[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

FI107660B - Resonaattorirakenne - Google Patents

Resonaattorirakenne Download PDF

Info

Publication number
FI107660B
FI107660B FI991619A FI991619A FI107660B FI 107660 B FI107660 B FI 107660B FI 991619 A FI991619 A FI 991619A FI 991619 A FI991619 A FI 991619A FI 107660 B FI107660 B FI 107660B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
resonator
zone
frame
resonator structure
central region
Prior art date
Application number
FI991619A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI991619L (fi
Inventor
Juha Ellae
Jyrki Kaitila
Markku Ylilammi
Original Assignee
Nokia Mobile Phones Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=8555088&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=FI107660(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nokia Mobile Phones Ltd filed Critical Nokia Mobile Phones Ltd
Priority to FI991619A priority Critical patent/FI107660B/fi
Priority to EP14167275.8A priority patent/EP2782250A1/en
Priority to PCT/FI2000/000591 priority patent/WO2001006647A1/en
Priority to US10/031,579 priority patent/US6812619B1/en
Priority to EP00942161.1A priority patent/EP1196990B1/en
Priority to JP2001510983A priority patent/JP3735777B2/ja
Priority to CN00810575.8A priority patent/CN1183669C/zh
Priority to AU56878/00A priority patent/AU5687800A/en
Priority to PCT/FI2000/000652 priority patent/WO2001006646A1/en
Priority to EP00949512A priority patent/EP1196989B1/en
Priority to DE60042486T priority patent/DE60042486D1/de
Priority to US10/031,533 priority patent/US6788170B1/en
Priority to JP2001510982A priority patent/JP3740061B2/ja
Priority to AU62844/00A priority patent/AU6284400A/en
Priority to CN00810665.7A priority patent/CN1201486C/zh
Publication of FI991619L publication Critical patent/FI991619L/fi
Publication of FI107660B publication Critical patent/FI107660B/fi
Application granted granted Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/173—Air-gaps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
    • H03H9/132—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials characterized by a particular shape

