DE3040493C2 - Verfahren zum lötflußmittelfreien Anlöten einer Glasfläche an eine Metallfläche - Google Patents
Verfahren zum lötflußmittelfreien Anlöten einer Glasfläche an eine MetallflächeInfo
- Publication number
- DE3040493C2 DE3040493C2 DE19803040493 DE3040493A DE3040493C2 DE 3040493 C2 DE3040493 C2 DE 3040493C2 DE 19803040493 DE19803040493 DE 19803040493 DE 3040493 A DE3040493 A DE 3040493A DE 3040493 C2 DE3040493 C2 DE 3040493C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- nickel
- glass
- thin
- soldering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 23
- 238000005476 soldering Methods 0.000 title claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 230000004907 flux Effects 0.000 title description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 21
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 17
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 14
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 5
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 7
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
- C03C27/04—Joining glass to metal by means of an interlayer
- C03C27/042—Joining glass to metal by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, glass-ceramic or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts
- C03C27/046—Joining glass to metal by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, glass-ceramic or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts of metals, metal oxides or metal salts only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum lötflußmittelfreien Anlöten einer Glasfläche an eine
Metallfläche mittels eines Lötmittels, wobei die Glasfläche und die Metallfläche jeweils zunächst mit
einer dünnen Chromschicht überzogen werden, auf die eine lötbare Schicht aufgebracht wird, welche mit dem
Lötmittel verbunden wird. bO
In elektronischen Druck-Meßwertumformern, bei denen druckempfindliche Silicium-Chips verwendet
werden, besteht ein Problem darin, den jeweiligen Silicium-Chip an einem korrosionsbeständigen Metallgehäuse,
wie an einem Gehäuse aus rostfreiem Stahl, hi anzubringen. Der betreffende Silicium-Chip und das
Gehäuse aus rostfreiem Stahl des Meßwertumformers weisen verschiedene Wärmeausdehnungskoeffizienten
auf, was zu einem Wärmebruch und zum Reißen des Druckfühler-Silicium-Chips führen kann, wenn eine
direkte Verbindung mit dem Gehäuse aus dem rostfreien Stahl erfolgt und wenn im Betriebstemperaturbereich
des Meßwertumformers gearbeitet wird (-40°Cbis+121°C).
Bei den bisher bekannten Verbindungsverfahren wurde ein Halter aus einer Nickel-Eisen-Legierung
zunächst direkt an dem aus dem korrosionsbeständigen Metall bestehenden Gehäuse des Druck-Meßwandlers
bei einer Temperaturart angelötet, die die maximal zulässigen Temperaturen des jeweils zu verwendenden
Silicium-Chips oder irgendeines Glas-Chip-Halters überstiegen haben. Der Nickel-Eisen-Halter ist sowohl
mit dem Gehäuse aus rostfreiem Stahl als auch mit dem Glas-Halter kompatibel, und zwar im Hinblick darauf,
daß er ein Material enthält, welches den Zwischen-Wärmeausdehnungskoeffizienten
aufweist, der zwischen dem des jeweiligen Silicium-Chips und dem des Gehäuses aus rostfreiem Stahl liegt. Nachdem eine feste
Verbindung zwischen dem Gehäuse aus rostfreiem Stahl und dem Nickel-Eisen-Halter erzielt war, wurde
sodann der Glas-Halter mit dem daran befestigten Silicium-Chip an dem Nickel-Eisen-Halter bei einer
Temperatur (2210C) angelötet, die unterhalb der
maximal zulässigen Temperatur des Glas-Halters und des Silicium-Chips liegt, wobei ein eutektisches Reinigungs-Lötmittel
mit einem eutektischen Punkt bei etwa 221°C verwendet wurde. Um durch dieses Lötverfahren
eine gute Abdichtung zu erzielen, hat es sich als wünschenswert herausgestellt, die Verbindungsfläche
des Glashalters zuerst mit Chrom- und Goldschichten zu metallisieren und außerdem eine Chrom- und
Goldschicht auf der Verbindungsoberfläche des Nickel-Eisen-Halters aufzubringen.
Das Chrom ist sowohl mit dem Glas als auch mit der Metalloberfläche kompatibel; es bildet eine gute
Verbindung mit diesen Materialien. Das mit der Chromoberfläche verknüpfte Problem besteht jedoch
darin, daß das Chrom durch das Lötmittel nicht gleichmäßig benetzt wird; vielmehr neigt das Lötmittel
dazu, sich auf der Chromoberfläche gewissermaßen zusammenzuballen und intermittierend Berührungspunkte
zu bilden, an denen eine Lötverbindung hergestellt wird. Demgemäß ist eine sehr schlechte
Verbindung möglich. Die das Chrom überziehende Goldschicht zeigt zwar eine Vo'vemetzung, neigt
jedoch zur Auflösung und zur Bildung von intermetallischen Verbindungen mit dem Zinn im Lötmittel.
