのチップ側端部にはボ
ンディングパッドが形成されており、このボンディング
パッドと半導体チップとはワイヤを用いて電気的に接続
されている。

【０００３】また、配線パターンの他端部には外部接続
端子として機能するバンプ（例えば、半田バンプ）が接
合されており、これにより半導体チップと半田バンプは
電気的に接続される構成となっている。更に、基板の半
導体チップの搭載側の面には、モールド或いはポッティ
ングにより半導体チップ，ワイヤ等を覆うように封止樹
脂が形成されており、これにより半導体チップ及び電気
的接続部分の保護を図る構成とされている。

【０００４】一方、ＴＡＢ接続技術を用いた半導体装置
は、いわゆるＴＡＢテープを用い、ＴＡＢテープに形成
されると共にバンプが形成された銅箔の一端部にベアチ
ップ状の半導体チップをフリップチップ接合した構造を
有する。また、ＴＡＢテープ上には半導体チップの搭載
位置を覆うよう封止樹脂が形成され半導体チップの保護
が図られており、また銅箔の他端部には外部接続端子
（リード）が接続された構成となっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来のＦＢ
ＧＡ構造の半導体装置では、半導体チップとフィルムテ
ープとを電気的に接続する方法としてワイヤを用いてい
たため、必然的に半導体装置内にワイヤループを形成す
る領域が必要となり、半導体装置が大型化してしまうと
いう問題点があった。

【０００６】一方、ＴＡＢ接続技術を用いた半導体装置
は、ワイヤを用いることがないため、ＦＢＧＡ構造の半
導体装置に対して小型化を図ることができる。しかる
に、ＴＡＢ接続技術を用いた半導体装置では、薄い銅箔
上にバンプを形成する必要がありバンプ形成が困難で、
また薄い銅箔に対して加熱ツール等を用いて半導体チッ
プをフリップチップ接合する必要があり、製造コストが
高くなるという問題点があった。

【０００７】また、ＴＡＢ接続技術を用いた半導体装置
では、銅箔と半導体素子との間にバンプが介在し、この
バンプの接合力により両者が接合される構成とされてい
た。このため、銅箔と半導体素子とを直接接合すること
ができず、よって十分な切合力を得ることができないと
いう問題点もあった。本発明は上記の点に鑑みてなされ
たものであり、装置の小型化及び製造コストの低減を図
りうる半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴と
するものである。請求項１記載の発明に係る半導体装置
の製造方法では、ウェーハ上にチップ電極を有する複数
の半導体チップを形成するウェーハ形成工程と、前記チ
ップ電極を除き接着剤を前記ウェーハ上に塗布する接着
剤塗布工程と、前記ウェーハを個々の半導体チップに分
割するチップ分割工程と、絶縁フィルム上に所定の配線
パターンが形成されると共に前記チップ電極の形成位置
と対応する位置に開口部が形成され、かつ孔部が形成さ
れた前記配線パターンの端部が前記開口部に延出した構
成のフィルムキャリアを前記分割された半導体チップに
搭載し接着するフィルムキャリア配設工程と、前記開口
部に接合材を配設することにより、前記配線パターンと
前記チップ電極とを接合する接合工程と、少なくとも前
記ボンディング位置を保護する封止樹脂を形成する樹脂
封止工程とを有することを特徴とするものである。

【０００９】また、請求項２記載の発明に係る半導体装
置の製造方法では、ウェーハ上にチップ電極を有する複
数の半導体チップを形成するウェーハ形成工程と、前記
チップ電極を除き接着剤を前記ウェーハ上に塗布する接
着剤塗布工程と、絶縁フィルム上に所定の配線パターン
が形成されると共に前記各チップ電極の形成位置と対応
する位置に開口部が形成され、かつ孔部が形成された前
記配線パターンの端部が前記開口部に延出した構成のフ
ィルムキャリアを前記ウェーハに搭載し接着するフィル
ムキャリア配設工程と、前記開口部に接合材を配設する
ことにより、前記配線パターンと前記チップ電極とを接
合する接合工程と、少なくとも前記ボンディング位置を
保護する封止樹脂を形成する樹脂封止工程と、前記ウェ
ーハを個々の半導体チップに分割するチップ分割工程と
を有することを特徴とするものである。

【００１０】また、請求項３記載の発明では、前記請求
項１または２記載の半導体装置の製造方法において、前
記接合工程では、ワイヤボンディング装置を用い、前記
開口部を介して前記接合材となる金属ワイヤを前記チッ
プ電極にボンディングすることにより、前記配線パター
ンと前記チップ電極とを接合することを特徴とするもの
である。

【００１１】また、請求項４記載の発明では、前記請求
項１または２記載の半導体装置の製造方法において、前
記接合工程では、前記接合材として半田ペーストを用
い、前記開口部が位置する部位に印刷形成された前記半
田ペーストにより、前記配線パターンと前記チップ電極
とを接合することを特徴とするものである。

【００１２】更に、請求項５記載の発明では、前記請求
項１記載の半導体装置の製造方法において、前記フィル
ムキャリアの前記半導体チップの外周縁と対向する位置
に樹脂通過孔を設け、前記封止工程において封止樹脂が
前記半導体チップの側面にも形成されるようにしたこと
を特徴とするものである。

【００１３】上記した各手段は、次のように作用する。
請求項１記載の発明によれば、フィルムキャリア配設工
程において、分割された半導体チップにフィルムキャリ
アが接着される。このフィルムキャリアは、絶縁フィル
ム上に所定の配線パターンが形成されると共に、チップ
電極の形成位置と対応する位置に開口部が形成されてい
る。

【００１４】更に、配線パターンの端部には孔部が形成
されており、この端部は開口部内に延出した構成とされ
ている。よって、フィルムキャリアが半導体チップに接
着された状態において、配線パターンの端部に形成され
た開口部はチップ電極と対向した状態となる。この状態
において、接合工程を実施し、開口部に接合材を配設す
ることにより、配線パターンとチップ電極とを接合す
る。この際、上記のように配線パターンの端部には孔部
が形成されているため、接合材はこの孔部を介して配線
パターンとチップ電極とを接合する構成となる。

【００１５】よって、配線パターンは直接チップ電極と
接合されるため、この接合に要する領域を小さくするこ
とができ、半導体装置の小型化を図ることができる。ま
た、上記のように、接合材は孔部を介して配線パターン
とチップ電極とを接合するため、接合材と配線パターン
との接合面積を増大することができ、接合強度の向上を
図ることができる。更に、従来のワイヤを用いた構成に
比べて電気抵抗を小さくでき、電気特性の向上を図るこ
とができる。

【００１６】また、請求項２記載の発明によれば、フィ
ルムキャリア配設工程及び接合工程が終了した後にウェ
ーハを個々の半導体チップに分割するチップ分割工程を
行うため、複数の半導体チップが集合したウェーハに対
し一括的にフィルムキャリアを配設する処理、及び配線
パターンとチップ電極とを接合する処理を行えるため、
半導体装置の製造処理の効率化を図ることができる。

【００１７】また、請求項３記載の発明によれば、接合
工程において、接合材として金属ワイヤを用い、この金
属ワイヤをワイヤボンディング装置によりチップ電極に
ボンディングし、開口部を介して配線パターンとチップ
電極を接合することにより、半導体製造設備として広く
利用されているワイヤボンディング装置を用いて配線パ
ターンとチップ電極を接合することが可能となる。

【００１８】よって、新たに製造設備を設けることなく
接合工程を実施することができ、またワイヤボンディン
グ装置は高速処理が可能であるため、接合工程を安価に
かつ効率的に実施することができる。また、請求項４記
載の発明によれば、接合工程において、接合材として半
田ペーストを用いると共に、開口部が位置する部位に印
刷形成された半田ペーストにより配線パターンとチップ
電極とを接合することにより、厚膜形成技術として広く
利用されている印刷法を用いて半田ペーストを配設する
ことができるため、接合工程を安価にかつ効率的に実施
することができる。

【００１９】更に、請求項５記載の発明によれば、フィ
ルムキャリアの半導体チップの外周縁と対向する位置に
樹脂通過孔を設け、封止工程において封止樹脂が半導体
チップの側面にも形成されるようにしたことにより、単
にフィルムキャリアに樹脂通過孔を設けるだけで半導体
チップの側面保護を行うことができ、簡単かつ安価に半
導体装置の信頼性の向上を図ることができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１は本発明の第１実施例であ
る半導体装置の製造方法を示す工程図であり、図２は本
発明の第２実施例である半導体装置の製造方法を示す工
程図である。各図に示すように、本実施例に係る半導体
装置の製造方法は、ウェーハ形成工程（Ｓ１０，Ｓ２
０）、接着剤塗布工程（Ｓ１１，Ｓ２１）、チップ分割
工程（Ｓ１２，Ｓ２５）、フィルムキャリア配設工程
（Ｓ１３，Ｓ２２）、接合工程（Ｓ１４，Ｓ２３）、樹
脂封止工程（Ｓ１５，Ｓ２４）、及びフィルム除去工程
（Ｓ１６）の各工程を有している。以下、図３乃至図１
１を用いて、本発明の第１実施例である半導体装置２０
（図８参照）の製造方法について説明する。

【００２１】半導体装置２０を製造するには、先ずウェ
ーハ形成工程（Ｓ１０）を実施することにより、チップ
電極３を有する複数の半導体チップ２（本実施例では、
Ｄ−ＲＡＭを例に挙げて説明する）を有するウェーハ１
を形成する。尚、このウェーハ形成工程（Ｓ１０）は、
周知の技術を用いて実施されるものであり、ここではウ
ェーハ１を形成するための具体的に説明は省略する。

【００２２】ウェーハ形成工程（Ｓ１０）が終了する
と、続いて接着剤塗布工程（Ｓ１１）が実施される。こ
の接着剤塗布工程（Ｓ１１）では、チップ電極３を除き
ウェーハ１上に接着剤４を塗布する。この接着剤４の塗
布処理は、例えば厚膜形成技術であるスクリーン印刷法
を用いることにより、容易に行うことができる。図３
は、接着剤４が塗布されたウェーハ１を示している。
尚、本実施例では、チップ電極３の形成位置に加え、後
述するチップ分割工程（Ｓ１２）でウェーハ１を分割す
る分割位置５（一点鎖線で示す）も接着剤４が配設され
ないようにしている。

【００２３】接着剤塗布工程（Ｓ１１）が終了すると、
本実施例では、続いてウェーハ１を個々の半導体チップ
２に分割するチップ分割工程（Ｓ１２）が行われる。こ
の分割処理は、ウェーハ１の切断治具として一般に用い
られているダイシングソーを用いて行うことができる。
また、前記のように分割位置５には接着剤４が配設され
ていないため、ダイシングソーに目詰まりが発生するこ
とを防止することができる。図４は、チップ分割工程
（Ｓ１２）において分割された半導体チップ２を示して
いる。

【００２４】チップ分割工程（Ｓ１２）が終了すると、
続いてフィルムキャリア配設工程（Ｓ１３）が実施され
る。図５はフィルムキャリア配設工程（Ｓ１３）を説明
するための図であり、また図９はフィルムキャリア６の
平面図である。フィルムキャリア配設工程（Ｓ１３）で
は、フィルムキャリア６を半導体チップ２に配設する処
理を行う。

【００２５】各図に示すように、フィルムキャリア６
は、絶縁フィルム７と配線パターン８とにより構成され
ている。また、本実施例では、フィルムキャリア６を半
導体チップ２に配設する前に、外部接続端子として機能
する半田ボール１１（バンプ）が予めフィルムキャリア
６に配設されたものを用いてる。絶縁フィルム７は、例
えばポリイミド等の絶縁樹脂よにより形成されている。
この絶縁フィルム７は、フィルムキャリア６が半導体チ
ップ２に配設された状態（以下、配設状態という）にお
いてチップ電極３と対向する位置に開口部９が形成され
ている。また、配設状態において、絶縁フィルム７の半
導体チップ２の外周位置と対向する位置には樹脂通過孔
１２が形成されている。

【００２６】この樹脂通過孔１２は、図９に示すよう
に、矩形状とされた半導体チップ２（図９では二点鎖線
で外形のみ示す）の外周縁に沿うよう４箇所形成されて
おり、かつ各樹脂通過孔１２は半導体チップ２の外周縁
より外側に向け若干量延出形成された構成とされてい
る。更に、絶縁フィルム７にはマトリックス状にボール
配設孔２１が形成されており、このボール配設孔２１に
は半田ボール１１（バンプ）が配設される。即ち、半田
ボール１１は、このボール配設孔２１を介して配線パタ
ーン８に電気的に接続される構成とされている。

【００２７】配線パターン８は、例えば銅箔等の導電材
を所定形状に形成した構成とされている。この配線パタ
ーン８の外側端部には、前記した半田ボール１１がボー
ル配設孔２１を介して接続される。また、配線パターン
８の内側端部は、絶縁フィルム７に形成された開口部９
より内側に向け延出するよう構成されている（この配線
パターン８の開口部９より内側に向け延出した部分を、
以下パターン端部１３という）。更に、パターン端部１
３のチップ電極３と対向する位置には、孔部１０が形成
されている。

【００２８】上記構成とされたフィルムキャリア６は、
接着剤４により半導体チップ２に接着される。また、配
設状態において、パターン端部１３は開口部９内に延出
し、かつ孔部１０はチップ電極３と対向した状態とな
る。尚、絶縁フィルム７の既定位置には位置決め孔２２
が設けられているため、フィルムキャリア６と半導体チ
ップ２との位置決めを容易に行うことができる。

【００２９】フィルムキャリア配設工程（Ｓ１３）が終
了すると、続いて配線パターン８とチップ電極３とを接
合する接合工程（Ｓ１４）が実施される。図６に示すよ
うに、接合工程（Ｓ１４）では配線パターン８とチップ
電極３とを接合材１４を用いて接合する。本実施例で
は、接合材１４として半田を用いている。具体的には、
図１０に示されるように、接合材１４として半田ワイヤ
２４（金属ワイヤ）を用い、この半田ワイヤ２４をワイ
ヤボンディング装置によりチップ電極３に向けボンディ
ングする。

【００３０】具体的なボンディング手順としては、先ず
ワイヤボンディング装置に設けられたキャピラリ２３に
挿通された半田ワイヤ２４の先端にボール２５を形成す
る。このボール２５は、例えばスパークロッド（図示せ
ず）とキャピラリ２３との間で放電を行うことにより形
成することができる。続いて、キャピラリ２３を下動さ
せ、ボール２５をチップ電極３に当接させる。この際、
キャピラリ２３の下部には孔部１０が形成されたパター
ン端部１３が位置しているため、キャピラリ２３はパタ
ーン端部１３をチップ電極３に向け押し下げる。これに
より、パターン端部１３は変形してチップ電極３に押圧
された状態となり、かつ、ボール２５は孔部１０を介し
てチップ電極３と当接した状態となる。

【００３１】続いて、キャピラリ２３には超音波振動が
付与され、これによりボール２５は溶融しキャピラリ２
３から離間する。この溶融したボール２５（以下、接合
材１４という）は、パターン端部１３（配線パターン
８）とチップ電極３とを接合し、これにより配線パター
ン８は半導体チップ２と電気的に接続された状態となる
（以下、接合状態という）。

【００３２】また、この接合状態では、図１１に示すよ
うに接合材１４（梨地で示す）は孔部１０を介して配線
パターン８とチップ電極３とを接合する。このため、孔
部１０の存在により接合材１４と配線パターン８及びチ
ップ電極３との接合面積を増大することができ、接合強
度及び電気的接続性の向上を図ることができる。また、
接合材１４により配線パターン８とチップ電極３は、直
接接合された構成となるため、従来のワイヤを張架した
構成に比べて接合に要する領域を小さくすることがで
き、半導体装置２０の小型化を図ることができる。

【００３３】また、従来のワイヤを張架した構成では電
気抵抗の高いワイヤにより半導体装置の電気的特性が劣
化（特に、高周波を用いる場合）することがあったが、
上記のように配線パターン８とチップ電極３とを直接接
続することにより電気抵抗を小さくでき、よって半導体
装置２０の電気特性の向上を図ることができる。更に、
本実施例では、半導体製造設備として広く利用されてい
るワイヤボンディング装置を用いて配線パターン８とチ
ップ電極３とを接合することが可能となり、よって新た
に製造設備を設けることなく接合工程（Ｓ１４）を実施
することができる。また、ワイヤボンディング装置は高
速処理が可能であるため、接合工程（Ｓ１４）を安価に
かつ効率的に実施することができる。

【００３４】一方、上記した実施例では、ワイヤボンデ
ィング装置を用いて配線パターン８とチップ電極３とを
接合する方法を説明したが、接合工程（Ｓ１４）におい
て接合材として半田ペーストを用い、印刷形成された半
田ペーストにより配線パターン８とチップ電極３とを接
合する方法を採用してもよい。この方法では、前記した
接着剤塗布工程（Ｓ１１）においても用いた厚膜形成技
術（スクリーン印刷法）を用いて半田ペーストを配設す
ることが可能となる。よって、この方法を採用した場合
においも、新たな設備を必要とすることはなく、接合工
程（Ｓ１４）を安価にかつ効率的に実施することができ
る。

【００３５】接合工程（Ｓ１４）が終了すると、続いて
樹脂封止工程（Ｓ１５）が実施される。図７は、樹脂封
止工程（Ｓ１５）を説明するための図である。同図に示
されるように、樹脂封止工程（Ｓ１５）では、フィルム
キャリア６が配設された半導体チップ２を金型１５に装
着する。この金型１５、半導体チップ２を装着した状態
において、チップ側面にキャビティ１６が形成されるよ
う構成されている。また、このキャビティ１６は、上部
において前記したフィルムキャリア６に形成された樹脂
通過孔１２に連通するよう構成されている。

【００３６】半導体チップ２を金型１５に装着すると、
続いて樹脂１８の充填処理が行われる。本実施例では、
樹脂１８の充填方法としてポッティング法を用いてい
る。具体的には、樹脂１８を滴下しうる構成とされたノ
ズル１７を用意し、このノズル１７を移動させることに
より、開口部９及び樹脂通過孔１２に樹脂１８を滴下す
る。

【００３７】これにより、開口部９に滴下された樹脂１
８は接合位置を保護する封止樹脂１９となり、また樹脂
通過否１２に滴下された樹脂１８は半導体チップ２の側
面に配設され、半導体チップ２の側面を保護する封止樹
脂１９となる。以上説明した一連の製造工程を実施する
ことにより、図８に示す半導体装置２０を製造すること
ができる。

【００３８】続いて、図２に示した本発明の第２実施例
である半導体装置の製造方法について説明する。図１に
示した第１実施例に係る半導体装置の製造方法では、フ
ィルムキャリア配設工程（Ｓ１３）及び接合工程（Ｓ１
４）を実施する前にチップ分割工程（Ｓ１２）を行う構
成としていた。

【００３９】これに対し、第２実施例に係る半導体装置
の製造方法では、フィルムキャリア配設工程（Ｓ２２）
及び接合工程（２３）が終了した後にウェーハ１を個々
の半導体チップ２に分割するチップ分割工程（Ｓ２５）
を行うことを特徴とするものである。本実施例のよう
に、フィルムキャリア配設工程（Ｓ２２）及び接合工程
（２３）が終了した後にチップ分割工程（Ｓ２５）を実
施することにより、フィルムキャリア配設工程（Ｓ２
２）では複数の半導体チップが集合したウェーハ１に対
して一括的にフィルムキャリア６を配設することがで
き、また接合工程（２３）では配線パターン８とチップ
電極３とを接合する処理を連続的に行えるため、半導体
装置２０の製造処理の効率化を図ることができる。

【００４０】尚、第２実施例において、各工程Ｓ２１〜
Ｓ２５で実施する具体的処理は、第１実施例で説明した
処理と略等しいため、その説明は省略するものとする。

【００４１】

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、配線パターンは直接チップ電極と接合され
るため、この接合に要する領域を小さくすることがで
き、半導体装置の小型化を図ることができる。

【００４２】また、接合材は孔部を介して配線パターン
とチップ電極とを接合するため、接合材と配線パターン
との接合面積を増大することができ、接合強度の向上を
図ることができる。更に、従来のワイヤを用いた構成に
比べて電気抵抗を小さくでき、電気特性の向上を図るこ
とができる。また、請求項２記載の発明によれば、複数
の半導体チップが集合したウェーハに対し一括的にフィ
ルムキャリアを配設する処理、及び配線パターンとチッ
プ電極とを接合する処理を行えるため、半導体装置の製
造処理の効率化を図ることができる。

【００４３】また、請求項３記載の発明によれば、半導
体製造設備として広く利用されているワイヤボンディン
グ装置を用いて配線パターンとチップ電極を接合するこ
とが可能となり、新たに製造設備を設けることなく接合
工程を実施することができ、またワイヤボンディング装
置は高速処理が可能であるため、接合工程を安価にかつ
効率的に実施することができる。

【００４４】また、請求項４記載の発明によれば、厚膜
形成技術として広く利用されている印刷法を用いて半田
ペーストを配設することができるため、接合工程を安価
にかつ効率的に実施することができる。更に、請求項５
記載の発明によれば、単にフィルムキャリアに樹脂通過
孔を設けるだけで半導体チップの側面保護を行うことが
でき、簡単かつ安価に半導体装置の信頼性の向上を図る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法を示す製造工程図である。

【図２】本発明の第２実施例である半導体装置の製造方
法を示す製造工程図である。

【図３】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法の内、ウェーハ形成工程，接着剤塗布工程，及びチッ
プ分割工程を説明するための図である。

【図４】チップ分割工程を実施することにより、個々に
分割された半導体チップを示す図である。

【図５】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法の内、フィルムキャリア配設工程を説明するための図
である。

【図６】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法の内、接合工程を説明するための図である。

【図７】本発明の第１実施例である半導体装置の製造方
法の内、樹脂封止工程を説明するための図である。

【図８】本発明の第１実施例である製造方法により製造
された半導体装置を示す図である。

【図９】フィルムキャリアを拡大して示す平面図であ
る。

【図１０】接合工程を説明するための図である。

【図１１】接合工程が終了したチップ電極近傍を拡大し
て示す図である。

【符号の説明】

１ ウェーハ ２ 半導体チップ ３ チップ電極 ４ 接着剤 ５ 分割位置 ６ フィルムキャリア ７ 絶縁フィルム ８ 配線パターン ９ 開口部 １０ 孔部 １１ 半田ボール １２ 樹脂通過孔 １４ 接合材 １５ 金型 １６ キャビティ １７ ノズル １８ 樹脂 １９ 封止樹脂 ２０ 半導体装置 ２３ キャピラリ ２４ ワイヤ ２５ ボール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浜野 寿夫 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 4M105 CC03 CC07 CC11 CC16 CC25 CC31 GG18

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウェーハ上にチップ電極を有する複数の
   半導体チップを形成するウェーハ形成工程と、 前記チップ電極を除き接着剤を前記ウェーハ上に塗布す
   る接着剤塗布工程と、 前記ウェーハを個々の半導体チップに分割するチップ分
   割工程と、 絶縁フィルム上に所定の配線パターンが形成されると共
   に前記チップ電極の形成位置と対応する位置に開口部が
   形成され、かつ孔部が形成された前記配線パターンの端
   部が前記開口部に延出した構成のフィルムキャリアを前
   記分割された半導体チップに搭載し接着するフィルムキ
   ャリア配設工程と、 前記開口部に接合材を配設することにより、前記配線パ
   ターンと前記チップ電極とを接合する接合工程と、 少なくとも前記ボンディング位置を保護する封止樹脂を
   形成する樹脂封止工程とを有することを特徴とする半導
   体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 ウェーハ上にチップ電極を有する複数の
   半導体チップを形成するウェーハ形成工程と、 前記チップ電極を除き接着剤を前記ウェーハ上に塗布す
   る接着剤塗布工程と、 絶縁フィルム上に所定の配線パターンが形成されると共
   に前記各チップ電極の形成位置と対応する位置に開口部
   が形成され、かつ孔部が形成された前記配線パターンの
   端部が前記開口部に延出した構成のフィルムキャリアを
   前記ウェーハに搭載し接着するフィルムキャリア配設工
   程と、 前記開口部に接合材を配設することにより、前記配線パ
   ターンと前記チップ電極とを接合する接合工程と、 少なくとも前記ボンディング位置を保護する封止樹脂を
   形成する樹脂封止工程と、 前記ウェーハを個々の半導体チップに分割するチップ分
   割工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
   法。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置の製
   造方法において、 前記接合工程では、 ワイヤボンディング装置を用い、前記開口部を介して前
   記接合材となる金属ワイヤを前記チップ電極にボンディ
   ングすることにより、前記配線パターンと前記チップ電
   極とを接合することを特徴とする半導体装置の製造方
   法。
4. 【請求項４】 請求項１または２記載の半導体装置の製
   造方法において、 前記接合工程では、 前記接合材として半田ペーストを用い、前記開口部が位
   置する部位に印刷形成された前記半田ペーストにより、
   前記配線パターンと前記チップ電極とを接合することを
   特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、 前記フィルムキャリアの前記半導体チップの外周縁と対
   向する位置に樹脂通過孔を設け、前記封止工程において
   封止樹脂が前記半導体チップの側面にも形成されるよう
   にしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。