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

107660
Resonaattorirakenne - Resonatorstruktur
Keksintö koskee yleisesti suotimia ja resonaattoreita. Erityisesti keksintö koskee pietsosähköisiä resonaattoreita.
5 Matkaviestinnän kehitys kulkee kohti yhä pienempiä ja monimutkaisempia kädessä pidettäviä laitteita. Kehitys johtaa siihen, että matkaviestimissä käytettävien komponenttien ja rakenteiden koolle asetetaan yhä tiukempia vaatimuksia. Tämä kehitys koskee myös radiotaajuisia suodinrakenteita, joilla pienenevästä koostaan huolimatta tulisi olla hyvä tehonkesto, jyrkkä päästökaista ja vähäiset häviöt.
10 Tekniikan tason mukaisissa matkapuhelimissa käytetyt radiotaajuiset suotimet ovat tavallisesti erilliskomponentteina toteutettuja pinta-aalto- (SAW) tai keraamisia suotimia. Akustisten pinta-aaltoresonaattorien rakenne on tyypillisesti kuvassa 1 esitetyn kaltainen. Akustisissa pinta-aaltoresonaattoreissa hyödynnetään kappaleen pinnan akustisia värähtelytiloja, joissa värähtely rajoittuu kappaleen pintaan ja vaime-15 nee nopeasti pinnasta etäännyttäessä. SAW-resonaattori käsittää tyypillisesti pietso-sähköisen kerroksen 100 ja kaksi elektrodia 122, 124. SAW-resonaattoreilla voidaan toteuttaa monia erilaisia resonaattorirakenteita, kuten suotimia. SAW-resonaattorin etuna on erittäin pieni koko, mutta valitettavasti sen tehonkesto ei ole erityisen hyvä.
Tekniikan tasosta tunnetaan ohutkalvotekniikalla puolijohdekiekolle, kuten esim. 20 pii- (Si) tai gallium-arsenidi- (GaAs) kiekolle, toteutettuja tilavuusaaltoresonaatto-reita (engl. bulk acoustic wave (BAW) resonator). Esimerkiksi artikkelissa “K.M. : Lakin & J.S. Wang: Acoustic Bulk Wave Composite Resonators, Applied Physics
Letters, Vol. 38, No. 3, pp. 125-127, Feb. 1, 1981“ esitetään akustinen tilavuusaal-:.:): toresonaattori, joka käsittää ohuelle piikalvolle sputteroituja pietsosähköisiä sinkki- ·:··: 25 oksidi- (ZnO) kerroksia. Lisäksi artikkelissa “Hiroaki Satoh, Yasuo Ebata, Hitoshi Suzuki & Choji Narahara: An Air-Gap Type Piezoelectric Composite Thin Film Resonator, 15 Proc. 39th Annual Symp. Freq. Control, pp. 361-366, 1985“ esitetään siltarakenteen käsittävä tilavuusaaltoresonaattori.
Kuvassa 2 on esitetty esimerkki siltarakenteen käsittävästä tilavuusaaltoresonaat- * 30 torista. Rakenne käsittää alustalle 200 muodostetun kalvon 130. Lisäksi resonaattori ··» ...... käsittää kalvolla sijaitsevan alaelektrodin 110, pietsosähköisen kerroksen 100 sekä • » ..... yläelektrodin 120. Kalvon ja alustan väliin muodostetaan rako 210 syövyttämällä • · ”* osa alustan yläpinnasta pois. Rako toimii akustisena erottimena, joka oleellisesti erottaa värähtelevän resonaattorirakenteen alustasta.
• · 107660 2
Tilavmisaaltoresonaattorit eivät vielä ole laajalti käytössä, osaksi siksi, että käyttökelpoisia menetelmiä niiden liittämiseksi muihin kytkentöihin ei ole esitetty. BAW-resonaattoreilla on kuitenkin eräitä etuja SAW-resonaattoreihin nähden. BAW-ra-kenteilla on esimerkiksi parempi tehonkesto.
5 Seuraavassa selostetaan ensin eräitä BAW-resonaattorityyppejä.
Tilavmisaaltoresonaattorit valmistetaan tyypillisesti pii-, gallium-arsenidi-, lasi- tai keraamiselle alustalle. Eräs käytetty keraaminen alustamateriaali on alumina. BAW-rakenteet valmistetaan tyypillisesti käyttäen erilaisia ohutkalvovalmistusmenetelmiä, kuten esimerkiksi sputterointia, tyhjöhöyrystystä tai kemiallista höyrysaostusta 10 (CVD). BAW-rakenteissa käytetään pietsosähköistä ohutkalvokerrosta akustisten tilavuusaaltojen muodostamiseen. Tyypillisten BAW-rakenteiden resonanssitaajuu-det vaihtelevat välillä 0,5...5 GHz riippuen rakenteen koosta ja materiaaleista. BAW-resonaattorien saija- ja rinnakkaisresonanssit ovat tyypillisiä kideresonaatto-reille. Resonanssitaajuudet määräytyvät pääasiassa resonaattorin materiaalin ja re-15 sonaattorin kerrosten mitoituksen perusteella.
Tyypillinen BAW-resonaattori käsittää kolme perusosaa, jotka ovat: - akustisesti aktiivinen pietsosähköinen kerros, - pietsosähköisen kerroksen vastakkaisilla puolilla sijaitsevat elektrodit, ja - akustinen erotus alustasta.
20 Pietsosähköisen kerroksen materiaali voi olla esimerkiksi ZnO, A1N, ZnS tai mikä tahansa muu pietsosähköinen materiaali, jota voidaan valmistaa ohutkalvona. Lisäk-/:·. si pietsosähköisenä materiaalina voidaan käyttää esimerkiksi ferrosähköisiä kerää- misia materiaaleja. Käyttökelpoisia materiaaleja ovat esimerkiksi PbTi03 ja . Pb(ZrxTii.x)03 sekä muut nk. lantaani-sirkonaatti-titanaatti-perheen jäsenet.
• · « • · · 25 Elektrodikerrosten muodostamiseen käytettävä materiaali on edullisimmin sähköi-·1 sesti johtavaa materiaalia, jolla on suuri akustinen impedanssi. Elektrodit voivat olla : esimerkiksi mitä tahansa sopivaa metallia, kuten volframia (W), alumiinia (AI), ku paria (Cu), molybdeeniä (Mo), nikkeliä (Ni), titaania (Ti), niobia (Nb), hopeaa (Ag), kultaa (Au) tai tantaalia (Ta). Alustan materiaali on tyypillisesti esimerkiksi Si, ,···. 30 S1O2, GaAs, lasi tai keraaminen materiaali.
• · · • · • · · • · · • · · • · « 107660 3
Akustinen erotus voidaan toteuttaa esimerkiksi jollakin seuraavista: - alustan läpiviennillä, - mikromekaanisella siltarakenteella tai - akustisella peilirakenteella.
5 Läpivienti- ja siltarakenteissa akustisesti heijastavat pinnat ovat laitteiden ala- ja yläpuolella sijaitsevat ilmarajapinnat. Siltarakenne valmistetaan tyypillisesti käyttäen ns. uhrauskerrosta, joka syövytetään pois vapaasti seisovan rakenteen tuottamiseksi. Uhrauskerroksen käyttö mahdollistaa monien erilaisten alustamateriaalien käytön, koska alustaa ei tarvitse juurikaan modifioida, toisin kuin läpivientiraken-10 teessä. Siltarakenne voidaan myös valmistaa käyttäen ns. “etch pit“ -rakennetta, jossa alustaan tai BAW-resonaattorin alapuolella sijaitsevaan materiaalikerrokseen syövytetään ontelo vapaasti seisovan siltarakenteen synnyttämiseksi.
Kuvassa 3 on esitetty yksi esimerkki siltarakenteen muodostamisesta. Ennen muiden BAW-rakenteen kerrosten muodostusta muodostetaan ja kuvioidaan ensin uhraus-15 kerros 135. Loput BAW-rakenteesta muodostetaan ja kuvioidaan osittain uhrauskerroksen 135 päälle. Kun loput BAW-rakenteesta on muodostettu, uhrauskerros 135 syövytetään pois. Kuvassa 3 nähdään myös alusta 200, kalvokerros 130, alaelektrodi 110, pietsosahköinen kerros 100 ja yläelektrodi 120. Uhrauskerroksen materiaalina voidaan käyttää esimerkiksi metallia tai polymeeriä.
20 Läpivientirakenteessa resonaattori erotetaan akustisesti alustasta syövyttämällä pois laaja osa BAW-resonaattorirakenteen alapuolista alustaa. Kuva 4 esittää BAW-resonaattorin läpivientirakennetta. Kuvassa nähdään alusta 200, kalvokerros 130, ala- • · « : elektrodi 110, pietsosähköinen kerros 100 ja yläelektrodi 120. Alustaan on syövytet- ': ·': ty läpivientireikä 211, j oka ulottuu koko alustan läpi. Tarvittavan syövytyksen vuok- : 25 si läpivientirakenteet toteutetaan tavallisesti vain Si-tai GaAs-alustoilla.
• · # !..* Toinen menetelmä BAW-resonaattorin erottamiseksi alustasta on käyttää akustista II* | peilirakennetta. Akustinen peilirakenne toteuttaa erotuksen heijastamalla akustisen v ; aallon takaisin resonaattorirakenteeseen. Akustinen peili tyypillisesti käsittää useita keskitaajuuden neljännesaallonpituuden paksuisia kerroksia siten, että eri akustisen 30 impedanssin omaavat kerrokset vuorottelevat. Akustisen peilin kerrosten lukumäärä ***’: on tyypillisesti pariton kokonaisluku, joka tyypillisesti vaihtelee kolmesta yhdek- sään. Kahden peräkkäisen kerroksen akustisten impedanssien suhteen tulisi olla * · suuri, jotta alustamateriaalin suhteellisen suuren impedanssin sijasta BAW-resonaat- torille näkyisi mahdollisimman pieni akustinen impedanssi. Neljännesaallonpituu- *:··: 35 den paksuisen pietsosähköisen kerroksen tapauksessa peilikerrokset valitaan siten, « • · 4 107660 että resonaattorille näkyy mahdollisimman suuri akustinen impedanssi. Tämä on esitetty patenttijulkaisussa US-5 373 268. Suuri-impedanssisten kerrosten materiaali voi olla esimerkiksi kulta (Au), molybdeeni (Mo) tai volfxami (W), ja pieni-impe-danssisten kerrosten materiaali voi olla esimerkiksi pii (Si), monikiteinen pii (poly-5 Si), piidioksidi (Si02), alumiini (AI) tai polymeeri. Koska akustista peilirakennetta hyödyntävissä rakenteissa resonaattori on erotettu alustasta eikä alustaa juurikaan modifioida, alustana voidaan käyttää monia eri materiaaleja. Polymeerikerros voi olla mitä tahansa pienihäviöistä polymeerimateriaalia, jolla on pieni akustinen impedanssi. Edullisimmin polymeerimateriaali on sellainen, joka sietää vähintään 350 10 celsius-asteen lämpötiloja, koska akustisen peilirakenteen ja muiden rakenteiden muodostuksessa voidaan saavuttaa verrattain korkeita lämpötiloja. Polymeerikerros voi käsittää esimerkiksi polyimidiä, sykloteeniä, hiilipohjaista materiaalia, piipoh-jaista materiaalia tai muuta sopivaa materiaalia.
Kuvassa 5 on esimerkki BAW-resonaattorista akustisen peilirakenteen päällä. Ku-15 vassa nähdään alusta 200, alaelektrodi 110, pietsosähköinen kerros 100 ja yläelekt-rodi 120. Akustinen peilirakenne 150 käsittää tässä esimerkkitapauksessa kolme kerrosta 150a, 150b. Kaksi kerroksista 150a on muodostettu ensimmäisestä materiaalista, ja näiden kahden välinen kolmas kerros 150b on muodostettu toisesta materiaalista. Edellä selostetun mukaisesti ensimmäisen ja toisen materiaalin akustiset impe-20 danssit ovat erilaiset. Materiaalien jäijestystä voidaan vaihtaa. Esimerkiksi suuren akustisen impedanssin omaava materiaali voi olla keskellä, ja pienen akustisen impedanssin omaava materiaali voi olla keskimmäisen materiaalin molemmilla puolilla tai päinvastoin. Alaelektrodia voidaan myös käyttää akustisen peilin yhtenä kerrok- .*»*; sena.
« 25 Kuvassa 6 nähdään eräs toinen esimerkki BAW-resonaattorirakenteesta. Kuvassa 6 '··** esitetty BAW-resonaattori on pinoresonaattorirakenne, jossa on kaksi pietsosähköis- « tä kerrosta 100. Alaelektrodin 110 ja yläelektrodin 120 lisäksi pinorakenteessa tarvi- ♦ » · · taan maapotentiaaliin kytketty keskielektrodi 115. Lisäksi kuvassa 6 nähdään kalvo- :T: kerros 130, alusta 200 ja rakenteen alustasta erottava syövytysontelo 210.
. 30 Eräs suotimen toivottavista ominaisuuksista on se, että suotimen vaste päästötaa- juuksilla on mahdollisimman tasainen. Taajuusvasteen vaihteluja kutsutaan aaltoi- • · ···’ suudeksi (engl. ripple). Suotimen taajuusvasteen esimerkiksi kaistanpäästösuotimes- *:··· sa pitäisi siten pysyä vakiona suotimen koko kaistanleveydellä. Estotaajuuksilla aaltoisuus ei yleensä ole ongelma. Useiden kideresonaattorien tai esimerkiksi BAW- • · · 35 resonaattorien avulla toteutetuissa suotimissa aaltoisuus johtuu ainakin osittain kide- • « 107660 5 resonaattorien häiriöresonanssitiloista. Termi häiriöresonanssi tarkoittaa tässä reso-nanssitaajuuksia, jotka eivät ole resonaattorin suunniteltuja resonanssitaajuuksia.
Resonaattorin rajataajuus määräytyy sen oletuksen pohjalta, että kideresonaattori koostuu johtavan materiaalin äärettömistä tasoista ja äärettömästä pietsosähköisestä 5 tasosta johtavien tasojen välissä. Rajataajuuden määräävät täten suoraan tasojen materiaali ja paksuus. Äärettömässä tasossa ei esiinny sivuttaisresonanssitiloja. Resonaattorin (tai minkä tahansa levyn) sivuttaismitat aiheuttavat sivuttaisresonanssitiloja, ja resonaattorin tai levyn ensimmäiseen sivuttaisresonanssitilaan liittyvä perus-resonanssitaajuus on jonkin verran suurempi kuin rajataajuus. Resonaattorin sivutit) taismitat vaikuttavat siten sen perusresonanssitaajuuden arvoon.