Dadurch wird der Zusammenhalt der Verbindung wieder verschlechtert. In gewissen Fällen, in denen die
Goldschicht dünn ist, neigt das Gold zur vollständigen Auflösung, wodurch die Chromschicht unbedeckt
zurückbleibt, an der eine Schicht-Anlötung nahezu unmöglich ist, und zwar aufgrund der schlechten
Benetzung des Chroms.
Generell können Lötverbindungen zwar durch Verwendung von Flußmitteln verbessert werden.
Aufgrund der Empfindlichkeit der zu verwendenden Silicium-Chip-Fühler würde jedoch die Verwendung
solcher Flußmittel Reststoffe zurücklassen, welche die Betriebsempfindlichkeit der betreffenden Fühler verschlechtern
und beeinträchtigen wurden.
Es ist nun zwar auch schon bekannt (DE-OS 27 05 568), auf miteinander zu verlötenden Flächen von
Substraten aus Glas. Keramik. Kunststoff oder dergleichen eine Reihe von Schichten aufzubringen, und zwar
zunächst einen sogenannten Haftvermittler aus /. B.
Chrom und eine diesem Haftvermittler überlagerte Schicht aus einem lötfähigen Metall, beispielsweise aus
Kupfer, welche von einer Lötschicht überzogen ist. Hierdurch werden jedoch nicht die Schwierigkeiten
beseitigt, die oben aufgezeigt worden sind.
Es ist ferner eine Vorrichtung bekannt (US-PS 32 05 855), die zur Herstellung von elektrischen
Bauelementen dient und bei der dünne Filmschichten auf Substraten beispielsweise aus Glas abgelagert
werden. In diesem Zusammenhang ist es zwar auch bereits bekannt, daß Chrom gut an Glas haftet und daß
andere Metalle, wie Kupfer, Gold und Silber leicht lötbar sind, jedoch nicht so gut an Glas haften. Über
irgendwelche Maßnahmen im Hinblick auf das Anlöten einer Glasfläche an eine Metallfläche ist in diesem
Zusammenhang jedoch nichts bekannt
Es ist schließlich auch schon bekannt (Zeitschrift »Glas-Email-Keramo-Technik«, (1968), 162-167), auf
eine mit einer Kupferfläche zu verbindende Glasfläche zunächst eine Nickelschicht aufzubringen. Es hat sich
jedoch gezeigt, daß diese Maßnahme allein nicht genügt, um eine Glasfläche an eine Metallfläche sicher anlöten
zu können.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Weg zu zeigen, wie auf relativ einfache Weise ein
lötflußmittelfreies Anlöten einer Glasfläche an eine Metallfläche mittels eines Lötmittels erfolgen kann.
Gelöst wird die vorstehend aufgezeigte Aufgabe ausgehend von einem Verfahren der eingangs genannten
Art erfindungsgemäß dadurch, daß als lötbare w Schicht auf die Oberfläche der die Glasfläche überziehenden
Chromschicht eine von dem Lötmittel benetzbare dünne Nickelschicht aufgebracht wird, daß die
Oberfläche der dünnen Nickelschicht mit einer das Aussetzen der Nickelschicht gegenüber der Atmosphä- s>
re und damit eine Oxidation verhindernden dünnen Schicht aus einem nicht-oxidierenden Material überzogen
wird, daß auf die die Metallfläche überziehende dünne Chromschicht eine eine leichte Benetzung
hervorrufende lötbare oxidfreie Schicht aufgebracht ■"'
wird, daß die eine leichte Benetzung hervorrufende lötbare Schicht der Metallfläche mit einem nicht-oxidierenden
Material überzogen wird und daß die mit den verschiedenen Schichten überzogene Glasfläche mittels
des Lötmittels an der mit den verschiedenen Schichten ->>
überzogenen Metallfläche angelötet wird.
Die Erfindung bringt den Vorteil mit sich, daß insgesamt auf relativ einfache Weise e;n sicheres
lötflußmittelfreies Anlöten einer Glasfläche an einer Metallfläche mittels eines Lötmittels erreicht ist. 'l0
Zweckmäßige Weiterbildungen des Verfahrens gemäß der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Anhand einer Zeichnung wird die Erfindung nachstehend an einem bevorzugten Ausführungsbeispiel näher '"'
erläutert.
Die Figur zeigt in einer auseinandergezogenen Darstellung die Halteranordnung eines druckempfindlichen
Silicium-Chips.
Wie aus der Figur ersichtlich ist, enthält die b0
Halteranordnung 14 einen rohrförmigen Halter 30 aus Borsilikatglas. Bezüglich dieses Materials hat sich
herausgestellt, daß es einen Temperaturausdehnungskoeffizienten
aufweist, der mit jenem des Silicium-Chips 20 im normalen Betriebsteniperaturbereich der meisten "'"'
elektronischen Druck-Meßwertumlormci ( — 40 C bis
+ 121'"C) kompatibel ist. Hm finde des rohrförmigen
Halters 30 ist dadurch abgedichtet, daß aiii diesem
Rohrende der Silicium-Chip 10 aufgebracht ist, und zwar durch Verwendung irgendeiner Anzahl bekannter
Klebstoffe und Bindemittel. Das gegenüberliegende Ende des rohrförmigen Halters 30 wird dann mit einem
metallischen Überzug versehen, um eine später zu bildende feste Verbindung mit einem 39—42% Nickel-Eisen-Halter
32 der Halteranordnung 14 zu ermöglichen, wie dies weiter unten noch näher beschrieben
wird.
Das Überziehen des aus Glas bestehenden rohrförmigen Halters 30 mit einem Metallüberzug umfaßt das
Niederschlagen einer dünnen Chromschicht 34 in einer Dicke zwischen 0,10 bis 0,15 μΐη durch Aufdampfen von
Chrom in einem Vakuum oder in einer Schutzgasatmosphäre auf das rohrförmige Teil 30. Das Teil 30 wird
derart abgedeckt, daß der Niederschlag lediglich an dem dem Fühler 10 gegenüberliegenden Ende des Teiles 30
auftritt Die Chromschicht wird dann mit einer dünnen Nickelschicht 35 in einer Dicke zwischen 0,12 bis
0,40 μπι überzogen, und zwar durch Aufdampfen von Nickel auf die Chromoberfläche. Ist dieser Vorgang
erfolgt, so folgt dem vorhergehenden Vorgang das Aufdampfen einer Goldschicht 36 in einer Dicke
zwischen 0,12 bis 0,40 μηι im Vakuum oder in einer
Schutzgasatmosphäre auf die Nickelschicht.
Um eine Kompatibilität der lötfähigen Oberflächen sowohl des Glashalters 30 als auch des Nickel-Eisen-Halters
32 zu erzielen, wird der Nickel-Eisen-Halter 32 außerdem zuerst mit einer dünnen Chromschicht 37
überzogen, der eine Nickelschicht 39 folgt, woraufhin schließlich eine Goldschicht 38 folgt. Die Aufbringung
der Schichten erfolgt durch Aufdampfen von Chrom, Nickel und Gold im Vakuum oder in einer Schutzgasatmosphäre
in denselben Dickenbereichen, die bezüglich des Glashalters 30 spezifiziert worden sind.
Obwohl Chrom verwendet wird, um gleiche Oberfläche zu bilden, kann Nickel als metallischer Überzug
direkt auf den Nickel-Eisen-Halter 32 aufgebracht werden, wodurch die Forderung nach der Chromschichi
37 beseitigt ist.
Um den metallisch überzogenen rohrförmigen Halter 30 wirksam mit dem Halter 32 zu verbinden, hat es sich
herausgestellt, daß ein eutektisches Reinigungslötmittel 40 mit etwa 96,5% Zinn und 3,5% Silber am
wirksamsten ist.