Levyssä voi esiintyä erilaisia mekaanisia värähtelyjä. Tiettyjä sivuttaisresonanssitiloja voidaan synnyttää pietsosähköisesti, kun kiteen yli vaikuttaa vaihtojännite. Pe-russivuttaisresonanssitila vastaa tilannetta, jossa kidetason keskellä on amplitudi-maksimi. Mitä tahansa sivuttaisresonanssitiloja voidaan synnyttää mekaanisesti, 15 mutta vain parittomia harmonisia taajuuksia voidaan synnyttää pietsosähköisesti. Nämä sivuttaisresonanssitilat, jotka tavallisesti ovat eri taajuuksilla, saavat resonaattorin pinnan värähtelemään.
Sivuttaisresonanssitilojen ongelmana on se, että ne ovat ainakin osasyynä resonaattoreissa esiintyviin häiriöresonansseihin. Tätä käsitellään esimerkiksi artikkelissa 20 “K.M. Lakin, G.R. Kline & K.T. McCarron: Thin film bulk acoustic wave filters for GPS, 1992 Ultrasonic Symposium, pp. 471-476“. Sivuttaisresonanssitilat heikentävät kideresonaattoreja käsittävien järjestelmien ominaisuuksia. Suotimen taajuusvas- * · · : teen aaltoisuus on yksi esimerkki häiriöresonanssin vaikutuksesta.
. Keksinnön tavoitteena on toteuttaa resonaattorirakenne, jossa sivuttaisaaltojen vai- • · · 25 kutus on eliminoitu. Lisäksi keksinnön tavoitteena on toteuttaa resonaattorirakenne, • · joka on helppo valmistaa.
• · · • · · : T: Keksinnön tavoitteet saavutetaan modifioimalla resonaattorin kerrosrakennetta reso naattorin keskustan ympärillä olevalla kehysmäisellä vyöhykkeellä.
♦ * · · · ·
Keksinnön mukainen resonaattorirakenne on rakenne, joka käsittää kaksi johdinker- • * • y * 30 rosta ja pietsosähköisen kerroksen johdinkerrosten välissä, ja sille on tunnusomaista, ·:··: että ·*“: -resonaattorirakenne lisäksi käsittää keskusaluetta rajaavan kehysmäisen vyöhyk- • · · * . keen, • · • · 107660 6 - keskusalue sijaitsee resonaattorin aktiivisen alueen sisällä, ja - kehysmäinen vyöhyke on akustisesti erilainen kuin keskusalue.
Keksinnön mukainen suodin on suodin, joka käsittää ainakin yhden resonaattorira-kenteen, joka käsittää kaksi johdinkeiTosta ja pietsosähköisen kerroksen johdinker-5 rosten välissä, ja sille on tunnusomaista, että - resonaattorirakenne lisäksi käsittää keskusaluetta rajaavan kehysmäisen vyöhykkeen, - keskusalue sijaitsee resonaattorin aktiivisen alueen sisällä, ja - kehysmäinen vyöhyke on akustisesti erilainen kuin keskusalue.
10 Keksinnön mukaiset matkaviestinvälineet ovat välineitä, jotka käsittävät ainakin yhden resonaattorirakenteen, joka käsittää kaksi johdinkerrosta ja pietsosähköisen kerroksen johdinkerrosten välissä, ja sille on tunnusomaista, että - resonaattorirakenne lisäksi käsittää keskusaluetta rajaavan kehysmäisen vyöhykkeen, 15 - keskusalue sijaitsee resonaattorin aktiivisen alueen sisällä, ja - kehysmäinen vyöhyke on akustisesti erilainen kuin keskusalue.
Keksinnön mukainen resonaattorirakenne käsittää kaksi johtavaa kerrosta ja pietsosähköisen kerroksen johtavien kerrosten välissä. Johtavat kerrokset muodostavat resonaattorin elektrodit. Pietsosähköinen kerros voi olla pietsosähköinen kide tai 20 pietsosähköisestä materiaalista valmistettu ohutkalvokerros.
Resonaattorin aktiivinen alue on alue, jolle molemmat johtavat kerrokset ulottuvat.
*:*. Tavallisesti se on resonaattorin keskellä. Keksinnön mukainen resonaattorirakenne • · · sisältää resonaattorin keskusaluetta ympäröivän kehysmäisen vyöhykkeen. Sana • · keskusalue tarkoittaa tässä kehysmäisen vyöhykkeen sisään jäävää aluetta. Sen ei ***, 25 tarvitse olla esimerkiksi resonaattorialueen keskellä. Keskusalue on resonaattorin aktiivisen alueen sisäpuolella. Kehysmäisen vyöhykkeen akustiset ominaisuudet • · · *♦* ’ ovat erilaiset kuin keskusalueen akustiset ominaisuudet. Rakenteen akustiset omi-• ·♦ ; naisuudet käsittävät ainakin rakenteen akustisen paksuuden ja sen, kuinka tehokkaasti rakenne vaimentaa värähtelyjä. Kehysmäinen vyöhyke voi olla aktiivisen alu- ': * *: 30 een sisällä tai ainakin osittain aktiivisen alueen ulkopuolella.
• »
Tietyn rakenteen akustista paksuutta määritetään tässä sellaisen äärettömän tason *·**· rajataajuudella, jolla on sama kerrosrakenne kuin tarkastellulla rakenteella. “Akusti- • · · sesti paksumpi44 tarkoittaa yleensä, että rakenne on myös fyysisesti paksumpi, mutta näin ei aina ole asian laita.
• · • · 107660 7
Resonaattorin keskusalueen ympärille voidaan helposti muodostaa akustisesti erilainen kehysmäinen vyöhyke järjestämällä kaksi kerrosta, joista toinen ulottuu keskusalueen päälle ja toinen ei, päällekkäin keskusalueen ympärille. Alue, jolla nuo kaksi erilaista kerrosta ovat päällekkäin, on akustisesti paksumpi kehysmäinen vyö-5 hyke. Se on akustisesti paksumpi kuin keskusalue, koska sillä on keskusalueeseen verrattuna enemmän kerroksia. Jos sen kerroksen materiaali, joka ei ulotu keskusalueelle, valitaan siten, että se vaimentaa värähtelyjä, niin silloin akustisesti erilainen kehysmäinen vyöhyke myös vaimentaa värähtelyjä tehokkaammin kuin keskusalue.
10 Keskusalueen sivuttaisresonanssitiloja voidaan hallita valitsemalla akustisesti erilaisen vyöhykkeen leveys ja paksuus sopivasti. Mitoituksen valintaa käsitellään tarkemmin keksinnön edullisten suoritusmuotojen selostuksen yhteydessä. Aktiiviselle alueelle voidaan aikaansaada mäntämuodon resonanssi, joka tarkoittaa, että resonaattorin keskusalue värähtelee rajataajuudella. Tässä optimaalisessa tapauksessa 15 kehysmäinen vyöhyke saa keskusalueen näkymään itselleen äärettömänä. Vaikkei mäntämuotoa saavutettaisikaan, kehysmäinen vyöhyke eliminoi korkeamman asteen sivuttaistaajuusmuodot niin, että keskusalueen aallolla on tasaisempi amplitudija-kauma. Aktiivisen alueen reunan rajaamaksi jää suhteellisesti suurempi osa korkeamman asteen sivuttaisresonanssimuotojen aallosta kuin ensimmäisen asteen si-20 vuttaisresonanssimuodon aallosta. Näin ollen aktiivisen alueen reunan ominaisuuksien modifiointi vaikuttaa enemmän korkeamman asteen sivuttaisresonanssimuotoi-hin.
... Kehysmäisen vyöhykkeen sekä mekaanisia että pietsosähköisiä ominaisuuksia voi- **' daan muunnella. Jos kehysmäinen vyöhyke ei ole resonaattorin molempien elektro- * : 25 dien kattama, se vaikuttaa vain resonaattorin mekaanisiin ominaisuuksiin. Jos se on ainakin osittain resonaattorin molempien elektrodien kattama, vaikutus kohdistuu a *·*'·' myös pietsosähköisiin ominaisuuksiin. Aktiivisen alueen sivuttaisresonansseja voi- :T: daan hallita paremmin, jos akustisesti paksumpi kehysmäinen vyöhyke on osittain päällekkäinen aktiivisen alueen kanssa. Aktiivinen alue on edullisesti keskusalueen « 30 ja kehysmäisen vyöhykkeen yhdistelmä.
a * ' Kehysmäinen vyöhyke muodostetaan edullisimmin siten, että sijoitetaan eri kerrok- siä päällekkäin aktiivisen alueen reunan lähellä. On myös mahdollista lisätä reso- • naattorirakenteeseen yksi tai useampia kehysmäisiä kerroksia. Kehysmäinen kerros .···. voi sijaita esimerkiksi yläelektrodilla tai elektrodien välissä. Eräs toinen menetelmä '' 35 kerrosrakenteen akustisen paksuuden muuttamiseksi on muuttaa aktiivisen alueen * · « • · 8 107660 ympärillä olevien kerrosten paksuutta. Kehysmäisen vyöhykkeen paksuuden lisäämiseksi käytetty materiaali voi olla johtavaa tai dielektristä. Materiaali voi olla värähtelyjä vaimentavaa tai vaimentamatonta.
Resonaattorin aktiivisen alueen tai keskusalueen muoto ei rajoitu mihinkään tiettyyn 5 muotoon keksinnön mukaisessa resonaattorirakenteessa. Kehysmäisen vyöhykkeen leveys ja akustiset ominaisuudet edullisesti pysyvät oleellisesti vakiona koko kehysmäisen vyöhykkeen alueella, mutta keksinnön mukaiset resonaattorirakenteet eivät rajoitu pelkästään rakenteisiin, jotka käsittävät sellaisen kehysmäisen vyöhykkeen, jonka kerrosrakenne on yhdenmukainen.
10 Keksinnön mukainen resonaattorirakenne parantaa perinteisten kideresonaattorien ominaisuuksia ja erityisesti ohutkalvo-BAW-resonaattorien ominaisuuksia. Tekniikan tason mukaisten BAW-resonaattorityyppien ominaisuuksia voidaan parantaa muuttamalla rakenteita keksinnön mukaisesti. Lisäksi, kun resonaattorien ominaisuuksia parannetaan, resonaattoreita sisältävien komponenttien ominaisuudet pa-15 ranevat. Erityisesti on edullista valmistaa keksinnön mukaisia resonaattorirakenteita hyödyntäviä suotimia. Sellaisia suotimia voidaan käyttää esimerkiksi matkaviestimissä.
Keksintöä selostetaan seuraavassa yksityiskohtaisemmin viitaten esimerkkeinä esitettyihin suoritusmuotoihin ja oheisiin piirustuksiin, missä 20 kuva 1 esittää tekniikan tason mukaista pinta-aaltoresonaattoria, kuva 2 esittää tekniikan tason mukaista tilavuusaaltoresonaattoria, • · • · · •: · ·: kuva 3 esittää siltarakenteen käsittävää toista tilavuusaaltoresonaattorirakennetta, * · * ’' *. kuva 4 esittää läpivientirakenteen käsittävää tilavuusaaltoresonaattoria, « · :T: kuva 5 esittää alustasta akustisen peilirakenteen avulla erotettua tilavuusaaltore- :***: 25 sonaattoria, kuva 6 esittää pinottua tilavuusaaltoresonaattoria, • · ·"*; kuva 7 esittää keksinnön erään ensimmäisen edullisen suoritusmuodon mukaista • « · *. resonaattorirakennetta, • * kuva 8 esittää Smithin diagrammina keksinnön ensimmäisen edullisen suoritus- 30 muodon mukaisen resonaattorirakenteen vastetta, • · 107660 9 kuva 9 esittää keksinnön erään toisen edullisen suoritusmuodon mukaista reso-naattorirakennetta, kuva 10 esittää Smithin diagrammina keksinnön toisen edullisen suoritusmuodon mukaisen resonaattorirakenteen vastetta, ja 5 kuva 11 esittää keksinnön erään kolmannen edullisen suoritusmuodon mukaista resonaattorirakennetta.
Kuviin 1-6 viitattiin edellä tekniikan tason selostuksen yhteydessä. Kuvissa on käytetty toisiaan vastaavista osista samoja viitenumerolta.
Kuvassa 7 on esitetty keksinnön erään ensimmäisen edullisen suoritusmuodon mu-10 kainen resonanssirakenne 700. Kuvan 7 resonanssirakenne on esimerkiksi BAW-re-sonaattori, ja se käsittää alaelektrodin 701 ja yläelektrodin 702. Näiden elektrodien välissä on pietsosähköinen kerros 703. BAW-resonaattori voidaan muodostaa esimerkiksi akustisen peilin yläpuolelle tai käyttämällä siltarakennetta.
Kuvan 7 vaaka- ja pystymitat eivät ole esitetyt oikeassa mittakaavassa. BAW-reso-15 naattorin tyypillinen leveys on noin 300 pm, pietsosähköisen kerroksen 703 paksuus on tyypillisesti joitakin mikrometrejä ja johtavien kerrosten 701 ja 702 paksuus on tyypillisesti 400 nm.
Akustisesti paksumpi kehysmäinen vyöhyke muodostetaan resonaattorirakenteeseen 700 peittämällä pietsosähköinen kerros 703 passivointikerroksella 704. Passivointi-20 kerros on dielektristä materiaalia, ja se sekä eristää komponentin sähköisesti että suojaa pietsosähköistä materiaalia. PassivointikenOS avataan (poistetaan syövyttä-mällä) siitä kohdasta, johon yläelektrodi 702 sijoitetaan. Kuten kuvasta nähdään, . .·. passivointikerros ja yläelektrodin muodostava johtava kerros menevät päällekkäin yläelektrodin reunassa. Alue, jolle sekä yläelektrodi että passivointikerros ulottuvat, • 1 ... 25 on kehysmäinen vyöhyke, jonka akustinen paksuus on suurempi kuin resonaattorin keskustan akustinen paksuus. Kuvan 7 resonaattorirakenteessa akustisesti paksumpi • ♦ · '·1 ‘ kehysmäinen vyöhyke on resonaattorin aktiivisella alueella.
Kehysmäisen rakenteen lisääminen resonaattorin päälle käyttämällä limittäin sijoi-.**·. tettuja passivointikerrosta ja yläelektrodia edellyttää vain vähäisiä muutoksia reso- *· . 30 naattorirakenteen valmistukseen. Menetelmä on siten helppo ja tehokas korkealaatuisten resonaattorien valmistamiseksi.
··· • · • · • · · • · · 10 107660 Tässä keksinnön ensimmäisessä edullisessa suoritusmuodossa kehysmäisen vyöhykkeen muodostamiseksi käytetty materiaali on dielektristä. On myös mahdollista muodostaa kehysmäinen vyöhyke esimerkiksi tekemällä yläelektrodi paksummaksi reunastaan.
5 Kuvan 7 keskiosassa nähdään resonaattorirakenne 700 ylhäältä kuvattuna. Viiva 730 esittää alaelektrodin reunaa. Aktiivinen alue on alue, jonka sekä yläelektrodi 702 että alaelektrodi 701 kattavat. Yläelektrodi 702 ulottuu yhdessä suunnassa aktiivisen alueen ulkopuolelle. Viiva 740 rajaa alueen, jolla ei ole passivointikerrosta 704.
Myös kuvan 7 alaosassa nähdään resonaattorirakenne 700 ylhäältä kuvattuna. Tässä 10 osakuvassa nähdään keskusaluetta 720 rajaava kehysmäinen vyöhyke 710. Reso-naattorirakenteen 700 aktiivisen alueen muodostavat yhdessä kehysmäinen vyöhyke 710 ja keskusalue 720, missä ei ole passivointikerrosta. Resonaattorirakenteessa 700 kehysmäinen vyöhyke on aktiivisen alueen sisällä.
Resonaattorin keskusalueen sivuttaisaaltojen resonanssien tehokkaaksi eliminoimi-15 seksi kehysmäisen vyöhykkeen leveys w ja paksuus d voidaan valita esimerkiksi seuraavalla iteratiivisella tavalla. Lasketaan äärettömän pitkän laatan, jonka leveys on 2w ja kerrosrakenne sama kuin kehysmäisellä vyöhykkeellä, ensimmäisen sivut-taisresonanssimuodon taajuus. Taajuus voidaan määrittää yksinkertaisesti esimerkiksi nk. finite element -menetelmän (FEM) avulla, kun kerrosten materiaalit ja pak-20 suudet tunnetaan. Kehysmäisen vyöhykkeen parametriä w ja paksuutta d säädetään siten, että laatan perussivuttaisresonanssimuoto on taajuudella, joka vastaa resonaattorin keskusalueen rajataajuutta. Käyttämällä näitä arvoja kehysmäisen vyöhykkeen muodostamiseksi pietsosähköiseen resonaattoriin saadaan käytännössä paras mah-·:··· dollinen resonanssimuoto ilman häiriöresonansseja. On myös mahdollista käyttää . 25 muita leveyksiä ja paksuuksia kehysmäiselle vyöhykkeelle, esimerkiksi sellaisia, jotka määritetään edellä esitetyllä tavalla muutoin, paitsi että tutkitaan kehysmäisen • · ... vyöhykkeen korkeampia sivuttaisresonanssimuotoja, mutta ne eivät eliminoi kes- \.. kusalueen sivuttaisresonanssimuotoja yhtä tehokkaasti.
• · · • · ·
Sivuttaisaalto resonaattorirakenteessa, jossa kehysmäisen kerroksen paksuus ja leve- *:·*: 30 ys on valittu edellä selostetulla tavalla, on seuraavanlainen. Seisovan aallon ampli- .***. tudi kasvaa kehysmäisen vyöhykkeen alueella keskusaluetta kohti mentäessä, kun- • · · • . nes saavutetaan maksimi kehysmäisen vyöhykkeen ja keskusalueen rajalla (so. ke- [ ’ hysmäisellä vyöhykkeellä on puoli solmua, ja pieni osa aallosta vuotaa ulos kehys- mäisen vyöhykkeen ulkoreunasta). Keskusalueella aallon amplitudi pysyy käytän- • · • 11 107660 nöllisesti katsoen muuttumattomana sillä tasolla, jonka se saavuttaa rajalla. Resonaattorin keskusalue toimii mäntämuodossa.
Kehysmäisellä vyöhykkeellä voi esiintyä joitakin sivuttaisaaltoja, mutta koska ke-hysmäisen vyöhykkeen pinta-ala on edullisesti pieni keskusalueeseen verrattuna, 5 sivuttaisaaltojen vaikutus on todennäköisesti merkityksetön.
Kehysmäinen vyöhyke voi sijaita resonaattorin aktiivisen alueen ulkopuolella. Jos se sijaitsee resonaattorin aktiivisen alueen ulkopuolella, niin silloin se vaikuttaa vain resonaattorin mekaanisiin ominaisuuksiin. Jos elektrodit kattavat kehysmäisen vyöhykkeen ainakin osittain, niin silloin kehysmäinen vyöhyke vaikuttaa myös resonaat-10 torin pietsosähköisiin ominaisuuksiin. Silloin sivuttaisresonanssimuodot eliminoituvat paremmin kuin siinä tapauksessa, että vaikutus kohdistuu pelkästään resonaattorin mekaanisiin ominaisuuksiin.
Kehysmäisestä vyöhykkeestä akustisesti paksumman tekevä materiaali voidaan sijoittaa resonaattorirakenteen minkä tahansa kerrosten väliin. Kuvan 7 kaltaiset pääl-15 lekkäiset kerrokset voivat sijaita esimerkiksi symmetrisesti pystysuunnassa. Lisäkerrosten sijainti voidaan päättää esimerkiksi resonaattorin valmistamisen helppouden . perusteella. Kehysmäisen kerroksen leveys ja paksuus voi riippua esimerkiksi sen sijainnista kerrosrakenteessa, mutta halutun leveyden ja paksuuden laskemiseksi voidaan aina käyttää esimerkiksi FEM-laskentamenetelmää.
20 Kuvassa 8 on esitetty Smithin diagrammilla kahden BAW-resonaattorin ominaisuuksia. Smithin diagrammi on tapa esittää jonkin tietyn sähköisen komponentin ... impedanssi taajuuden funktiona. Kuvan 8 Smithin diagrammia laskettaessa BAW- resonaattorien impedanssia on verrattu tyypilliseen 50 ohmin impedanssiin.
• · : Smithin diagrammissa taajuus kasvaa myötäpäivään. Pelkästään perusresonanssi- ·;··· 25 muodossa resonoiva resonaattori tuottaa Smithin diagrammiin ympyrän. Mahdolliset .*:·. silmukat diagrammissa viittaavat häiriöresonanssitaajuuksiin.
• • · · , *.* * Kuvassa 8 on esitetty kahden resonaattorin mitattu vaste. Resonaattori, jonka vastet ta kuvaa yhtenäinen viiva 801, on tyypillinen tekniikan tason mukainen akustista . *·’*: peiliä hyödyntävä BAW-resonaattori. Pietsosähköisen kerroksen materiaali on ZnO, ·'*]: 30 alaelektrodi on molybdeeniä ja yläelektrodi alumiinia. Yhtenäisessä viivassa 801 on #J#. monia silmukoita, jotka viittaavat häiriöresonanssimuotojen esiintymiseen tässä • · ... tekniikan tason mukaisessa resonaattorissa.
• · • · ♦ · ♦ • · • » 107660 12
Toinen resonaattori on samanlainen resonaattori paitsi että passivointikerros on avattu ja yläelektrodin materiaali menee päällekkäin passivointikerroksen kanssa. Resonaattorirakenne on samanlainen kuin kuvassa 7 esitetty resonaattorirakenne 700. Kehysmäisen vyöhykkeen leveys kohdassa, missä passivointikerros ja yläelekt-5 rodi ovat päällekkäin, on noin 5 pm, ja passivointikerroksen paksuus on 235 nm. Kehysmäisen vyöhykkeen leveys ja paksuus on valittu säätämällä sellaisen äärettömän laatan perussivuttaisresonanssimuotoa, joka käsittää saman kerrosrakenteen kuin resonaattorin kehysmäinen vyöhyke.
Kehysmäisen kerroksen lisäämisen vaikutus on selvästi havaittavissa kuvassa 8. 10 Keksinnön mukaisen resonaattorirakenteen vastetta esittää kuvassa katkoviiva 802. Pieniä poikkeamia ympyrämuodosta esiintyy yhä, mutta vaste on selvästi parempi kuin tekniikan tason mukaisen resonaattorin vaste.
Akustisesti erilainen kehysmäinen vyöhyke resonaattorin keskusalueen ympärille voidaan toteuttaa myös värähtelyä vaimentavalla materiaalilla. Vaimentavasta vaiku-15 tuksesta saadaan käsitys tutkimalla kahden resonaattorirakenteen resonanssimuotoja, joista resonaattorirakenteista toinen (900) käsittää vaimentavan kehysmäisen vyöhykkeen 903. Tutkittavien resonaattorien profiilit 901 on esitetty kuvassa 9. Tutkittavan resonaattorirakenteen aktiivinen alue, joka on profiilin 901 keskellä oleva paksumpi alue, on 220 pm leveä. Vaimentava vaikutus esiintyy 10 pm leveällä vyöhyk-20 keellä 903 aktiivisen alueen reunassa sen sisäpuolella.
Rakenteiden resonanssitaajuudet lasketaan esimerkiksi FEM-menetelmän avulla.
Resonanssitaajuuksia laskettaessa rakenteen eri alueiden erilaiset akustiset vaimen- mikset voidaan ottaa huomioon käyttämällä hyvyyslukua Q. Hyvyysluku voidaan määritellä erikseen kullekin alueelle. Suuri hyvyysluku tarkoittaa pieniä energiahä- .... 25 viöitä (häviöt aiheutuvat värähtelyenergian muuttumisesta lämmöksi), ja pieni hy-• · · vyysluku tarkoittaa suuria energiahäviöitä. Kuvassa 9 on esitetty keksinnön toisen • « ... edullisen suoritusmuodon mukainen resonaattorirakenne 900. Tätä rakennetta tutkit- • · 1 tiin olettaen, että hyvyysluku Q on 1000 alueilla, joilla ei esiinny lisävaimennusta
i · I
’·1 1 (so. alue 902 ja keskusalue 904), ja Q = 50 aktiivisen alueen reunan 10 pm leveällä 30 vyöhykkeellä 903. Näillä Q:n arvoilla ei ole erityistä merkitystä, ne vain ilmaisevat *”1! resonaattorirakenteen eri alueiden oletettujen vaimennusominaisuuksien eroja. Eri ·]1[: alueiden akustinen paksuus on esitetty kuvassa 9 pystysuunnassa. Alueen 903 akus- tinen paksuus on sama kuin alueen 904, so. tässä simuloitu kehysmäinen vyöhyke • · ... eroaa keskusalueesta vain vahvempien vaimennusominaisuuksiensa perusteella.
• · • · · • · ♦ 13 107660
Kun mekaaniset resonanssimuodot on laskettu ja pietsosähköinen vaikutus otettu huomioon (joko suoraan laskelmissa tai eri menetelmien avulla), voidaan resonaat-torirakenteiden ominaisuudet esittää Smithin diagrammilla. Kuvassa 10 on esitetty Smithin diagrammilla kahden simulaation tulokset. Yhtenäinen viiva 1001 kuvaa 5 sellaisen tekniikan tason mukaisen BAW-resonaattorin vastetta, jossa ei ole kehys-mäistä vaimentavaa vyöhykettä, jolloin häiriöresonanssimuodoista kertovat silmukat ovat selvästi nähtävissä. Katkoviiva 1002 kuvaa kehysmäisellä vaimentavalla vyöhykkeellä varustetun resonaattorirakenteen vastetta. Katkoviivan muoto muistuttaa ympyrää, eikä siinä ole silmukoita. Silmukat ovat vaimentuneet pieniksi notkelmik-10 si. Smithin diagrammin katkoviiva kertoo, että aktiivisen alueen ympärillä oleva ke-hysmäinen vyöhyke parantaa resonaattorirakenteen toimintaa. Katkoviiva sijaitsee jonkin verran lähempänä diagrammin keskustaa kuin yhtenäiset viivat. Tämä merkitsee sitä, että myös perusresonanssimuoto vaimenee hieman, mutta vaimeneminen ei ole kovin voimakasta.
15 Tässä simulaatiossa resonaattorin keskusalueen ympärillä olevalla akustisesti erilaisella kehysmäisellä vyöhykkeellä on vain erilaiset vaimennusominaisuudet kuin muulla resonaattorirakenteella. Vaimennusvaikutus voidaan saada aikaan esimerkiksi muodostamalla resonaattorirakenteen päälle kehysmäinen kerros häviöllisestä kalvosta. Häviöllinen kalvo voi olla esimerkiksi polymeerikalvo. Kun käytännöllisesti 20 katsoen yhtenäiseen resonaattorirakenteeseen lisätään kehysmäinen kerros tai muutoin lisätään siihen vaimentavaa materiaalia, kehysmäisen vyöhykkeen akustinen paksuus kasvaa. Kehysmäisen vyöhykkeen akustisen paksuuden kasvattaminen sekä sen vaimennuksen lisääminen aiheuttavat molemmat sen, että näiden muutosten yhdistelmää hyödyntävän resonaattorirakenteen ominaisuuksien odotetaan olevan * ’ 25 parempia kuin tekniikan tason mukaisten resonaattorien.
• · :j*: Kuvassa 11 on esitetty esimerkinomaisesti keksinnön erään kolmannen edullisen ·:··· suoritusmuodon mukainen resonaattorirakenne 1100. Se käsittää alaelektrodin 701, pietsosähköisen kerroksen 703 ja yläelektrodin 702. Vaimentava materiaali 1101 • muodostetaan resonaattorin aktiivisen alueen reunaan, sen ulkopuolelle. Resonaat- * · · 30 torirakenteessa 1100 kehysmäinen vyöhyke on sekä akustisesti paksumpi että vai- . mentaa värähtelyjä voimakkaammin kuin resonaattorirakenteen aktiivinen alue. Jos [..* vaimentava materiaali 1101 muodostetaan yläelektrodin 702 päälle niin, että kehys- • · ·;·* mäinen vyöhyke on aktiivisella alueella, se parantaa resonaattorin ominaisuuksia ·:··: vielä tehokkaammin.
* · · • · • · • · • · • « 107660 14
Edellä on käytetty BAW-resonaattoreita esimerkkinä pietsosähköisistä resonaattoreista, joissa akustisesti erilainen kehysmäinen vyöhyke aktiivisen alueen ympärillä parantaa resonaattorin ominaisuuksia. Keksintö ei rajoitu BAW-resonaattoreihin, ja sitä voidaan käyttää myös parantamaan kideresonaattorien ominaisuuksia.
5 Suuntaa ilmaisevat sanat, kuten ylä- ja alaelektrodi, viittaavat elektrodin sijaintiin alustan suhteen. Yläelektrodi on vastakkaisella puolella pietsosähköistä kerrosta kuin alusta, ja alaelektrodi on samalla puolella pietsosähköistä kerrosta kuin alusta. Näiden ja muiden mahdollisten suuntaa ilmaisevien sanojen tarkoitus on parantaa resonaattorirakenteen selostuksen ymmärrettävyyttä. Ne eivät millään lailla rajoita 10 keksinnön mukaisia resonaattorirakenteita.
··· • · • · · • · • · · « · · • · · « « • · · * · « • · · • 1 1 • · · • · · • · IM • 1 « • · · • t • · · • « • · • · · • · ·

Claims (12)

107660
1. Resonaattorirakenne (700, 900, 1100), joka käsittää kaksi johdinkerrosta (701, 702) ja pietsosähköisen kerroksen (703) johdinkerrosten välissä, tunnettu siitä, että - resonaattorirakenne lisäksi käsittää keskusaluetta (720) rajaavan kehysmäisen vyö-5 hykkeen (710), - keskusalue sijaitsee resonaattorin aktiivisen alueen (710, 720) sisällä, ja - kehysmäinen vyöhyke (710) on akustisesti erilainen kuin keskusalue (720).
2. Resonatorkonstruktion (700, 1100) enligt patentkrav 1, kannetecknad av att ·:··· den ramformade zonen (710) är akustiskt tjockare än det centrala omrädet (720). »·« • · *:** 30 3. Resonatorkonstruktion (900) enligt patentkrav 1, kannetecknad av att den *”1: ramformade zonen (903) har anordnats att dämpa vibrationer effektivare än det Γ': centrala omrädet (904). • · · 107660
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen resonaattorirakenne (700, 1100), tunnettu siitä, että kehysmäinen vyöhyke (710) on akustisesti paksumpi kuin keskusalue 10 (720).
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen resonaattorirakenne (900), tunnettu siitä, että kehysmäinen vyöhyke (903) on järjestetty vaimentamaan värähtelyä tehokkaammin kuin keskusalue (904).
4. Resonatorkonstruktion (1100) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att den ramformade zonen (1101) är akustiskt tjockare än det centrala omrädet och den ramformade zonen (1101) har anordnats att dämpa vibrationer effektivare än det centrala omrädet.
4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen resonaattorirakenne (1100), tunnettu siitä, 15 että kehysmäinen vyöhyke (1101) on akustisesti paksumpi kuin keskusalue ja kehysmäinen vyöhyke (1101) on jäljestetty vaimentamaan värähtelyä tehokkaammin kuin keskusalue.
5. Resonatorkonstruktion (1100) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att resonatorkonstruktionen omfattar ätminstone ett ramformat skikt (1101).
5. Patenttivaatimuksen 1 mukainen resonaattorirakenne (1100), tunnettu siitä, että resonaattorirakenne käsittää ainakin yhden kehysmäisen kerroksen (1101).
6. Resonatorkonstruktion (700) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att - den ramformade zonens (710) skiktkonstruktion omfattar samtliga skikt som sträcker sig over det centrala omrädet (720), och 10. den ramformade zonens (710) skiktkonstruktion dessutom omfattar ätminstone ett extra skikt (704) som inte sträcker sig over det centrala omradet (720).
6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen resonaattorirakenne (700), tunnettu siitä, että ·.·_ - kehysmäisen vyöhykkeen (710) kerrosrakenne käsittää kaikki kerrokset, jotka ♦ ♦ · * , ulottuvat keskusalueen (720) päälle, ja - kehysmäisen vyöhykkeen (710) kerrosrakenne lisäksi käsittää ainakin yhden lisä- • ♦ · *·:·[ kerroksen (704), joka ei ulotu keskusalueen (720) päälle. • ·
7. Resonatorkonstruktion (700, 900) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att den ramformade zonen (710, 903) befinner sig inne i det aktiva omradet.
7. Patenttivaatimuksen 1 mukainen resonaattorirakenne (700, 900), tunnettu sii- * tä, että kehysmäinen vyöhyke (710, 903) on aktiivisen alueen sisällä.
8. Resonatorkonstruktion (1100) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att den 15 ramformade zonen (1101) befinner sig ätminstone delvis utanfor det aktiva omrädet.
8. Patenttivaatimuksen 1 mukainen resonaattorirakenne (1100), tunnettu siitä, että kehysmäinen vyöhyke (1101) on ainakin osittain aktiivisen alueen ulkopuolella. *·· • ·
9. Resonatorkonstruktion (700) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att bredden och den akustiska tjockleken för den ramformade zonen (710) har anordnats sä att resonansfrekvensen för en oändligt läng rektangulär resonator, vars bredd är tvä ganger bredden för den ramformade zonen och vars akustiska tjocklek är den 20 akustiska tjockleken för den ramformade zonen är väsentligen den samma som . *: ’; gränsfrekvensen för det centrala omrädet. •
9. Patenttivaatimuksen 1 mukainen resonaattorirakenne (700), tunnettu siitä, että [ * 30 kehysmäisen vyöhykkeen (710) leveys ja akustinen paksuus on järjestetty siten, että äärettömän pitkän suorakulmaisen resonaattorin, jonka leveys on kaksi kertaa ke- • · • « 107660 hysmäisen vyöhykkeen leveys ja jonka akustinen paksuus on kehysmäisen vyöhykkeen akustinen paksuus, resonanssitaajuus on oleellisesti sama kuin keskusalueen (720) rajataajuus.
10. Resonatorkonstruktion enligt patentkrav 1, kännetecknad av att den dessutom • · · *·:·| omfattar ett andra piezoelektriskt skikt mellan de ledande skikten och ett ledarskikt mellan de piezoelektriska skikten. «·« • · · • ·
10. Patenttivaatimuksen 1 mukainen resonaattorirakenne, tunnettu siitä, että se 5 lisäksi käsittää toisen pietsosähköisen kerroksen johtavien kerrosten välissä ja joh- dinkerroksen pietsosähköisten kerrosten välissä.
11. Suodin, joka käsittää ainakin yhden resonaattorirakenteen, joka käsittää kaksi johdinkerrosta ja pietsosähköisen kerroksen johdinkerrosten välissä, tunnettu siitä, että 10. resonaattorirakenne lisäksi käsittää keskusaluetta (720) rajaavan kehysmäisen vyö hykkeen (710), - keskusalue sijaitsee resonaattorin aktiivisen alueen (710, 720) sisällä, ja - kehysmäinen vyöhyke (710) on akustisesti erilainen kuin keskusalue (720).
12. Matkaviestin, joka käsittää ainakin yhden resonaattorirakenteen, joka käsittää 15 kaksi johdinkerrosta ja pietsosähköisen kerroksen johdinkerrosten välissä, tunnettu siitä, että - resonaattorirakenne lisäksi käsittää keskusaluetta (720) rajaavan kehysmäisen vyöhykkeen (710), - keskusalue sijaitsee resonaattorin aktiivisen alueen (710, 720) sisällä, ja 20. kehysmäinen vyöhyke (710) on akustisesti erilainen kuin keskusalue (720). .Ti 1. Resonatorkonstruktion (700, 900, 1100), omfattande tvä ledarskikt (701, 702) och ett piezoelektriskt skikt (703) mellan ledarskikten, kannetecknad av att . .1. - resonatorkonstruktionen dessutom omfattar en ramformad zon (710) som begrän- .!!!: 25 sar ett centralt omrade (720), • · ..... - det centrala omrädet befinner sig inom resonatoms aktiva omrade (710, 720), och - den ramformade zonen (710) är akustiskt olik det centrala omrädet (720). • · ·
11. Filter, omfattande ätminstone en resonatorkonstruktion med tvä ledarskikt och • · · 7 ett piezoelektriskt skikt mellan ledarskikten, kännetecknat av att - resonatorkonstruktionen dessutom omfattar en ramformad zon (710) som begrän- ... * sar ett centralt omräde (720), · » *:** - det centrala omrädet befinner sig inom resonatoms aktiva omräde (710, 720), och *: * *: 30 - den ramformade zonen (710) är akustiskt olik det centrala omrädet (720).
• · · • · • · *!* 12. Mobiltelefon, omfattande ätminstone en resonatorkonstruktion med tvä ledar- ': : skikt och ett piezoelektriskt skikt mellan ledarskikten, kännetecknad av att • · 107660 - resonatorkonstruktionen dessutom omfattar en ramformad zon (710) som begrän-sar ett centralt omräde (720), - det centrala omradet befinner sig inom resonatoms aktiva omrade (710, 720), och - den ramformade zonen (710) är akustiskt olik det centrala omradet (720). • · · • · • · · • · * · · • · · • · • ♦1· • · · ··· • · · • I · * • · • · · • · • · · • · · • · · • · • · • · · « • ·
FI991619A 1999-07-19 1999-07-19 Resonaattorirakenne FI107660B (fi)

Priority Applications (15)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI991619A FI107660B (fi) 1999-07-19 1999-07-19 Resonaattorirakenne
EP14167275.8A EP2782250A1 (en) 1999-07-19 2000-06-29 Resonator structure and a filter comprising such a resonator structure
PCT/FI2000/000591 WO2001006647A1 (en) 1999-07-19 2000-06-29 Resonator structure and a filter comprising such a resonator structure
US10/031,579 US6812619B1 (en) 1999-07-19 2000-06-29 Resonator structure and a filter comprising such a resonator structure
EP00942161.1A EP1196990B1 (en) 1999-07-19 2000-06-29 Resonator structure and a filter comprising such a resonator structure
JP2001510983A JP3735777B2 (ja) 1999-07-19 2000-06-29 共振子構造およびその共振子構造を備えるフィルタ
CN00810575.8A CN1183669C (zh) 1999-07-19 2000-06-29 谐振器结构和包括这种谐振器结构的滤波器
AU56878/00A AU5687800A (en) 1999-07-19 2000-06-29 Resonator structure and a filter comprising such a resonator structure
PCT/FI2000/000652 WO2001006646A1 (en) 1999-07-19 2000-07-18 Resonator structure and a filter having such a resonator structure
EP00949512A EP1196989B1 (en) 1999-07-19 2000-07-18 Resonator structure and a filter having such a resonator structure
DE60042486T DE60042486D1 (de) 1999-07-19 2000-07-18 Resonatorstruktur und dieselbe enthaltendesfilter
US10/031,533 US6788170B1 (en) 1999-07-19 2000-07-18 Resonator structure having a dampening material and a filter having such a resonator structure
JP2001510982A JP3740061B2 (ja) 1999-07-19 2000-07-18 共振子構造及びそのような共振子構造を有するフィルター
AU62844/00A AU6284400A (en) 1999-07-19 2000-07-18 Resonator structure and a filter having such a resonator structure
CN00810665.7A CN1201486C (zh) 1999-07-19 2000-07-18 谐振器结构和具有这样的谐振器结构的滤波器

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI991619 1999-07-19
FI991619A FI107660B (fi) 1999-07-19 1999-07-19 Resonaattorirakenne

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FI991619L FI991619L (fi) 2001-01-20
FI107660B true FI107660B (fi) 2001-09-14

Family

ID=8555088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI991619A FI107660B (fi) 1999-07-19 1999-07-19 Resonaattorirakenne

Country Status (8)

Country Link
US (2) US6812619B1 (fi)
EP (3) EP1196990B1 (fi)
JP (2) JP3735777B2 (fi)
CN (2) CN1183669C (fi)
AU (2) AU5687800A (fi)
DE (1) DE60042486D1 (fi)
FI (1) FI107660B (fi)
WO (2) WO2001006647A1 (fi)

Families Citing this family (217)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6674291B1 (en) * 2000-10-30 2004-01-06 Agere Systems Guardian Corp. Method and apparatus for determining and/or improving high power reliability in thin film resonator devices, and a thin film resonator device resultant therefrom
US6424237B1 (en) * 2000-12-21 2002-07-23 Agilent Technologies, Inc. Bulk acoustic resonator perimeter reflection system
US6548943B2 (en) 2001-04-12 2003-04-15 Nokia Mobile Phones Ltd. Method of producing thin-film bulk acoustic wave devices
US6476536B1 (en) 2001-04-27 2002-11-05 Nokia Corporation Method of tuning BAW resonators
US6662419B2 (en) * 2001-12-17 2003-12-16 Intel Corporation Method for fabricating film bulk acoustic resonators to achieve high-Q and low loss
KR100616508B1 (ko) * 2002-04-11 2006-08-29 삼성전기주식회사 Ｆｂａｒ 소자 및 그 제조방법
DE10225202B4 (de) 2002-06-06 2017-06-01 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit einem Anpassnetzwerk
DE10241425B4 (de) * 2002-09-06 2015-06-18 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitender Resonator mit Unterdrückung störender Nebenmoden
JP3879643B2 (ja) * 2002-09-25 2007-02-14 株式会社村田製作所 圧電共振子、圧電フィルタ、通信装置
DE10251876B4 (de) * 2002-11-07 2008-08-21 Infineon Technologies Ag BAW-Resonator mit akustischem Reflektor und Filterschaltung
US7275292B2 (en) 2003-03-07 2007-10-02 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate
DE10319554B4 (de) 2003-04-30 2018-05-09 Snaptrack, Inc. Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit gekoppelten Resonatoren
JP4657660B2 (ja) * 2003-09-12 2011-03-23 パナソニック株式会社 薄膜バルク音響共振器、その製造方法、フィルタ、複合電子部品および通信機器
EP1517443B1 (en) * 2003-09-12 2011-06-29 Panasonic Corporation Thin film bulk acoustic resonator, method for producing the same, filter, composite electronic component device, and communication device
WO2005034345A1 (en) 2003-10-06 2005-04-14 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Resonator structure and method of producing it
US7358831B2 (en) 2003-10-30 2008-04-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with simplified packaging
US7019605B2 (en) 2003-10-30 2006-03-28 Larson Iii John D Stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwidth
US7362198B2 (en) * 2003-10-30 2008-04-22 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd Pass bandwidth control in decoupled stacked bulk acoustic resonator devices
EP1528677B1 (en) 2003-10-30 2006-05-10 Agilent Technologies, Inc. Film acoustically-coupled transformer with two reverse c-axis piezoelectric elements
US6946928B2 (en) * 2003-10-30 2005-09-20 Agilent Technologies, Inc. Thin-film acoustically-coupled transformer
US7372346B2 (en) * 2003-12-24 2008-05-13 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Acoustic resonator
TWI228869B (en) * 2003-12-30 2005-03-01 Ind Tech Res Inst Noise reduction method of filter
JP4280198B2 (ja) 2004-04-30 2009-06-17 株式会社東芝 薄膜圧電共振器
US7161448B2 (en) * 2004-06-14 2007-01-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancements using recessed region
US7615833B2 (en) 2004-07-13 2009-11-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator package and method of fabricating same
TWI365603B (en) * 2004-10-01 2012-06-01 Avago Technologies Wireless Ip A thin film bulk acoustic resonator with a mass loaded perimeter
US7280007B2 (en) 2004-11-15 2007-10-09 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Thin film bulk acoustic resonator with a mass loaded perimeter
US7388454B2 (en) * 2004-10-01 2008-06-17 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure
JP4535841B2 (ja) 2004-10-28 2010-09-01 富士通メディアデバイス株式会社 圧電薄膜共振子及びこれを用いたフィルタ
US7098758B2 (en) 2004-11-03 2006-08-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically coupled thin-film resonators having an electrode with a tapered edge
US8981876B2 (en) 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
DE102004059965A1 (de) 2004-12-13 2006-06-14 Epcos Ag Dünnschichtresonator und Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements
US7202560B2 (en) 2004-12-15 2007-04-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry
US7791434B2 (en) 2004-12-22 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric
JP4442689B2 (ja) * 2005-02-21 2010-03-31 株式会社村田製作所 圧電薄膜共振子
US7427819B2 (en) 2005-03-04 2008-09-23 Avago Wireless Ip Pte Ltd Film-bulk acoustic wave resonator with motion plate and method
US7369013B2 (en) 2005-04-06 2008-05-06 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region
US7436269B2 (en) 2005-04-18 2008-10-14 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically coupled resonators and method of making the same
WO2006129532A1 (ja) 2005-06-02 2006-12-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. 圧電共振子及び圧電薄膜フィルタ
KR100622398B1 (ko) * 2005-07-18 2006-09-12 삼성전자주식회사 필름 벌크 음향 공진기 및 그 제조 방법
JP4435049B2 (ja) * 2005-08-08 2010-03-17 株式会社東芝 薄膜圧電共振器及びその製造方法
US7868522B2 (en) 2005-09-09 2011-01-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Adjusted frequency temperature coefficient resonator
CN101278479B (zh) * 2005-09-30 2011-04-13 Nxp股份有限公司 薄膜体声波（baw）谐振器或相关改进
US7391286B2 (en) 2005-10-06 2008-06-24 Avago Wireless Ip Pte Ltd Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters
US7675390B2 (en) 2005-10-18 2010-03-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator
US7525398B2 (en) 2005-10-18 2009-04-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically communicating data signals across an electrical isolation barrier
US7425787B2 (en) 2005-10-18 2008-09-16 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single insulated decoupled stacked bulk acoustic resonator with acoustically-resonant electrical insulator
US7423503B2 (en) 2005-10-18 2008-09-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating film acoustically-coupled transformer
US7737807B2 (en) 2005-10-18 2010-06-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators
US7463499B2 (en) 2005-10-31 2008-12-09 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. AC-DC power converter
KR100904621B1 (ko) * 2005-11-04 2009-06-25 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 압전 박막 공진자
US7561009B2 (en) 2005-11-30 2009-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation
DE102005057762A1 (de) 2005-12-02 2007-06-06 Epcos Ag Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator
DE102005061344A1 (de) 2005-12-21 2007-06-28 Epcos Ag Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator
US7612636B2 (en) 2006-01-30 2009-11-03 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Impedance transforming bulk acoustic wave baluns
JP4963193B2 (ja) * 2006-03-07 2012-06-27 日本碍子株式会社 圧電薄膜デバイス
JP4877966B2 (ja) 2006-03-08 2012-02-15 日本碍子株式会社 圧電薄膜デバイス
US7746677B2 (en) 2006-03-09 2010-06-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. AC-DC converter circuit and power supply
US7479685B2 (en) 2006-03-10 2009-01-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path
EP2003775A4 (en) * 2006-04-05 2011-04-27 Murata Manufacturing Co PIEZOELECTRIC RESONATOR AND PIEZOELECTRIC FILTER
US7980599B2 (en) * 2006-05-05 2011-07-19 Weems Industries, Inc. Identification system for pneumatic couplers
DE102006023165B4 (de) * 2006-05-17 2008-02-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines akustischen Spiegels aus alternierend angeordneten Schichten hoher und niedriger akustischer Impedanz
US7629865B2 (en) 2006-05-31 2009-12-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters
JP5027534B2 (ja) * 2006-07-07 2012-09-19 日本碍子株式会社 圧電薄膜デバイス
DE102006035874B3 (de) * 2006-08-01 2008-02-07 Epcos Ag Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Filter
KR101238360B1 (ko) * 2006-08-16 2013-03-04 삼성전자주식회사 공진기 및 그 제조 방법
US7893793B2 (en) 2006-08-25 2011-02-22 Panasonic Corporation Film bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same
US7508286B2 (en) 2006-09-28 2009-03-24 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. HBAR oscillator and method of manufacture
DE102006047698B4 (de) * 2006-10-09 2009-04-09 Epcos Ag Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator
US7557677B1 (en) * 2006-12-20 2009-07-07 Hrl Laboratories, Llc Cascaded monolithic crystal filter with high out-of-band rejection
JP2008172494A (ja) * 2007-01-11 2008-07-24 Fujitsu Media Device Kk 圧電薄膜共振器、弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法。
US20100109809A1 (en) * 2007-01-17 2010-05-06 Kensuke Tanaka Thin film piezoelectric resonator and thin film piezoelectric filter
JP2008182543A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Ube Ind Ltd 薄膜圧電共振器とそれを用いた薄膜圧電フィルタ
JP5013227B2 (ja) * 2007-04-11 2012-08-29 株式会社村田製作所 圧電薄膜フィルタ
WO2009011022A1 (ja) 2007-07-13 2009-01-22 Fujitsu Limited 圧電薄膜共振素子及びこれを用いた回路部品
JPWO2009013938A1 (ja) * 2007-07-20 2010-09-30 株式会社村田製作所 圧電共振子及び圧電フィルタ装置
WO2009023098A2 (en) * 2007-08-14 2009-02-19 Skyworks Solutions, Inc. Bulk acoustic wave structure with aluminum copper nitride piezoelectric layer and related method
US8035277B2 (en) * 2007-08-14 2011-10-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte.Ltd. Method for forming a multi-layer electrode underlying a piezoelectric layer and related structure
CN101796726B (zh) * 2007-08-24 2014-04-02 太阳诱电株式会社 压电薄膜谐振器、使用该压电薄膜谐振器的滤波器、使用该滤波器的双工器、以及使用该滤波器或该双工器的通信设备
US7791435B2 (en) 2007-09-28 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single stack coupled resonators having differential output
KR20100074200A (ko) * 2007-10-18 2010-07-01 아바고 테크놀로지스 와이어리스 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드 측벽 형성 방법, ｂａｗ 구조 형성 방법 및 ｂａｗ 구조체
JP4730383B2 (ja) * 2008-01-21 2011-07-20 宇部興産株式会社 薄膜音響共振器及びその製造方法
JP5563739B2 (ja) 2008-02-20 2014-07-30 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器、フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置
US7795781B2 (en) * 2008-04-24 2010-09-14 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator with reduced energy loss
US7602102B1 (en) 2008-04-24 2009-10-13 Skyworks Solutions, Inc. Bulk acoustic wave resonator with controlled thickness region having controlled electromechanical coupling
US8487719B2 (en) 2008-04-29 2013-07-16 Triquint Semiconductor, Inc. Bulk acoustic wave resonator
US7855618B2 (en) 2008-04-30 2010-12-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers
US7732977B2 (en) 2008-04-30 2010-06-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers
JP5207902B2 (ja) * 2008-09-29 2013-06-12 京セラ株式会社 バルク音響波共振子および電子部品
IT1392576B1 (it) * 2008-12-30 2012-03-09 St Microelectronics Rousset Dispositivo di rilevamento elettronico di materiali biologici e relativo processo di fabbricazione
US8030823B2 (en) 2009-01-26 2011-10-04 Resonance Semiconductor Corporation Protected resonator
US9735338B2 (en) 2009-01-26 2017-08-15 Cymatics Laboratories Corp. Protected resonator
JP2010192721A (ja) * 2009-02-19 2010-09-02 Fujifilm Corp 圧電素子とその製造方法、及び液体吐出装置
CN102301590B (zh) 2009-02-20 2014-07-02 宇部兴产株式会社 薄膜压电谐振器以及使用它的薄膜压电滤波器
US8248185B2 (en) 2009-06-24 2012-08-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure comprising a bridge
US8902023B2 (en) 2009-06-24 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
JP2011041136A (ja) 2009-08-17 2011-02-24 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイスおよびその製造方法
US8456257B1 (en) 2009-11-12 2013-06-04 Triquint Semiconductor, Inc. Bulk acoustic wave devices and method for spurious mode suppression
US20110121916A1 (en) * 2009-11-24 2011-05-26 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Hybrid bulk acoustic wave resonator
US8193877B2 (en) 2009-11-30 2012-06-05 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer with negative phase shifting circuit
US8796904B2 (en) 2011-10-31 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer
US9243316B2 (en) 2010-01-22 2016-01-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation
US9608589B2 (en) 2010-10-26 2017-03-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of forming acoustic resonator using intervening seed layer
JP5229308B2 (ja) * 2010-12-07 2013-07-03 株式会社村田製作所 圧電デバイス及びその製造方法
US8791776B2 (en) * 2011-01-19 2014-07-29 Wei Pang Acoustic wave resonator having a gasket
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9148117B2 (en) 2011-02-28 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements
US9425764B2 (en) 2012-10-25 2016-08-23 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features
US9203374B2 (en) 2011-02-28 2015-12-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator comprising a bridge
US9083302B2 (en) 2011-02-28 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator
US9048812B2 (en) 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
US9136818B2 (en) 2011-02-28 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked acoustic resonator comprising a bridge
US9154112B2 (en) 2011-02-28 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge
US9525397B2 (en) * 2011-03-29 2016-12-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising acoustic reflector, frame and collar
US9444426B2 (en) 2012-10-25 2016-09-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature
US8575820B2 (en) * 2011-03-29 2013-11-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator
US8872604B2 (en) * 2011-05-05 2014-10-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Double film bulk acoustic resonators with electrode layer and piezo-electric layer thicknesses providing improved quality factor
JP2012244616A (ja) 2011-05-24 2012-12-10 Taiyo Yuden Co Ltd 圧電薄膜共振子、フィルタおよびモジュール
US8330325B1 (en) * 2011-06-16 2012-12-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer
US8350445B1 (en) 2011-06-16 2013-01-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge
US8816567B2 (en) 2011-07-19 2014-08-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Piezoelectric laterally vibrating resonator structure geometries for spurious frequency suppression
CN102223142B (zh) * 2011-08-13 2019-09-10 张�浩 声波谐振器
US8922302B2 (en) 2011-08-24 2014-12-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator formed on a pedestal
CN103929148B (zh) * 2013-01-11 2017-09-19 中兴通讯股份有限公司 一种低插损压电声波带通滤波器及实现方法
US9450565B2 (en) 2013-03-12 2016-09-20 Qorvo Us, Inc. Border ring mode suppression in solidly-mounted bulk acoustic wave resonator
US20140292152A1 (en) * 2013-04-01 2014-10-02 Cymatics Laboratories Corp. Temperature compensating electrodes
JP5591977B2 (ja) * 2013-04-30 2014-09-17 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器、フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置
US9537465B1 (en) 2014-06-06 2017-01-03 Akoustis, Inc. Acoustic resonator device with single crystal piezo material and capacitor on a bulk substrate
US9673384B2 (en) 2014-06-06 2017-06-06 Akoustis, Inc. Resonance circuit with a single crystal capacitor dielectric material
US9571061B2 (en) 2014-06-06 2017-02-14 Akoustis, Inc. Integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices
US9912314B2 (en) 2014-07-25 2018-03-06 Akoustics, Inc. Single crystal acoustic resonator and bulk acoustic wave filter
US9805966B2 (en) 2014-07-25 2017-10-31 Akoustis, Inc. Wafer scale packaging
US9716581B2 (en) 2014-07-31 2017-07-25 Akoustis, Inc. Mobile communication device configured with a single crystal piezo resonator structure
US9917568B2 (en) 2014-08-26 2018-03-13 Akoustis, Inc. Membrane substrate structure for single crystal acoustic resonator device
KR101973422B1 (ko) 2014-12-05 2019-04-29 삼성전기주식회사 벌크 탄성파 공진기
US9985194B1 (en) 2015-05-13 2018-05-29 Qorvo Us, Inc. Spurious mode suppression in bulk acoustic wave resonator
JP6441761B2 (ja) 2015-07-29 2018-12-19 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器及びフィルタ
US10771032B2 (en) 2015-08-07 2020-09-08 Piezo Studio Inc. Method for manufacturing piezoelectric thin-film element
JP6469601B2 (ja) 2016-02-05 2019-02-13 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ
DE102016103959A1 (de) 2016-03-04 2017-09-07 Snaptrack, Inc. BAW-Resonator mit reduzierten Störmoden, BAW-Filter und Verfahren zum Herstellen
US10110189B2 (en) 2016-11-02 2018-10-23 Akoustis, Inc. Structure and method of manufacture for acoustic resonator or filter devices using improved fabrication conditions and perimeter structure modifications
US10217930B1 (en) 2016-03-11 2019-02-26 Akoustis, Inc. Method of manufacture for single crystal acoustic resonator devices using micro-vias
US10979022B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.2 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US10985732B2 (en) 2016-03-11 2021-04-20 Akoustis, Inc. 5.6 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US11424728B2 (en) 2016-03-11 2022-08-23 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US11184079B2 (en) 2016-03-11 2021-11-23 Akoustis, Inc. Front end module for 5.5 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US11451213B2 (en) 2016-03-11 2022-09-20 Akoustis, Inc. 5G n79 Wi-Fi acoustic triplexer circuit
US10979025B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5G band n79 acoustic wave resonator RF filter circuit
US10979023B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.9 GHz c-V2X and DSRC acoustic wave resonator RF filter circuit
US11411169B2 (en) 2017-10-16 2022-08-09 Akoustis, Inc. Methods of forming group III piezoelectric thin films via removal of portions of first sputtered material
US11677372B2 (en) 2016-03-11 2023-06-13 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator with dielectric protective layer manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US11683021B2 (en) 2016-03-11 2023-06-20 Akoustis, Inc. 4.5G 3.55-3.7 GHz band bulk acoustic wave resonator RF filter circuit
US10581398B2 (en) 2016-03-11 2020-03-03 Akoustis, Inc. Method of manufacture for single crystal acoustic resonator devices using micro-vias
US11736177B2 (en) 2016-03-11 2023-08-22 Akoustis Inc. Front end modules for 5.6 GHz and 6.6 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuits
US11316496B2 (en) 2016-03-11 2022-04-26 Akoustis, Inc. Method and structure for high performance resonance circuit with single crystal piezoelectric capacitor dielectric material
US11356071B2 (en) 2016-03-11 2022-06-07 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator with improved TCF manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US10615773B2 (en) 2017-09-11 2020-04-07 Akoustis, Inc. Wireless communication infrastructure system configured with a single crystal piezo resonator and filter structure
US11418169B2 (en) 2016-03-11 2022-08-16 Akoustis, Inc. 5G n41 2.6 GHz band acoustic wave resonator RF filter circuit
US11581866B2 (en) 2016-03-11 2023-02-14 Akoustis, Inc. RF acoustic wave resonators integrated with high electron mobility transistors including a shared piezoelectric/buffer layer and methods of forming the same
US11070184B2 (en) 2016-03-11 2021-07-20 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US11394451B2 (en) 2016-03-11 2022-07-19 Akoustis, Inc. Front end module for 6.1 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US20210257993A1 (en) 2016-03-11 2021-08-19 Akoustis, Inc. Acoustic wave resonator rf filter circuit device
US10523180B2 (en) 2016-03-11 2019-12-31 Akoustis, Inc. Method and structure for single crystal acoustic resonator devices using thermal recrystallization
US11476825B2 (en) 2016-03-11 2022-10-18 Akoustis, Inc. 5.5 GHz Wi-Fi coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
US10673513B2 (en) 2016-03-11 2020-06-02 Akoustis, Inc. Front end module for 5.2 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US10979026B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.5 GHz Wi-fi 5G coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
US10355659B2 (en) 2016-03-11 2019-07-16 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US11558023B2 (en) 2016-03-11 2023-01-17 Akoustis, Inc. Method for fabricating an acoustic resonator device
US11063576B2 (en) 2016-03-11 2021-07-13 Akoustis, Inc. Front end module for 5.6 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US11689186B2 (en) 2016-03-11 2023-06-27 Akoustis, Inc. 5.5 GHz Wi-Fi 5G coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
US11832521B2 (en) 2017-10-16 2023-11-28 Akoustis, Inc. Methods of forming group III-nitride single crystal piezoelectric thin films using ordered deposition and stress neutral template layers
US11411168B2 (en) 2017-10-16 2022-08-09 Akoustis, Inc. Methods of forming group III piezoelectric thin films via sputtering
US11177868B2 (en) 2016-03-11 2021-11-16 Akoustis, Inc. Front end module for 6.5 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US10979024B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.2 GHz Wi-Fi coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
KR102642910B1 (ko) 2016-05-18 2024-03-04 삼성전기주식회사 음향 공진기 및 그 제조 방법
DE102016111061B4 (de) 2016-06-16 2018-06-28 Snaptrack, Inc. Akustischer Volumenwellenresonator mit reduzierten Verlusten, HF-Filter mit solchen Resonatoren und Verfahren zur Herstellung solcher Resonatoren
KR102703814B1 (ko) * 2016-07-07 2024-09-04 삼성전기주식회사 음향 공진기 및 그 제조 방법
JP7036487B2 (ja) 2016-07-07 2022-03-15 サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． 弾性波フィルタ装置及びその製造方法
US10720900B2 (en) 2016-07-07 2020-07-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Acoustic resonator and method
US11895920B2 (en) 2016-08-15 2024-02-06 Akoustis, Inc. Methods of forming group III piezoelectric thin films via removal of portions of first sputtered material
US10431580B1 (en) 2017-01-12 2019-10-01 Akoustis, Inc. Monolithic single chip integrated radio frequency front end module configured with single crystal acoustic filter devices
US11228299B2 (en) 2017-02-02 2022-01-18 Taiyo Yuden Co., Ltd. Piezoelectric thin film resonator with insertion film, filter, and multiplexer
US10873316B2 (en) 2017-03-02 2020-12-22 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Acoustic resonator and method of manufacturing the same
JP6903471B2 (ja) 2017-04-07 2021-07-14 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ
DE102017117870B3 (de) * 2017-08-07 2018-12-27 RF360 Europe GmbH BAW-Resonator mit reduzierten Störmoden und erhöhtem Gütefaktor
US10277194B2 (en) 2017-09-15 2019-04-30 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Acoustic MEMs resonator and filter with fractal electrode and method for producing the same
US11856858B2 (en) 2017-10-16 2023-12-26 Akoustis, Inc. Methods of forming doped crystalline piezoelectric thin films via MOCVD and related doped crystalline piezoelectric thin films
EP3723285A4 (en) 2018-01-19 2020-12-30 Wuhan Yanxi Micro Components Co., Ltd. VOLUME FILM ACOUSTIC RESONATOR
US11557716B2 (en) 2018-02-20 2023-01-17 Akoustis, Inc. Method and structure of single crystal electronic devices with enhanced strain interface regions by impurity introduction
US11233496B2 (en) 2018-02-21 2022-01-25 Vanguard International Semiconductor Singapore Pte. Ltd. Acoustic resonator and filter with electrode having zig-zag edge and method for producing the same
KR102097320B1 (ko) 2018-07-24 2020-04-06 삼성전기주식회사 탄성파 필터 장치
US11652469B2 (en) 2018-08-27 2023-05-16 Akoustis, Inc. High power bulk acoustic wave resonator filter devices
US10790801B2 (en) 2018-09-07 2020-09-29 Vtt Technical Research Centre Of Finland Ltd Loaded resonators for adjusting frequency response of acoustic wave resonators
US10630256B2 (en) 2018-09-07 2020-04-21 Vtt Technical Research Centre Of Finland Ltd Two-stage lateral bulk acoustic wave filter
US10756696B2 (en) 2018-09-10 2020-08-25 Vtt Technical Research Centre Of Finland Ltd Lateral bulk acoustic wave filter
US11082023B2 (en) * 2018-09-24 2021-08-03 Skyworks Global Pte. Ltd. Multi-layer raised frame in bulk acoustic wave device
JP7261568B2 (ja) * 2018-11-28 2023-04-20 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ
US11469735B2 (en) * 2018-11-28 2022-10-11 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device, filter, and multiplexer
JP7456734B2 (ja) * 2019-06-17 2024-03-27 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ
US11264970B2 (en) * 2019-03-02 2022-03-01 Texas Instruments Incorporated Piezoelectric resonator with patterned resonant confiners
CN111010119B (zh) * 2019-08-15 2024-01-26 天津大学 带复合环形结构的谐振器、滤波器及电子设备
US11088670B2 (en) 2019-09-11 2021-08-10 Vtt Technical Research Centre Of Finland Ltd Loaded series resonators for adjusting frequency response of acoustic wave resonators
US11223341B2 (en) 2019-10-22 2022-01-11 Vtt Technical Research Centre Of Finland Ltd Suppressing parasitic sidebands in lateral bulk acoustic wave resonators
CN110995199B (zh) * 2019-12-17 2022-02-01 武汉大学 双工器
US11618968B2 (en) 2020-02-07 2023-04-04 Akoustis, Inc. Apparatus including horizontal flow reactor with a central injector column having separate conduits for low-vapor pressure metalorganic precursors and other precursors for formation of piezoelectric layers on wafers
US12102010B2 (en) 2020-03-05 2024-09-24 Akoustis, Inc. Methods of forming films including scandium at low temperatures using chemical vapor deposition to provide piezoelectric resonator devices and/or high electron mobility transistor devices
CN111600566B (zh) * 2020-04-21 2021-06-01 诺思(天津)微系统有限责任公司 滤波器、体声波谐振器组件及其制造方法、电子设备
US12206388B2 (en) 2020-04-22 2025-01-21 The Regents Of The University Of Michigan Bulk acoustic wave resonators employing materials with piezoelectric and negative piezoelectric coefficients
CN111641399A (zh) * 2020-06-01 2020-09-08 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种设置有SiO2钝化层的RF滤波器
US11496108B2 (en) 2020-08-17 2022-11-08 Akoustis, Inc. RF BAW resonator filter architecture for 6.5GHz Wi-Fi 6E coexistence and other ultra-wideband applications
DE102021209875A1 (de) 2020-09-18 2022-03-24 Skyworks Global Pte. Ltd. Akustische volumenwellenvorrichtung mit erhöhter rahmenstruktur
KR102609139B1 (ko) 2020-10-13 2023-12-05 삼성전기주식회사 체적 음향 공진기
CN114584072A (zh) * 2020-11-30 2022-06-03 华为技术有限公司 一种时钟振荡器及其制备方法
US11901880B2 (en) 2021-01-18 2024-02-13 Akoustis, Inc. 5 and 6 GHz Wi-Fi coexistence acoustic wave resonator RF diplexer circuit
US12255637B2 (en) 2021-01-18 2025-03-18 Akoustis, Inc. 5.1-7.1GHz Wi-Fi6E coexistence acoustic wave resonator RF diplexer circuit
TWI776661B (zh) * 2021-08-31 2022-09-01 國立陽明交通大學 晶體振盪器及其製作方法
JP7662899B2 (ja) 2021-10-15 2025-04-15 ウーハン イエンシー マイクロ コンポーネンツ カンパニーリミテッド バルク弾性波共振構造およびその製造方法、弾性波デバイス

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0092427B1 (en) * 1982-04-20 1989-04-05 Fujitsu Limited Piezoelectric resonator chip and a method for adjusting its resonant frequency
JPS5967712A (ja) * 1982-10-08 1984-04-17 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子
EP0220320B1 (en) 1985-04-11 1996-08-28 Toyo Communication Equipment Co.,Ltd. Piezo-electric resonator for generating overtones
US4924131A (en) * 1987-10-14 1990-05-08 Fujikura Ltd. Piezo-electric acceleration sensor
US4783821A (en) * 1987-11-25 1988-11-08 The Regents Of The University Of California IC processed piezoelectric microphone
US5373268A (en) 1993-02-01 1994-12-13 Motorola, Inc. Thin film resonator having stacked acoustic reflecting impedance matching layers and method
US5596239A (en) * 1995-06-29 1997-01-21 Motorola, Inc. Enhanced quality factor resonator
JPH09181560A (ja) * 1995-12-22 1997-07-11 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子
US5714917A (en) 1996-10-02 1998-02-03 Nokia Mobile Phones Limited Device incorporating a tunable thin film bulk acoustic resonator for performing amplitude and phase modulation
WO1998038736A1 (fr) * 1997-02-26 1998-09-03 Toyo Communication Equipment Co., Ltd. Vibrateur piezoelectrique et son procede de fabrication
US5910756A (en) * 1997-05-21 1999-06-08 Nokia Mobile Phones Limited Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators
JP4326151B2 (ja) * 1998-05-08 2009-09-02 アバゴ・テクノロジーズ・ワイヤレス・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 薄膜圧電振動子
FI108583B (fi) 1998-06-02 2002-02-15 Nokia Corp Resonaattorirakenteita
JP3303777B2 (ja) * 1998-06-02 2002-07-22 株式会社村田製作所 圧電共振子
FI106894B (fi) 1998-06-02 2001-04-30 Nokia Mobile Phones Ltd Resonaattorirakenteita
US6150703A (en) * 1998-06-29 2000-11-21 Trw Inc. Lateral mode suppression in semiconductor bulk acoustic resonator (SBAR) devices using tapered electrodes, and electrodes edge damping materials
US6486751B1 (en) * 2000-09-26 2002-11-26 Agere Systems Inc. Increased bandwidth thin film resonator having a columnar structure
US6476536B1 (en) * 2001-04-27 2002-11-05 Nokia Corporation Method of tuning BAW resonators

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003505906A (ja) 2003-02-12
JP3740061B2 (ja) 2006-01-25
AU6284400A (en) 2001-02-05
EP1196990B1 (en) 2014-09-10
DE60042486D1 (de) 2009-08-13
US6788170B1 (en) 2004-09-07
CN1183669C (zh) 2005-01-05
CN1201486C (zh) 2005-05-11
EP1196989A1 (en) 2002-04-17
JP3735777B2 (ja) 2006-01-18
EP2782250A1 (en) 2014-09-24
EP1196990A1 (en) 2002-04-17
CN1364339A (zh) 2002-08-14
AU5687800A (en) 2001-02-05
CN1361939A (zh) 2002-07-31
US6812619B1 (en) 2004-11-02
JP2003505905A (ja) 2003-02-12
WO2001006647A1 (en) 2001-01-25
FI991619L (fi) 2001-01-20
WO2001006646A1 (en) 2001-01-25
EP1196989B1 (en) 2009-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI107660B (fi) Resonaattorirakenne
KR102642910B1 (ko) 음향 공진기 및 그 제조 방법
US6741145B2 (en) Filter structure and arrangement comprising piezoelectric resonators
KR101945723B1 (ko) 박막 벌크 음향 공진기 및 박막 벌크 음향 공진기의 제조방법
US7492241B2 (en) Contour-mode piezoelectric micromechanical resonators
US9154111B2 (en) Double bulk acoustic resonator comprising aluminum scandium nitride
KR101843244B1 (ko) 음향 공진기 및 그 제조 방법
EP1191688A2 (en) Increased bandwidth thin film resonator having a columnar structure
KR101867285B1 (ko) 음향 공진기 및 필터
US20120293278A1 (en) Stacked bulk acoustic resonator comprising distributed bragg reflector
JP2004120219A (ja) 圧電共振子、圧電フィルタ、通信装置
FI107661B (fi) Menetelmä balansoidun suotimen keskitaajuuden säätämiseksi ja joukko balansoituja suotimia
US7253705B2 (en) Air-gap type thin-film bulk acoustic resonator and fabrication method therefor
Lakin et al. Bulk acoustic wave resonators and filters for applications above 2 GHz
CN112087216B (zh) 具有声学孔的体声波谐振器及组件、滤波器及电子设备
KR20050044293A (ko) 압전공진기, 압전공진기의 제조방법, 및 압전공진기를사용하는 필터, 듀플렉서, 및 통신장치
CN115940878A (zh) 体声波谐振器滤波器和体声波谐振器封装件
US11611328B2 (en) Fin bulk acoustic resonator technology for UHF and SHF signal processing
CN118868847A (zh) 体声波谐振器
CN117526894A (zh) 一种薄膜体声波谐振器及其制作方法和电子设备
KR20180063010A (ko) 음향 공진기 및 필터
KR20180048238A (ko) 필터

Legal Events

Date Code Title Description
PC Transfer of assignment of patent

Owner name: AVAGO WIRELESS IP (SINGAPORE) PRIVATE LIMITED

Free format text: AVAGO WIRELESS IP (SINGAPORE) PRIVATE LIMITED

MM Patent lapsed