Das Verlöten der beiden metallisierten Oberflächen erfolgt ohne die Verwendung irgendeines Flußmittels,
da die Goldschichten 36 und 39 ihrerseits keiner Oxidation ausgesetzt sind, welche die Verwendung eines
Lötflußmittels erforderlich machen würde. Die Goldschichten 36 und 39 sind außerdem Schutzschichten,
welche die metallisierten Nickeloberflächen 35 und 39 daran hindern, der Atmosphäre ausgesetzt zu werden,
wodurch das Nickel oxydieren würde und wodurch die Verwendung eines Lötflußmittels in irgendeinem
nachfolgenden Lötvorgang erforderlich wäre. Die Notwendigkeit bezüglich der Nickelschichten 35 und 39
ergibt sich aus deren hoher Benetzbarkeit für das Lötmittel im Gegensatz zu der Chromschicht, die nicht
benetzt wird. Diese Eigenschaft von Nickel ermöglicht, die gesamte Verbindungsoberfläche ohne weiteres
durch das Lötmittel benetzen zu können, wodurch eine feste Verbindung erzielt wird. Dieser Aspekt der hohen
Benetzbarkeit von Nickel bringt den Vorteil mit sich, daß die unerwünschte Oxydation von Nickel dadurch
beseitigt ist, daß die schützenden Goldschichten 36 und 58 vorgesehen sind. Obwohl die Goldschichten 36 und
?8 sogar eine i."Jte BeneS/barkeit für das Lötmittel mit
sich bringen, neigt das Gold, wie bereits erwähnt, dazu, intermetallische Verbindungen mit dem Zinn in dem
eutektischen Lötmittel zu bilden, die die Integrität der hergestellten Lötverbindung verschlechtern. Die
Chromschicht 34 ist für den Glashalter 30 erforderlich, da die Nickelschicht 35 nicht direkt als metallischer
Überzug auf das Glas aufgebracht werden kann, während sie allerdings auf das Chrom als metallischer
Überzug aufgebracht werden kann. Wie weiter oben bereits ausgeführt, kann die Nickelschicht 39 als
metallischer Überzug direkt auf den Nickel-Eisen-Halter 32 aufgebracht werden.
Gemäß der Erfindung wird also ein druckempfindlicher Silicium-Chip indirekt an einem aus rostfreiem
Stahl bestehenden Gehäuse eines elektronischen Druck-Meßwertumsetzers durch eine Zwischen-Halteanordnung
befestigt. Diese indirekte Befestigung des Silicium-Chips verhindert das Auftreten eines Warmrisses
des Silicium-Chips infolge unterschiedlicher Wärmeausdehnung des aus rostfreiem Stahl bestehenden
Gehäuses und des Silicium-Chips. Die Zwischenhalteranordnung enthält ein Borsilikatglasrohr, an dem der
Silicium-Chip befestigt ist und das mittels eines eutektischen Legierungs-Lötmittels an einem Halter aus
einer Nickel-Eisen-Legierung angelötet ist. Das Anlöten des Glasrohres an dem Nickel-Eisen-Halter erfolgt
ohne die Verwendung eines Flußmittels aufgrund der Verwendung von auf beiden Teilen gebildeten Schichten
aus Chrom, Nickel und Gold.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Verfahren zum lötflußmittelfreien Anlöten einer Glasfläche (30) an eine Metallfläche (32) mittels
eines Lötmittels (40), wobei die Glasfläche (30) und die Metallfläche (32) jeweils zunächst mit einer
dünnen Chromschicht (34 bzw. 37) überzogen werden, auf die eine lötbare Schicht (35 bzw. 39)
aufgebracht wird, welche mit dem Lötmittel (40) verbunden wird, dadurch gekennzeichnet,
daß als lötbare Schicht auf die Oberfläche der die Glasfläche (30) überziehenden Chromschichi (34)
eine von dem Lötmittel (40) benetzbare dünne Nickelschicht (35) aufgebracht wird,
daß die Oberfläche der dünnen Nickelschicht (35) mit einer das Aussetzen der Nickelschicht (35)
gegenüber der Atmosphäre und damit e'ne Oxidation verhindernden dünnen Schicht (36) aus einem
nicht-oxidierenden Material überzogen wird,
daß auf die die Metallfläche (32) überziehende dünne Chromschicht (37) eine eine leichte Benetzung hervorrufende lötbare oxidfreie Schicht (39) aufgebracht wird,
daß auf die die Metallfläche (32) überziehende dünne Chromschicht (37) eine eine leichte Benetzung hervorrufende lötbare oxidfreie Schicht (39) aufgebracht wird,
daß die eine leichte Benetzung hervorrufende lötbare Schicht (39) der Metallfläche (32) mit einem
nicht-oxidierenden Material (38) überzogen wird
und daß die mit den verschiedenen Schichten (34,35, 36) überzogene Glasfläche (30) mittels des Lötmittels (40) an der mit den verschiedenen Schichten (37, 39, 38) überzogenen Metallfläche (32) angelötet wird.
und daß die mit den verschiedenen Schichten (34,35, 36) überzogene Glasfläche (30) mittels des Lötmittels (40) an der mit den verschiedenen Schichten (37, 39, 38) überzogenen Metallfläche (32) angelötet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Nickelschicht (35) mit Gold (36)
überzogen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die die Metallfläche (32) überziehende dünne Chromschicht (37) von einer
dünnen Nickelschicht (39) überzogen wird, auf die eine dünne Goldschicht (38) aufgebracht wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Löten mit einer
eutektischen Zinn-Silber-Legierung durchgeführt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Metallfläche (32)
eine Nickel-Eisen-Fläche verwendet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Glasfläche (30) die
Fläche eines Borsilikatglases verwendet wird.
50
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13767280A | 1980-04-04 | 1980-04-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3040493A1 DE3040493A1 (de) | 1981-10-08 |
| DE3040493C2 true DE3040493C2 (de) | 1984-04-12 |
Family
ID=22478549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19803040493 Expired DE3040493C2 (de) | 1980-04-04 | 1980-10-28 | Verfahren zum lötflußmittelfreien Anlöten einer Glasfläche an eine Metallfläche |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5849504B2 (de) |
| CA (1) | CA1148360A (de) |
| DE (1) | DE3040493C2 (de) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0095009A1 (de) * | 1982-05-21 | 1983-11-30 | W. Bloesch Ag | Verfahren zur Herstellung eines verlötbaren Glasstücks |
| CH650375GA3 (de) * | 1982-07-07 | 1985-07-31 | ||
| CH652270GA3 (de) * | 1983-05-19 | 1985-11-15 | ||
| EP0630868B1 (de) * | 1992-12-09 | 1997-03-05 | Nippondenso Co., Ltd. | Flussmittelloses lötverfahren |
| JP4664705B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2011-04-06 | オリンパス株式会社 | 内視鏡の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3205855A (en) * | 1961-08-28 | 1965-09-14 | Clifford M Ault | Coating apparatus for producing electrical components |
| DE2705568A1 (de) * | 1977-02-10 | 1978-08-17 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Verfahren und vorrichtung zum aufbringen loetfaehiger schichten auf unterlagen |
-
1980
- 1980-09-26 CA CA000361753A patent/CA1148360A/en not_active Expired
- 1980-10-28 DE DE19803040493 patent/DE3040493C2/de not_active Expired
- 1980-12-05 JP JP17107880A patent/JPS5849504B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56145137A (en) | 1981-11-11 |
| DE3040493A1 (de) | 1981-10-08 |
| CA1148360A (en) | 1983-06-21 |
| JPS5849504B2 (ja) | 1983-11-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0186829B1 (de) | Verfahren und Verbindungswerkstoff zum metallischen Verbinden von Bauteilen | |
| DE2938240C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer druckempfindlichen Einrichtung | |
| EP3055095B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer metall-keramiklötverbindung | |
| DE3843667C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetischen Durchflußmessers sowie elektromagnetischer Durchflußmesser | |
| EP0218069A1 (de) | Verfahren zum Verschweissen mittels Laserlicht | |
| EP0001220B1 (de) | Verfahren zum mittelbaren Verbinden zweier Teile | |
| EP0790647A2 (de) | Halbleiterkörper mit Lotmaterialschicht und Verfahren zum Auflöten des Halbleiterkörpers auf eine metallene Trägerplatte | |
| WO1995000459A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer gasdichten lötverbindung und anwendung des verfahrens bei der herstellung von bauelementen mit vakuumdichtem gehäuse | |
| DE68911649T2 (de) | Verbinden von metallischen Oberflächen. | |
| DE102006036100B3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Temperaturmessfühlers | |
| DE3040493C2 (de) | Verfahren zum lötflußmittelfreien Anlöten einer Glasfläche an eine Metallfläche | |
| DE4224012C1 (de) | Lötfähiges elektrisches Kontaktelement | |
| DE69218004T2 (de) | Flussmittelloses lötverfahren | |
| DE3788263T2 (de) | Verfahren zum elektrischen Verbinden von zwei Objekten. | |
| DE3704200C2 (de) | ||
| DE3110080A1 (de) | Verfahren zum verbinden eines halbleiterkoerpers mit einem metallischen systemtraeger und danach hergestellte halbleiteranordnung | |
| DE19608683B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Substrates | |
| DE10240355A1 (de) | Verbundbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Verbundbauteiles | |
| DE69511992T2 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung | |
| DE69331649T2 (de) | TAB Band und sein Herstellungsverfahren | |
| DE69605989T2 (de) | Glasversiegelte halbleiteranordnung bestehend aus einem halbleiterkörper, der mittels einer silber-aluminium-verbindungsschicht mit einer senke verbunden ist | |
| DE102006031844B4 (de) | Verfahren zur Befestigung von elektronischen Bauelementen auf einem Träger durch Drucksinterung und somit hergestellte Schaltungsanordnung | |
| DE3525480C2 (de) | ||
| DE3445982A1 (de) | Glasfaser fuer eine optische leitung der nachrichtentechnik | |
| DE19710462C2 (de) | Elektrisches Bauelement, insbesondere Chipinduktivität |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |