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CN116804827B - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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CN116804827B CN202310224692.7A CN202310224692A CN116804827B CN 116804827 B CN116804827 B CN 116804827B CN 202310224692 A CN202310224692 A CN 202310224692A CN 116804827 B CN116804827 B CN 116804827B
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Abstract

本发明提供能够对多个曝光装置进行灵活的搬运的基板处理装置以及基板处理方法。在接口部(20)中配置有多个搬运机械手和多个模块，所述接口部(20)将对基板进行曝光处理的前工序的处理的前处理部以及进行后工序的处理的后处理部与第一曝光装置(3a)以及第二曝光装置(3b)连接。多个模块的一部分层叠配置。作为通过接口部(20)搬运基板的模式，选择连续处理模式或交替处理模式，所述连续处理模式为将多个基板分别依次搬运至第一曝光装置(3a)以及第二曝光装置(3b)这两者的处理模式，所述交替处理模式为将多个基板交替地搬运至第一曝光装置(3a)或第二曝光装置(3b)的处理模式。在任意一种模式下，多个搬运机械手的访问次数均为4以下。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及对基板进行曝光处理的前工序的处理，并且进行曝光处理的后工序的处理的基板处理装置以及基板处理方法。作为处理对象的基板例如包括液晶显示装置用玻璃基板、有机EL显示用玻璃基板、PDP用玻璃基板或光掩膜用玻璃基板等。
背景技术
以往，已知如下的基板处理装置：以从具有载置容纳多个基板的盒体的载置台以及搬运装置的装置(也称为分度器装置)搬入的基板作为对象，依次进行光致抗蚀剂的涂敷膜的形成处理、减压干燥处理、加热干燥处理、向曝光装置搬出、从曝光装置搬入、曝光后的光致抗蚀剂膜的显影处理、冲洗处理以及干燥处理等，向分度器装置搬出基板(例如，专利文献1、2等)。
在专利文献1、2所公开的基板处理装置中，为了避免生产节拍时间较长的曝光装置中的限速，在基板处理装置上连接了两台曝光装置。如果设置有两台曝光装置，则即使一台曝光装置正在处理中，也能够用空闲的另一台曝光装置进行基板的曝光处理，从而能够防止曝光前的基板滞留在基板处理装置中。
专利文献1：日本特开2006-24643号公报；
专利文献2：日本特开2006-24642号公报。
但是，当连接两台曝光装置时，根据基板处理装置的用户侧的运用情况，可能存在连接进行相同处理的两台曝光装置(搭载相同的掩膜)的情况和连接进行不同处理的两台曝光装置(搭载不同的掩膜)的情况。因此，为了能够应对各种多个曝光装置的连接情况，要求在向曝光装置进行搬入搬出的接口部中能够进行灵活的搬运。
另外，近年来，曝光装置的性能提高，存在曝光装置的生产节拍时间缩短的倾向。与此相伴，配置在接口部的搬运机械手进行的动作次数(访问次数)也必须减少。这样，需要增加配置在接口部的搬运机械手的数量。但是，如果增加搬运机械手的数量，则会产生基板处理装置的整体长度变长的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于，提供一种能够对多个曝光装置进行灵活的搬运的基板处理装置以及基板处理方法。
为了解决上述课题，第一技术方案的发明的基板处理装置，对基板进行曝光处理的前工序的处理，并且进行曝光处理的后工序的处理，其特征在于，具有：前处理部，执行所述前工序的处理；后处理部，执行所述后工序的处理；接口部，将所述前处理部以及所述后处理部与第一曝光装置以及第二曝光装置连接，具有搬运基板的搬运机构和多个模块；以及控制部，对所述搬运机构进行控制，所述控制部选择第一搬运模式或第二搬运模式，所述第一搬运模式为对所述搬运机构进行控制，以将实施了所述前工序的处理的多个基板分别依次搬运至所述第一曝光装置以及所述第二曝光装置这两者的搬运模式，所述第二搬运模式为对所述搬运机构进行控制，以将实施了所述前工序的处理的多个基板交替地搬运至所述第一曝光装置或所述第二曝光装置的搬运模式。
另外，第二技术方案的发明，在第一技术方案的发明的基板处理装置中，其特征在于，多个所述模块包括第一缓冲器，所述第一缓冲器用于在所述控制部选择所述第二搬运模式时暂时容纳曝光处理前的基板，并且分配将该基板搬运至所述第一曝光装置和所述第二曝光装置中的哪一个。
另外，第三技术方案的发明，在第二技术方案的发明的基板处理装置中，其特征在于，多个所述模块包括第二缓冲器，所述第二缓冲器在所述控制部选择所述第二搬运模式时暂时容纳曝光处理后的基板，以将通过所述第一曝光装置实施了曝光处理的基板和通过所述第二曝光装置实施了曝光处理的基板交替地输送至所述后工序。
另外，第四技术方案的发明的基板处理装置，对基板进行曝光处理的前工序的处理，并且进行曝光处理的后工序的处理，其特征在于，具有：前处理部，执行所述前工序的处理；后处理部，执行所述后工序的处理；接口部，将所述前处理部以及所述后处理部与第一曝光装置以及第二曝光装置连接，具有搬运基板的搬运机构和多个模块；以及控制部，对所述搬运机构进行控制，所述控制部对所述搬运机构进行控制，以将实施了所述前工序的处理的多个基板分别依次搬运至所述第一曝光装置和所述第二曝光装置这两者。
另外，第五技术方案的发明，在第一技术方案至第四技术方案中的任意一个技术方案的发明的基板处理装置中，其特征在于，在所述接口部中层叠配置有多个所述模块的一部分。
另外，第六技术方案的发明，在第五技术方案的发明的基板处理装置中，其特征在于，所述搬运机构包括相对于多个所述模块交接基板的多个搬运机械手，通过所述接口部搬运一张基板的期间的多个所述搬运机械手中的每一个的访问次数为4以下。
另外，第七技术方案的发明，在第一技术方案至第六技术方案中的任意一个技术方案的发明的基板处理装置中，其特征在于，所述前处理部包括对基板涂敷抗蚀剂的涂敷部。
另外，第八技术方案的发明，在第一技术方案至第七技术方案中的任意一个技术方案的发明的基板处理装置中，其特征在于，所述后处理部包括对曝光处理后的基板进行显影处理的显影部。
另外，第九技术方案的发明的基板处理方法，对基板进行曝光处理的前工序的处理，并且进行曝光处理的后工序的处理，其特征在于，所述基板处理方法包括搬运工序，在所述搬运工序中，通过将执行所述前工序的处理的前处理部以及执行所述后工序的处理的后处理部与第一曝光装置以及第二曝光装置连接的接口部，将实施了所述前工序的处理的基板搬运至所述第一曝光装置和/或所述第二曝光装置，并且将实施了曝光处理的基板搬运至所述后处理部，在所述搬运工序中，选择第一搬运模式或第二搬运模式，所述第一搬运模式为将实施了所述前工序的处理的多个基板分别依次搬运至所述第一曝光装置以及所述第二曝光装置这两者的搬运模式，所述第二搬运模式为将实施了所述前工序的处理的多个基板交替地搬运至所述第一曝光装置或所述第二曝光装置的搬运模式。
另外，第十技术方案的发明，在第九技术方案的发明的基板处理方法中，其特征在于，在选择所述第二搬运模式时，通过设置于所述接口部的第一缓冲器暂时容纳曝光处理前的基板，以分配将该基板搬运至所述第一曝光装置和所述第二曝光装置中的哪一个。
另外，第十一技术方案的发明，在第十技术方案的发明的基板处理方法中，其特征在于，在选择所述第二搬运模式时，通过设置于所述接口部的第二缓冲器暂时容纳曝光处理后的基板，以将通过所述第一曝光装置实施了曝光处理的基板和通过所述第二曝光装置实施了曝光处理的基板交替地输送至所述后工序。
另外，第十二技术方案的发明的基板处理方法，对基板进行曝光处理的前工序的处理，并且进行曝光处理的后工序的处理，其特征在于，通过将执行所述前工序的处理的前处理部以及执行所述后工序的处理的后处理部与第一曝光装置以及第二曝光装置连接的接口部，将实施了所述前工序的处理的多个基板分别依次搬运至所述第一曝光装置以及所述第二曝光装置这两者。
另外，第十三技术方案的发明，在第九技术方案至第十二技术方案中的任意一个技术方案的发明的基板处理方法中，其特征在于，所述前工序包括对基板涂敷抗蚀剂的工序。
另外，第十四技术方案的发明，在第九技术方案至第十三技术方案中的任意一个技术方案的发明的基板处理方法中，其特征在于，所述后工序包括对曝光处理后的基板进行显影处理的工序。
根据技术方案第一技术方案～第三技术方案、第五技术方案～第八技术方案的发明，控制部选择第一搬运模式或第二搬运模式，所述第一搬运模式为对搬运机构进行控制以将实施了前工序的处理的多个基板分别依次搬运至第一曝光装置以及第二曝光装置这两者的搬运模式，所述第二搬运模式为对搬运机构进行控制以将实施了前工序的处理的多个基板交替地搬运至第一曝光装置或第二曝光装置的搬运模式，因此，能够对多个曝光装置进行灵活的搬运。
根据第四技术方案～第六技术方案的发明，控制部对搬运机构进行控制以将实施了前工序的处理的多个基板分别依次搬运至第一曝光装置以及第二曝光装置这两者，因此，能够对多个曝光装置进行灵活的搬运。
特别地，根据第五技术方案的发明，由于在接口部中层叠配置有多个模块的一部分，因此，能够使接口部的设置空间变小，从而能够抑制基板处理装置的整体长度变长。
根据第九技术方案～第十一技术方案、第十三技术方案、第十四技术方案的发明，在搬运工序中，选择第一搬运模式或第二搬运模式，所述第一搬运模式为将实施了前工序的处理的多个基板分别依次搬运至第一曝光装置以及第二曝光装置这两者的搬运模式，所述第二搬运模式为将实施了前工序的处理的多个基板交替地搬运至第一曝光装置或第二曝光装置的搬运模式，因此，能够对多个曝光装置进行灵活的搬运。
根据第十二技术方案的发明，将实施了前工序的处理的多个基板分别依次搬运至第一曝光装置以及第二曝光装置这两者，因此，能够对多个曝光装置进行灵活的搬运。
附图说明
图1是表示基板处理装置的整体结构的一个示例的概略图。
图2是表示控制部的结构的框图。
图3是表示第一实施方式的接口部的结构的图。
图4是表示模块的层叠配置的一个示例的图。
图5是表示第一实施方式中选择连续处理模式时的基板的搬运路径的图。
图6是表示第一实施方式中选择连续处理模式时的基板的搬运步骤的图。
图7是表示第一实施方式中选择连续处理模式时的基板的搬运步骤的图。
图8是表示第一实施方式中选择连续处理模式时的基板的搬运步骤的图。
图9是表示第一实施方式中选择交替处理模式时将基板向第一曝光装置搬运的搬运路径的图。
图10是表示第一实施方式中选择交替处理模式时将基板向第一曝光装置搬运的搬运步骤的图。
图11是表示第一实施方式中选择交替处理模式时将基板向第一曝光装置搬运的搬运步骤的图。
图12是表示第一实施方式中选择交替处理模式时将基板向第二曝光装置搬运的搬运路径的图。
图13是表示第一实施方式中选择交替处理模式时将基板向第二曝光装置搬运的搬运步骤的图。
图14是表示第一实施方式中选择交替处理模式时将基板向第二曝光装置搬运的搬运步骤的图。
图15是表示第二实施方式的接口部的结构的图。
图16是表示第二实施方式中选择连续处理模式时的基板的搬运路径的图。
图17是表示第二实施方式中选择连续处理模式时的基板的搬运步骤的图。
图18是表示第二实施方式中选择连续处理模式时的基板的搬运步骤的图。
图19是表示第二实施方式中选择交替处理模式时将基板向第一曝光装置搬运的搬运路径的图。
图20是表示第二实施方式中选择交替处理模式时将基板向第一曝光装置搬运的搬运步骤的图。
图21是表示第二实施方式中选择交替处理模式时将基板向第一曝光装置搬运的搬运步骤的图。
图22是表示第二实施方式中选择交替处理模式时将基板向第二曝光装置搬运的搬运路径的图。
图23是表示第二实施方式中选择交替处理模式时将基板向第二曝光装置搬运的搬运步骤的图。
图24是表示第二实施方式中选择交替处理模式时将基板向第二曝光装置搬运的搬运步骤的图。
附图标记的说明：
1基板处理装置
2分度器装置
3a第一曝光装置
3b第二曝光装置
11前处理部
12后处理部
20、220接口部
31第一搬运机械手
32第二搬运机械手
33第三搬运机械手
34第四搬运机械手
35第五搬运机械手
36第六搬运机械手
51冷却板
52边缘曝光机
53第一缓冲器
54第二缓冲器
55第一调温器
56第二调温器
90控制部
111清洗部
112涂敷部
113减压干燥部
114预烘干部
121显影部
122后烘干部
123冷却部
G基板
具体实施方式
下面，一边参照附图一边对本发明的实施方式详细地进行说明。以下，若无特别提示，表示相对或绝对位置关系的表述(例如，“一个方向”、“沿着一个方向”、“平行”、“正交”、“中心”、“同心”、“同轴”等)不仅严谨地表示该位置关系，也表示在能得到公差或者相同程度的功能的范围内角度或距离相对地发生位移的状态。另外，若无特别提示，表示等同状态的表述(例如，“相同”、“等同”、“均质”等)不仅定量严谨地表示等同状态，也表示存在能得到公差或者相同程度的功能的差的状态。另外，若无特别提示，表示形状的表述(例如，“圆形状”、“四角形状”、“圆筒形状”等)不仅严谨地表示几何学上的该形状，也表示能够得到相同程度的效果的范围的形状，例如可以具有凹凸或倒角等。另外，“具有”、“备置”、“具备”、“包括”或者“持有”结构构件的表述，并非是排除其他结构构件的存在的排他性表述。另外，“A、B以及C中的至少一个”的表述中包括“仅A”、“仅B”、“仅C”、“A、B以及C中的任意2个”、“A、B以及C全部”。
＜第一实施方式>
图1是表示基板处理装置1的整体结构的一个示例的概略图。基板处理装置1是对基板G进行曝光处理的前工序的处理，并且进行曝光处理的后工序的处理的装置。曝光处理的前工序的处理例如包括清洗、处理液的涂敷、处理液的干燥以及通过加热形成涂敷膜等。另一方面，曝光处理的后工序的处理包括显影、显影后通过加热的干燥以及冷却等。作为处理对象的基板G例如为平板状的玻璃基板。基板G具有作为第一主表面的第一面(也称上表面)以及与该第一面相反的作为第二主表面的第二面(也称下表面)。需要说明的是，在图1以及以后的各图中，为了便于理解，根据需要放大或简化各部分的尺寸、数量。
基板处理装置1的一端侧与分度器装置2连接，并且另一端侧与第一曝光装置3a和第二曝光装置3b连接。即，在本实施方式中，一条线的基板处理装置1连接有两台曝光装置3a、3b。需要说明的是，在不特别区分第一曝光装置3a与第二曝光装置3b的情况下，简单地统称为曝光装置3。
基板处理装置1具有进行曝光处理的前工序的处理的前处理部11、进行曝光处理的后工序的处理的后处理部12、以及接口部20。在基板处理装置1整体的基板G的搬运路径中，前处理部11构成从分度器装置2到接口部20的去程部分。另一方面，后处理部12构成从接口部20到分度器装置2的返程部分。
分度器装置2具有载置容纳多个基板G的盒体的载置台以及移载基板G的移载机构。作为移载机构，例如，在载置台上的盒体与前处理部11和后处理部12之间应用移载基板G的移载机械手。移载机构从载置台上的盒体取出未处理的基板G并移交给前处理部11。另外，移载机构从后处理部12接受处理后的基板G并将其容纳在盒体中。
前处理部11具有作为多个处理部的清洗部111、涂敷部112、减压干燥部113以及预烘干部114。前处理部11的各处理部按照上述处理部的记载的顺序配置。如图1中双点划线描述的箭头所示，通过搬运机械手或传送带等，按照处理的进行按上述记载顺序将基板G向各处理部搬运。
清洗部111对从分度器装置2搬入的基板G实施清洗处理。清洗处理例如包括去除以微细的颗粒为主的有机污染、金属污染、油脂以及自然氧化膜等的处理。在清洗部111中，例如，通过照射紫外光去除附着于基板G的表面的有机物、通过供给去离子水等清洗液和用刷等清洗部件清洗基板G的表面以及通过鼓风机等对基板G进行干燥。通过鼓风机等对基板G进行干燥例如包括用气刀从基板G上去除清洗液等。
涂敷部112在已通过清洗部111清洗的基板G上涂敷处理液。涂敷部112例如应用狭缝式涂布机。狭缝式涂布机通过使从喷出口喷出处理液的狭缝喷嘴相对于基板G相对地移动，从而能够在基板G上涂敷处理液。此处，在涂敷部112中，在基板G上涂敷有处理液的区域(也称涂敷区域)，通过上浮式的搬运机构沿着水平方向搬运上下表面沿着水平方向的姿势(也称水平姿势)的基板G。上浮式的搬运机构例如从下方支撑或保持基板G中的与基板G的搬运方向(也称基板搬运方向)垂直的宽度方向的两端部分，从下方向基板G吹送压缩空气，从而一边保持上下表面处于沿着水平方向的状态的基板G，一边使基板G沿水平方向移动。在涂敷部112中，例如，在位于涂敷区域的上游侧的部分(也称输入侧部分)以及位于涂敷区域的下游侧的部分(也称输出侧部分)，分别由传送带搬运基板G。传送带通过驱动机构(未图示)使沿着基板G的基板搬运方向排列的多个辊旋转，从而使水平姿势的基板G沿着水平方向移动。涂敷部112也可以应用其他涂敷方式的涂敷装置。
涂敷部112涂敷的处理液例如应用包含抗蚀剂液或聚酰亚胺前体以及溶剂的液体(也称PI液)等涂敷用液体(也称涂敷液)。作为聚酰亚胺前体，例如应用聚酰胺酸(Polyamicacid)等。作为溶剂，例如应用NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮：N-Methyl-2-Pyrrolidone)。
减压干燥部113进行通过减压使在基板G上涂敷的处理液干燥的处理(也称减压干燥处理)。此处，通过减压将在基板G的表面涂敷的处理液的溶剂气化(蒸发)，从而对基板G进行干燥。
预烘干部114对已通过减压干燥部113干燥的基板G进行加热，在基板G的表面上，使处理液中包含的成分固化。由此，在基板G上形成处理液的膜。例如，在处理液为抗蚀剂的情况下，通过对抗蚀剂的涂膜实施热处理而形成抗蚀剂膜。例如，在处理液为聚酰亚胺前体的情况下，通过对聚酰亚胺前体的涂膜实施热处理，从而通过聚酰亚胺前体的酰亚胺化形成聚酰亚胺膜。预烘干部114既可以是对单个基板G进行加热的单张方式的加热处理部，也可以是将多个基板G一并加热的分批式的加热处理部。此处，假设减压干燥部113中的减压干燥处理的生产节拍时间与预烘干部114中的加热处理的生产节拍时间相差较大，且预烘干部114具有单张式的加热处理部的情况。在该情况下，预烘干部114例如可以具有并列地进行加热处理的多台单张式的加热处理部。多台加热处理部例如以上下层叠的状态配置。
接口部20将前处理部11和后处理部12与第一曝光装置3a和第二曝光装置3b连接。接口部20将从前处理部11接受的基板G搬运至第一曝光装置3a和/或第二曝光装置3b。另外，接口部20将从第一曝光装置3a和/或第二曝光装置3b接受的曝光后的基板G搬运至后处理部12。接口部20具有搬运基板G的搬运机构以及多个模块，接口部20的详细结构将在后面叙述。
第一曝光装置3a和第二曝光装置3b对在前处理部11中在基板G上形成的处理液的膜进行曝光处理。具体而言，曝光装置3例如通过描绘有电路图案的掩膜照射远紫外线等特定波长的光，向处理液的膜转印图案。曝光装置3例如可以包括周边曝光部以及打标器(titler)。周边曝光部是进行用于去除基板G上的处理液的膜的周缘部的曝光处理的部分。打标器部例如是向基板G写入规定的信息的部分。
后处理部12具有作为多个处理部的显影部121、后烘干部122以及冷却部123。后处理部12的各处理部按照上述处理部的记载顺序配置。如图1中双点划线描述的箭头所示，通过搬运机械手等按照处理的进行并按照上述记载的顺序向各处理部搬运基板G。
显影部121对在前处理部11中形成的处理液的膜实施显影处理。显影处理例如包括对处理液的膜进行显影的处理、冲走显影液的处理以及干燥基板G的处理。在显影部121中，例如进行将在曝光装置3中曝光了图案的基板G上的处理液的膜浸渍在显影液中的处理、用去离子水等清洗液冲走基板G上的显影液的处理以及通过鼓风机等干燥基板G的处理。通过鼓风机等干燥基板G例如包括用气刀从基板G上去除清洗液等。
后烘干部122对基板G进行加热，使在显影部121中附着于基板G的清洗液气化，从而使基板G干燥。
冷却部123对已通过后烘干部122加热的基板G进行冷却。冷却部123例如应用一边通过传送带搬运基板G一边对基板G进行空冷的结构或者将基板G载置于架状的部分并通过吹送空气等气体对基板G进行冷却的结构等。通过分度器装置2将已通过冷却部123冷却的基板G从后处理部12向基板处理装置1的外部搬出。
基板处理装置1的各部的动作由控制部90控制。图2是表示控制部90的结构的框图。作为控制部90的硬件的结构与一般的计算机相同。即，控制部90具有进行各种运算处理的电路即CPU、存储基本程序的读取专用的存储器即ROM、存储各种信息的可自由读写的存储器即RAM以及将控制用软件、数据等预先存储的存储部94(例如，磁盘)。控制部90的CPU通过执行规定的处理程序来进行基板处理装置1中的处理。
在控制部90的存储部94中存储有规定了对基板G进行处理的步骤和条件的处理方案95。处理方案95例如通过装置的操作者经由后述的输入部92输入并存储在存储部94中从而被获取至基板处理装置1。或者，也可以由管理多个基板处理装置1的主计算机通过通信将处理方案95传递给基板处理装置1并存储在存储部94中。
设置于后述的接口部20的搬运机械手等构件与控制部90电连接。控制部90例如根据处理方案95的内容对该搬运机械手等进行控制。
另外，显示部93和输入部92与控制部90连接。显示部93和输入部92作为基板处理装置1的用户接口发挥作用。控制部90在显示部93中显示各种信息。基板处理装置1的操作者能够一边确认在显示部93中显示的信息一边由输入部92输入各种指令或参数。作为输入部92，例如能够使用键盘、鼠标。作为显示部93，例如能够使用液晶显示器。在本实施方式中，作为显示部93和输入部92，采用设置于基板处理装置1的外壁的液晶的触摸面板而使其兼具两者的功能。
图3是表示第一实施方式的接口部20的结构的图。接口部20具有搬运基板G的搬运机构以及多个模块。第一实施方式的接口部20具有作为搬运机构的5个搬运机械手(第一搬运机械手31、第二搬运机械手32、第三搬运机械手33、第四搬运机械手34、第五搬运机械手35)、两个传送带37、38以及带转盘的传送带36。
第一搬运机械手31、第二搬运机械手32、第三搬运机械手33、第四搬运机械手34以及第五搬运机械手35分别能够使保持基板G的手部前后进退移动，并且能够进行转动动作以及升降动作。由此，第一搬运机械手31、第二搬运机械手32、第三搬运机械手33、第四搬运机械手34以及第五搬运机械手35分别能够对周围的模块进行基板G的交接。
传送带37、38例如具有多个辊，通过以在这些辊上支撑基板G的状态使多个辊中的至少一部分旋转，从而沿着一个方向搬运基板G。带转盘的传送带36是在与传送带37、38相同的构件上附加了使基板G的朝向在水平面内转动90°的机构的构件。需要说明的是，也可以将传送带37和传送带38构成为一体的传送带机构。
另外，接口部20具有作为模块的冷却板51、边缘曝光机52、第一缓冲器(buffer)53、第二缓冲器54、第一调温器55、第二调温器56、两个路径57、58以及转盘59。可以说模块不具有设置于接口部20的构件的搬运基板G的功能。
冷却板51是例如具有冷却水循环机构或珀耳帖元件等冷却机构的板。通过将升温的基板G载置于冷却板51，从而对该基板G进行冷却。边缘曝光机52对形成有抗蚀剂膜等的基板G的周缘部照射光，从而对该周缘部进行曝光。
第一缓冲器53将能够容纳一张基板G的架多层地层叠。第二缓冲器54也具有与第一缓冲器53相同的结构。因此，第一缓冲器53和第二缓冲器54分别能够容纳一张以上的基板G。
第一调温器55将调温至规定温度的气体供给至基板G并对基板G进行调温。第二调温器56具有与第一调温器55相同的结构。第一调温器55和第二调温器56例如将基板G调温至洁净室中的标准温度即23℃。
路径(path)57、58能够分别载置一张基板G。路径57、58分别为用于在两个搬运机械手之间交接基板G的构件。转盘59是使基板G的朝向在水平面内转动90°的构件。
设置于接口部20的多个模块中的第一调温器55和路径57沿着铅垂方向层叠配置为两层。图4是表示模块的层叠配置的一个示例的图。在层叠结构中，在上层配置有第一调温器55，并且在下层配置有路径57。第一调温器55具有送风单元61以及载置台62。载置台62能够载置一张基板G。送风单元61向载置于载置台62的基板G吹送例如调温为23℃的气体。在第一调温器55中设置有用于第三搬运机械手33使手部出入的开口63。需要说明的是，在第一调温器55中也设置有用于使第二搬运机械手32沿着与图4的纸面垂直的方向在近前侧使手部出入的开口。
路径57具有载置台64。载置台64能够载置一张基板G。在路径57上设置有用于第一搬运机械手31使手部出入的开口65，并且设置有用于第三搬运机械手33使手部出入的开口66。
返回至图3，路径58和第二缓冲器54也沿着铅垂方向层叠配置为两层。在上层配置有路径58，并且在下层配置有第二缓冲器54。而且，第二调温器56和转盘59也沿着铅垂方向层叠配置为两层。在上层配置有第二调温器56，并且在下层配置有转盘59。
如图3所示，在第一搬运机械手31的周围配置有冷却板51、第一缓冲器53以及第一调温器55和路径57的层叠结构。第一搬运机械手31对冷却板51、第一缓冲器53以及路径57进行基板G的交接。第一搬运机械手31能够对设置于第一缓冲器53的多个架中的任意的架进行基板G的交接。
在第二搬运机械手32的周围配置有第一调温器55和路径57的层叠结构以及带转盘的传送带36。第二搬运机械手32对第一调温器55、带转盘的传送带36以及第一曝光装置3a进行基板G的交接。即，第二搬运机械手32负责对第一曝光装置3a进行基板G的交接。
在第三搬运机械手33的周围配置有第一调温器55和路径57的层叠结构、路径58和第二缓冲器54的层叠结构以及边缘曝光机52。第三搬运机械手33对第一调温器55、路径57、路径58、第二缓冲器54以及边缘曝光机52进行基板G的交接。
在第四搬运机械手34的周围配置有路径58和第二缓冲器54的层叠结构、第二调温器56和转盘59的层叠结构以及传送带38。第四搬运机械手34对路径58、第二缓冲器54、第二调温器56、转盘59以及传送带38进行基板G的交接。
在第五搬运机械手35的周围配置有第二调温器56和转盘59的层叠结构。第五搬运机械手35对第二调温器56、转盘59以及第二曝光装置3b进行基板G的交接。即，第五搬运机械手35负责对第二曝光装置3b进行基板G的交接。
然后，对基板处理装置1中的基板G的处理步骤进行说明。首先，简单地说明整个基板处理装置1中的基板G的处理流程。
分度器装置2取出容纳在盒体中的未处理的基板G并投入到前处理部11的清洗部111中。清洗部111例如供给清洗液进行基板G的表面清洗，并且在清洗后使清洗液干燥。将已通过清洗部111清洗的基板G搬运至涂敷部112。在本实施方式中，涂敷部112对清洗后的清洁的基板G的表面涂敷抗蚀剂液。
将涂敷有抗蚀剂液的基板G从涂敷部112搬运至减压干燥部113。减压干燥部113在减压环境下使涂敷于基板G的抗蚀剂液干燥。接着，进一步，将基板G从减压干燥部113搬运至预烘干部114。预烘干部114对基板G进行加热从而在基板G的表面烧成抗蚀剂膜。
将通过前处理部11形成抗蚀剂膜的基板G通过接口部20搬运至第一曝光装置3a和/或第二曝光装置3b，从而提供给曝光处理。将曝光处理后的基板G通过接口部20搬运至后处理部12。进一步详细地描述接口部20中的基板G的搬运。
后处理部12的显影部121向曝光处理后的基板G供给显影液从而进行抗蚀剂膜的显影处理。另外，显影部121从基板G上冲走显影液并且还进行使基板G干燥的处理。
将显影处理后的基板G从显影部121搬运至后烘干部122。后烘干部122对基板G进行加热，从而蒸发去除残留在基板G上的显影液、清洗液。接着，将基板G从后烘干部122搬运至冷却部123。冷却部123对通过后烘干部122加热而升温的基板G进行冷却。将已通过冷却部123冷却的基板G返回至分度器装置2，通过分度器装置2容纳在盒体中。
继续说明接口部20中的基板G的搬运。在第一实施方式中，作为接口部20中的基板G的搬运方式，准备了分别将多个基板G依次搬运至第一曝光装置3a和第二曝光装置3b的连续处理模式(第一搬运模式)和交替地将多个基板G搬运至第一曝光装置3a或第二曝光装置3b的交替处理模式(第二搬运模式)。
控制部90选择连续处理模式或交替处理模式中的任意一种。具体而言，装置的操作者从输入部92指定连续处理模式或交替处理模式，从而控制部90进行模式选择即可。或者，控制部90可以按照处理方案95(图2)的记述进行模式选择。进一步，控制部90也可以按照来自上级的主计算机等的指示进行模式选择。连续处理模式用于第一曝光装置3a和第二曝光装置3b使用不同种类的掩膜来对同一基板G进行曝光处理的情况。另一方面，交替处理模式用于第一曝光装置3a和第二曝光装置3b使用相同种类的掩膜以高的处理能力进行曝光处理的情况。
首先，对通过控制部90选择连续处理模式时的基板G的搬运进行说明。图5是表示第一实施方式中选择了连续处理模式时的基板G的搬运路径的图。图6至图8是表示第一实施方式中选择了连续处理模式时的基板G的搬运步骤的图。以下说明的基板G的搬运通过控制部90对接口部20的搬运机构进行控制来实现。
将通过前处理部11的预烘干部114加热而升温的基板G最初搬入至冷却板51进行冷却。第一搬运机械手31从冷却板51取出冷却后的基板G并搬入至第一缓冲器53。接着，第一搬运机械手31从第一缓冲器53搬出基板G，并将该基板G搬入至下层的路径57。
在连续处理模式中，第一缓冲器53起到吸收第一曝光装置3a和第二曝光装置3b的生产节拍时间的波动的作用。第一曝光装置3a和第二曝光装置3b的生产节拍时间未必恒定。例如，第一曝光装置3a和第二曝光装置3b有时不定期地进行自我维护，这时，存在生产节拍时间变长的情况。第一曝光装置3a和第二曝光装置3b的生产节拍时间变长时，将通过前处理部11形成抗蚀剂膜的基板G暂时储存在第一缓冲器53，从而防止前处理部11中的处理停滞。
第三搬运机械手33将从路径57取出的基板G搬入至第一调温器55。第一调温器55准确地将曝光处理前的基板G调温至规定温度(例如23℃)。将调温后的基板G由第二搬运机械手32从第一调温器55搬出并搬入至第一曝光装置3a。
第一曝光装置3a对基板G进行曝光处理并向抗蚀剂膜转印图案。由第二搬运机械手32将曝光处理后的基板G从第一曝光装置3a搬出并搬入至带转盘的传送带36。
根据需要，带转盘的传送带36将基板G的朝向在水平面内转动90°。从第一曝光装置3a搬出的基板G的方向并不固定。因此，带转盘的传送带36调整成基板G的方向变为固定。
将基板G从带转盘的传送带36按照传送带37、38的顺序搬运。接着，第四搬运机械手34接受到达传送带38的基板G并将其搬入至第二调温器56。第二调温器56将第二次曝光处理前的基板G准确地调温至规定温度。由第五搬运机械手35将调温后的基板G从第二调温器56搬出并被搬入至第二曝光装置3b。
第二曝光装置3b使用与第一曝光装置3a不同的掩膜对基板G进行曝光处理，并向抗蚀剂膜转印图案。即，在连续处理模式中，将不同图案重叠地转印到基板G上。由第五搬运机械手35将曝光处理后的基板G从第二曝光装置3b搬出并搬入至转盘59。
根据需要，转盘59将基板G的朝向在水平面内转动90°。与上述第一曝光装置3a同样地，从第二曝光装置3b搬出的基板G的方向也不固定。因此，转盘59调整成基板G的方向变为固定。
第四搬运机械手34从转盘59搬出基板G，将该基板G搬入至第二缓冲器54。接着，第三搬运机械手33从第二缓冲器54搬出基板G。在连续处理模式中，由于将全部基板G沿着相同路径搬运，因此，第二缓冲器54仅作为用于将基板G从第四搬运机械手34交接给第三搬运机械手33的路径发挥作用。因此，在连续处理模式中，也可以使用上层的路径58来代替第二缓冲器54。
第三搬运机械手33将从第二缓冲器54取出的基板G搬入至边缘曝光机52。边缘曝光机52对基板G的周缘部进行曝光处理。接着，将基板G搬出至后处理部12的显影部121。
如上所述，在选择连续处理模式时，将全部基板G按照相同的搬运路径和步骤搬运。接着，在连续处理模式中，将形成抗蚀剂膜的多个基板G分别依次搬运至第一曝光装置3a以及第二曝光装置3b这两者，从而进行两次曝光处理。
然后，对由控制部90选择交替处理模式时的基板G的搬运进行说明。在将多个基板G交替地搬运至第一曝光装置3a或第二曝光装置3b的交替处理模式中，将基板G搬运至第一曝光装置3a的路径与搬运至第二曝光装置3b的路径不同。因此，首先，对将基板G搬运至第一曝光装置3a的路径进行说明。图9是表示第一实施方式中选择交替处理模式时将基板G搬运至第一曝光装置3a的搬运路径的图。图10和图11是表示第一实施方式中选择交替处理模式时将基板G搬运至第一曝光装置3a的搬运步骤的图。与连续处理模式同样地，交替处理模式的基板G的搬运也通过控制部90对接口部20的搬运机构进行控制来实现。
将通过前处理部11的预烘干部114加热而升温的基板G最初搬入至冷却板51进行冷却。第一搬运机械手31从冷却板51取出冷却后的基板G并搬入至第一缓冲器53。接着，第一搬运机械手31从第一缓冲器53搬出基板G，并将该基板G搬入至下层的路径57。
在交替处理模式中，第一缓冲器53不仅吸收第一曝光装置3a和第二曝光装置3b的生产节拍时间的波动，而且起到分配将基板G搬运至第一曝光装置3a和第二曝光装置3b中的哪一个的作用。具体而言，第一搬运机械手31将基板G载置于第一缓冲器53的架上时，控制部90在软件上对将该基板G搬运至第一曝光装置3a和第二曝光装置3b中的哪一个进行关联。例如，在将基板G搬运至第一曝光装置3a的情况下，控制部90在软件上将该基板G与第一曝光装置3a进行关联。接着，通过第一缓冲器53分配将载置的基板G搬运至第一曝光装置3a和第二曝光装置3b中的哪一个，从而确定该基板G之后的搬运路径。
第三搬运机械手33将从路径57取出的基板G搬入至第一调温器55。第一调温器55将曝光处理前的基板G准确地调温至规定温度。由第二搬运机械手32将调温后的基板G从第一调温器55搬出并搬入至第一曝光装置3a。
第一曝光装置3a对基板G进行曝光处理并向抗蚀剂膜转印图案。由第二搬运机械手32将曝光处理后的基板G从第一曝光装置3a搬出并搬入至带转盘的传送带36。
根据需要，带转盘的传送带36将基板G的朝向在水平面内转动90°。接着，将基板G从带转盘的传送带36按照传送带37、38的顺序搬运。
第四搬运机械手34接受到达传送带38的基板G并将其搬入至第二缓冲器54。接着，第三搬运机械手33从第二缓冲器54搬出基板G。第三搬运机械手33将从第二缓冲器54取出的基板G搬入至边缘曝光机52。边缘曝光机52对基板G的周缘部进行曝光处理。接着，将基板G搬出至后处理部12的显影部121。
接着，对将基板G搬运至第二曝光装置3b的路径进行说明。图12是表示第一实施方式中选择交替处理模式时将基板G搬运至第二曝光装置3b的搬运路径的图。图13和图14是表示第一实施方式中选择交替处理模式时将基板G搬运至第二曝光装置3b的搬运步骤的图。
将通过前处理部11的预烘干部114加热而升温的基板G最初搬入至冷却板51进行冷却。第一搬运机械手31从冷却板51取出冷却后的基板G并将其搬入至第一缓冲器53。在将基板G搬入至第一缓冲器53时，在将基板G搬运至第二曝光装置3b的情况下，控制部90在软件上将该基板G与第二曝光装置3b进行关联。接着，第一搬运机械手31从第一缓冲器53搬出基板G，并将该基板G搬入至下层的路径57。
第三搬运机械手33将从路径57取出的基板G搬入至路径58。第四搬运机械手34将从路径58取出的基板G搬入至第二调温器56。第二调温器56将曝光处理前的基板G准确地调温至规定温度。由第五搬运机械手35将调温后的基板G从第二调温器56搬出并搬入至第二曝光装置3b。
第二曝光装置3b对基板G进行曝光处理并向抗蚀剂膜转印图案。由第五搬运机械手35将曝光处理后的基板G从第二曝光装置3b搬出并搬入至转盘59。
根据需要，转盘59将基板G的朝向在水平面内转动90°。接着，第四搬运机械手34从转盘59搬出基板G，将该基板G搬入至第二缓冲器54。接着，第三搬运机械手33从第二缓冲器54搬出基板G。
在交替处理模式中，将基板G搬运至第一曝光装置3a的搬运路径(图9)与搬运至第二曝光装置3b的搬运路径(图12)不同。因此，有时即使依次将从前处理部11搬运来的多个基板G交替地搬运至第一曝光装置3a和第二曝光装置3b，在通过第一曝光装置3a处理后的基板G与通过第二曝光装置3b处理后的基板G之间也发生超越。这样，有可能产生向后处理部12连续搬出两张通过第一曝光装置3a处理后的基板G或者连续搬出两张通过第二曝光装置3b处理后的基板G的现象。因此，在交替处理模式中，第二缓冲器54暂时容纳曝光处理后的基板G，以将通过第一曝光装置3a实施了曝光处理的基板G和通过第二曝光装置3b实施了曝光处理的基板G交替地搬出至后处理部12。在第二缓冲器54中，将通过第一曝光装置3a实施了曝光处理的基板G或通过第二曝光装置3b实施了曝光处理的基板G暂时地待机，以不发生超越。
第三搬运机械手33将从第二缓冲器54取出的基板G搬入至边缘曝光机52。边缘曝光机52对基板G的周缘部进行曝光处理。接着，将基板G搬出至后处理部12的显影部121。
如上所述，在选择交替处理模式时，按照不同的搬运路径和步骤交替地搬运多个基板G。在交替处理模式中，形成有抗蚀剂膜的多个基板G分别通过第一曝光装置3a或第二曝光装置3b进行一次曝光处理。在第一曝光装置3a和第二曝光装置3b使用相同的掩膜的情况下，对全部的基板G实施相同的曝光处理。在该情况下，与设置一台曝光装置时相比，能够将曝光处理所需要的生产节拍时间变为大约一半。
在第一实施方式中，作为搬运基板G的模式，准备有连续处理模式和交替处理模式，控制部90适当地从其中选择任意一个。在连续处理模式中，由于第一曝光装置3a和第二曝光装置3b使用不同的掩膜向基板G重叠转印不同的图案，因此，例如适于生产不同尺寸的面板。另一方面，在交替处理模式中，由于能够缩短曝光处理所需要的生产节拍时间，因此，有效防止曝光处理引起的搬运限速。由于控制部90根据处理目的适当地从连续处理模式或交替处理模式中选择任意一种，因此，能够对多个曝光装置进行灵活的基板搬运。
另外，在第一实施方式中，虽然在接口部20中设置了多个模块，但是层叠配置了多个模块的一部分。由此，能够使接口部20的设置空间变小，从而能够抑制基板处理装置1的整体长度变得过长。
进一步，通过层叠配置多个模块的一部分，也能够抑制搬运机械手的台数增加。通过使搬运机械手的台数变少，也能够使接口部20的设置空间变小，从而能够抑制基板处理装置1的整体长度变长。
另外，在图5、图9以及图12中，箭头示出了通过各搬运机械手进行一次基板G的交接。因此，在一个搬运机械手的周围描绘的箭头的数量为通过接口部20搬运一张基板G的期间的该搬运机械手的访问次数。如图5、图9以及图12所示，在连续处理模式以及交替处理模式中的任意一种中，关于全部的搬运机械手(第一搬运机械手31～第五搬运机械手35)，通过接口部20搬运一张基板G的期间的各搬运机械手的访问次数也为4以下。因此，也能够应对因性能提高而生产节拍时间变短的曝光装置。
＜第二实施方式>
然后，对本发明的第二实施方式进行说明。在第二实施方式中，接口部的结构以及接口部中的基板搬运的形态与第一实施方式不同。除去接口部的第二实施方式的基板处理装置的剩余结构与第一实施方式相同。另外，基板处理装置中的第二实施方式的基板处理的内容也与第一实施方式大致相同。
图15是表示第二实施方式的接口部220的结构的图。在该图中，对与第一实施方式(图3)相同的构件标注相同的附图标记。第二实施方式的接口部220也具有搬运基板G的搬运机构以及多个模块。第二实施方式的接口部220具有作为搬运机构的6个搬运机械手(第一搬运机械手31、第二搬运机械手32、第三搬运机械手33、第四搬运机械手34、第五搬运机械手35、第六搬运机械手36)。
第一搬运机械手31、第二搬运机械手32、第三搬运机械手33、第四搬运机械手34、第五搬运机械手35以及第六搬运机械手36分别与第一实施方式的搬运机械手相同。因此，第一搬运机械手31、第二搬运机械手32、第三搬运机械手33、第四搬运机械手34、第五搬运机械手35以及第六搬运机械手36能够分别对周围的模块进行基板G的交接。
另外，接口部220具有作为模块的冷却板51、边缘曝光机52、第一缓冲器53、第二缓冲器54、第一调温器55、第二调温器56、两个路径57、58以及转盘59、60。这些各模块为与第一实施方式相同的构件。
第二实施方式的接口部220也具有与第一实施方式的接口部20大致相同的构件(搬运机械手和模块)。但是，如图15所示，在第二实施方式的接口部220中，各构件的布局与第一实施方式不同。在第一实施方式中两个曝光装置横向排列，相对于此，在第二实施方式中，第一曝光装置3a与第二曝光装置3b分开。与此相伴，接口部220的各构件的布局也与第一实施方式不同。例如将多个基板处理装置在工厂内并列配置时，第二实施方式的接口部220那样的布局适于在前处理部11的外侧配置第一曝光装置3a的情况等。更详细地说，适于在某一基板处理装置的前处理部11与其相邻的基板处理装置的后处理部12之间的空间配置第一曝光装置3a的情况等。
设置于接口部220的多个模块中的第一调温器55和转盘60沿着铅垂方向层叠配置为两层。在层叠结构中，在上层配置有第一调温器55，并且在下层配置有转盘60。另外，路径57和第一缓冲器53也沿着铅垂方向层叠配置为两层。在上层配置有路径57，并且在下层配置有第一缓冲器53。进一步，第二调温器56和路径58也沿着铅垂方向层叠配置为两层。在上层配置有第二调温器56，并且在下层配置有路径58。即，在第二实施方式中，也层叠配置有设置于接口部220的多个模块的一部分。
如图15所示，在第二实施方式的接口部220的布局中，在第一搬运机械手31的周围配置有冷却板51和路径57与第一缓冲器53的层叠结构。第一搬运机械手31对冷却板51和第一缓冲器53进行基板G的交接。
在第二搬运机械手32的周围配置有第一调温器55和转盘60的层叠结构以及路径57和第一缓冲器53的层叠结构。第二搬运机械手32对第一调温器55、转盘60、路径57以及第一缓冲器53进行基板G的交接。
在第三搬运机械手33的周围配置有第一调温器55和转盘60的层叠结构。第三搬运机械手33对第一调温器55、转盘60以及第一曝光装置3a进行基板G的交接。即，第三搬运机械手33负责对第一曝光装置3a进行基板G的交接。
在第四搬运机械手34的周围配置有路径57和第一缓冲器53的层叠结构以及第二调温器56和路径58的层叠结构。第四搬运机械手34对路径57、第一缓冲器53、第二调温器56以及路径58进行基板G的交接。
在第五搬运机械手35的周围配置有第二调温器56和路径58的层叠结构以及转盘59。第五搬运机械手35对第二调温器56、路径58、转盘59以及第二曝光装置3b进行基板G的交接。即，第五搬运机械手35负责对第二曝光装置3b进行基板G的交接。
在第六搬运机械手36的周围配置有转盘59、第二缓冲器54以及边缘曝光机52。第六搬运机械手36对转盘59、第二缓冲器54以及边缘曝光机52进行基板G的交接。
然后，对第二实施方式的接口部220中的基板G的搬运进行说明。在第二实施方式中，作为接口部220中的基板G的搬运方式，准备将多个基板G分别依次搬运至第一曝光装置3a以及第二曝光装置3b这两者的连续处理模式(第一搬运模式)和将多个基板G交替地搬运至第一曝光装置3a或第二曝光装置3b的交替处理模式(第二搬运模式)。接着，与第一实施方式同样地，控制部90选择连续处理模式或交替处理模式中的任意一种。
图16是表示第二实施方式中选择连续处理模式时的基板G的搬运路径的图。图17和图18是表示第二实施方式中选择连续处理模式时的基板G的搬运步骤的图。以下说明的基板G的搬运通过控制部90对接口部220的搬运机构进行控制来实现。
将通过前处理部11的预烘干部114加热而升温的基板G最初搬入至冷却板51进行冷却。第一搬运机械手31从冷却板51中取出冷却后的基板G并将其搬入至第一缓冲器53。与第一实施方式相同地，在连续处理模式中，第一缓冲器53起到吸收第一曝光装置3a以及第二曝光装置3b的生产节拍时间的波动的作用。
第二搬运机械手32从第一缓冲器53取出基板G并将该基板G搬入至第一调温器55。第一调温器55将曝光处理前的基板G准确地调温至规定温度。由第三搬运机械手33将调温后的基板G从第一调温器55搬出并搬入至第一曝光装置3a。
第一曝光装置3a对基板G进行曝光处理并向抗蚀剂膜转印图案。由第三搬运机械手33将曝光处理后的基板G从第一曝光装置3a搬出并搬入至转盘60。
根据需要，转盘60将基板G的朝向在水平面内转动90°。第二搬运机械手32从转盘60搬出基板G，并将该基板G搬入至路径57。接着，第四搬运机械手34从路径57取出基板G，并将该基板G搬入至第二调温器56。第二调温器56将第二次曝光处理前的基板G准确地调温至规定温度。由第五搬运机械手35将调温后的基板G从第二调温器56搬出并搬入至第二曝光装置3b。
第二曝光装置3b使用与第一曝光装置3a不同的掩膜对基板G进行曝光处理并向抗蚀剂膜转印图案。由第五搬运机械手35将曝光处理后的基板G从第二曝光装置3b搬出并搬入至转盘59。
根据需要，转盘59将基板G的朝向在水平面内转动90°。接着，第六搬运机械手36从转盘59搬出基板G，将该基板G搬入至边缘曝光机52。边缘曝光机52对基板G的周缘部进行曝光处理。接着，将基板G搬出至后处理部12的显影部121。
如上所述，在第二实施方式中，在选择连续处理模式时，也按照相同的搬运路径和步骤搬运全部的基板G。接着，在连续处理模式中，将形成有抗蚀剂膜的多个基板G分别依次搬运至第一曝光装置3a以及第二曝光装置3b这两者来进行两次曝光处理。
然后，在将多个基板G交替地搬运至第一曝光装置3a或第二曝光装置3b的交替处理模式中，将基板G搬运至第一曝光装置3a的路径与搬运至第二曝光装置3b的路径不同。图19是表示第二实施方式中选择交替处理模式时将基板G搬运至第一曝光装置3a的搬运路径的图。图20和图21是表示第二实施方式中选择交替处理模式时将基板G搬运至第一曝光装置3a的搬运步骤的图。与连续处理模式同样地，交替处理模式的基板G的搬运也通过控制部90对接口部220的搬运机构进行控制来实现。
将通过前处理部11的预烘干部114加热而升温的基板G最初搬入至冷却板51进行冷却。第一搬运机械手31从冷却板51中取出冷却后的基板G并将其搬入至第一缓冲器53。
在交替处理模式中，第一缓冲器53不仅吸收第一曝光装置3a和第二曝光装置3b的生产节拍时间的波动，而且还起到分配将基板G搬运至第一曝光装置3a和第二曝光装置3b中的哪一个的作用。具体而言，第一搬运机械手31将基板G载置于第一缓冲器53的架上时，控制部90在软件上对将该基板G搬运至第一曝光装置3a和第二曝光装置3b中的哪一个进行关联。例如，在将基板G搬运至第一曝光装置3a的情况下，控制部90在软件上对该基板G和第一曝光装置3a进行关联。接着，通过第一缓冲器53分配将载置的基板G搬运至第一曝光装置3a和第二曝光装置3b中的哪一个，从而确定该基板G之后的搬运路径。
第二搬运机械手32从第一缓冲器53取出基板G，将该基板G搬入至第一调温器55。第一调温器55将曝光处理前的基板G准确地调温至规定温度。由第三搬运机械手33将调温后的基板G从第一调温器55搬出并搬入至第一曝光装置3a。
第一曝光装置3a对基板G进行曝光处理并向抗蚀剂膜转印图案。由第三搬运机械手33将曝光处理后的基板G从第一曝光装置3a搬出并搬入至转盘60。
根据需要，转盘60将基板G的朝向在水平面内转动90°。第二搬运机械手32从转盘60搬出基板G，并将该基板G搬入至路径57。接着，第四搬运机械手34从路径57取出基板G，并将该基板G搬入至路径58。进一步，第五搬运机械手35从路径58取出基板G，并将该基板G搬入至转盘59。由于通过转盘60调整好了通过第一曝光装置3a进行曝光处理后的基板G的朝向，因此，转盘59不对基板G的朝向进行调整。
第六搬运机械手36接受到达转盘59的基板G并将其搬入至第二缓冲器54。第六搬运机械手36从第二缓冲器54搬出基板G，将该基板G搬入至边缘曝光机52。边缘曝光机52对基板G的周缘部进行曝光处理。接着，将基板G搬出至后处理部12的显影部121。
另一方面，图22是表示第二实施方式中选择交替处理模式时将基板G搬运至第二曝光装置3b的搬运路径的图。图23和图24是表示第二实施方式中选择交替处理模式时将基板G搬运至第二曝光装置3b的搬运步骤的图。
将通过前处理部11的预烘干部114加热而升温的基板G最初搬入至冷却板51进行冷却。第一搬运机械手31从冷却板51中取出冷却后的基板G并将其搬入至第一缓冲器53。将基板G搬入至第一缓冲器53时，在将基板G搬运至第二曝光装置3b的情况下，控制部90在软件上将该基板G与第二曝光装置3b进行关联。接着，此处，第四搬运机械手34从第一缓冲器53搬出基板G，并将该基板G搬入至第二调温器56。
第二调温器56将曝光处理前的基板G准确地调温至规定温度。由第五搬运机械手35将调温后的基板G从第二调温器56搬出并搬入至第二曝光装置3b。
第二曝光装置3b对基板G进行曝光处理并向抗蚀剂膜转印图案。由第五搬运机械手35将曝光处理后的基板G从第二曝光装置3b搬出并搬入至转盘59。
根据需要，转盘59将基板G的朝向在水平面内转动90°。接着，第六搬运机械手36从转盘59搬出基板G，并将该基板G搬入至第二缓冲器54。接着，第六搬运机械手36从第二缓冲器54搬出基板G。
在交替处理模式中，将基板G搬运至第一曝光装置3a的搬运路径(图19)与搬运至第二曝光装置3b的搬运路径(图22)不同。因此，有时即使依次将从前处理部11搬运来的多个基板G交替地搬运至第一曝光装置3a和第二曝光装置3b，在通过第一曝光装置3a处理后的基板G与通过第二曝光装置3b处理后的基板G之间也发生超越。为了防止这种超越，在交替处理模式中，第二缓冲器54暂时容纳曝光处理后的基板G，以将通过第一曝光装置3a实施了曝光处理的基板G和通过第二曝光装置3b实施了曝光处理的基板G交替地搬出至后处理部12。在第二缓冲器54中，暂时使通过第一曝光装置3a实施了曝光处理的基板G或通过第二曝光装置3b实施了曝光处理的基板G进行待机，以不发生超越。需要说明的是，在不可能发生基板的超越的连续处理模式中，不需要使用第二缓冲器54进行调整。因此，在第二实施方式的连续处理模式中，不使用第二缓冲器54(参照图16)。
第六搬运机械手36将从第二缓冲器54取出的基板G搬入至边缘曝光机52。边缘曝光机52对基板G的周缘部进行曝光处理。接着，将基板G搬出至后处理部12的显影部121。
如上所述，在第二实施方式中，在选择交替处理模式时，也按照不同的搬运路径和步骤交替地搬运多个基板G。在交替处理模式中，分别通过第一曝光装置3a或第二曝光装置3b将形成有抗蚀剂膜的多个基板G进行一次曝光处理。在第一曝光装置3a和第二曝光装置3b使用相同的掩膜的情况下，对全部的基板G实施相同的曝光处理。在该情况下，与设置一台曝光装置的情况相比，能够将曝光处理所需要的生产节拍时间变为大约一半。
在第二实施方式中，与第一实施方式同样地，作为搬运基板G的模式，准备有连续处理模式和交替处理模式，控制部90适当地从其中选择任意一个。在连续处理模式中，由于第一曝光装置3a和第二曝光装置3b使用不同的掩膜向基板G重叠转印不同的图案，因此，例如适于生产不同尺寸的面板。另一方面，在交替处理模式中，由于能够使曝光处理所需要的生产节拍时间变短，因此，有效防止曝光处理引起的搬运限速。控制部90根据处理目的适当地从连续处理模式或交替处理模式中选择任意一种，因此，能够对多个曝光装置进行灵活的基板搬运。
另外，在第二实施方式中，层叠配置设置于接口部220的多个模块的一部分。由此，能够使接口部220的设置空间变小，从而能够抑制基板处理装置1的整体长度变得过长。
进一步，通过层叠配置多个模块的一部分，也能够抑制搬运机械手的台数增加。通过使搬运机械手的台数变少，也能够使接口部220的设置空间变小，从而能够抑制基板处理装置1的整体长度变长。
另外，在图16、图19以及图22中，箭头示出了通过各搬运机械手进行一次基板G的交接。因此，在一个搬运机械手的周围描绘的箭头的数量为通过接口部220搬运一张基板G期间的该搬运机械手的访问次数。如图16、图19以及图22所示，在连续处理模式以及交替处理模式中的任意一种中，关于全部的搬运机械手(第一搬运机械手31～第六搬运机械手36)，通过接口部220搬运一张基板G期间的各搬运机械手的访问次数均为4以下。因此，也能够应对因性能提高而生产节拍时间变短的曝光装置。
＜变形例>
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但是，本发明只要不脱离其宗旨，就能够进行上述实施方式以外的各种变更。例如，接口部中的搬运机构以及模块的布局并不限于第一实施方式(图3)以及第二实施方式(图15)所示的例子。只要在接口部配置有多个搬运机械手和多个模块即可。优选在这些多个模块中包括分配将基板G搬运至第一曝光装置3a和第二曝光装置3b中的哪一个的缓冲器。另外，优选层叠配置有多个模块的一部分，以节省空间。只要根据第一曝光装置3a和第二曝光装置3b的设置位置适当改变接口部的布局即可。
另外，在上述各实施方式中，能够选择连续处理模式或交替处理模式，也可以仅与第一曝光装置3a或第二曝光装置3b连续地搬运基板G。这样，能够对多个曝光装置进行更灵活的基板搬运。
另外，在上述各实施方式中，将设置于接口部的多个模块的一部分层叠配置为两层，也可以将其层叠配置为三层以上。层叠的层数越多，能够使接口部的设置空间越小。需要说明的是，当然要将层叠结构的高度控制在搬运机械手的可动范围内。
另外，前处理部11和后处理部12的结构也不限于第一实施方式和第二实施方式的例子。例如，也可以在冷却部123与分度器装置2之间配置检查部等。检查部例如为使用照相机等光学部件进行基板G的检查的单元。另外，例如，也可以在清洗部111与涂敷部112之间配置脱水烘干部。脱水烘干部是对清洗后的基板G进行加热来去除水分的单元。或者，也可以省略后烘干部122和冷却部123。
另外，作为处理对象的基板G，也可以采用与玻璃基板不同的半导体晶片、滤色片用基板、记录盘用基板或太阳电池用基板等其他精密电子装置用的基板。
而且，在上述各实施方式中，在基板处理装置1中既可以包括分度器装置2，也可以包括第一曝光装置3a和第二曝光装置3b。

Claims (15)

1.一种基板处理装置，对基板进行曝光处理的前工序的处理，并且进行曝光处理的后工序的处理，其特征在于，
具有：
前处理部，执行所述前工序的处理；
后处理部，执行所述后工序的处理；
接口部，将所述前处理部以及所述后处理部与第一曝光装置以及第二曝光装置连接，具有搬运基板的搬运机构和多个模块；以及
控制部，对所述搬运机构进行控制；
所述搬运机构具有：第一搬运机械手，取出从所述前处理部搬运来的基板；第二搬运机械手，向所述后处理部搬运基板；第三搬运机械手，与所述第一曝光装置进行基板的交接；以及第四搬运机械手，与所述第二曝光装置进行基板的交接；
多个所述模块包括对向所述第一曝光装置搬运的基板进行调温的第一调温器、以及对向所述第二曝光装置搬运的基板进行调温的第二调温器；
所述控制部选择第一搬运模式或第二搬运模式，所述第一搬运模式为对所述搬运机构进行控制，以将实施了所述前工序的处理的多个基板分别依次搬运至所述第一曝光装置以及所述第二曝光装置这两者的搬运模式；
所述第二搬运模式为对所述搬运机构进行控制，以将实施了所述前工序的处理的多个基板交替地搬运至所述第一曝光装置或所述第二曝光装置的搬运模式；
在所述第一搬运模式中，按照所述第一搬运机械手、所述第一调温器、所述第三搬运机械手、所述第二调温器、所述第四搬运机械手、所述第二搬运机械手的顺序，搬运基板；
在所述第二搬运模式中，按照所述第一搬运机械手、所述第一调温器、所述第三搬运机械手、所述第二搬运机械手的顺序、或者按照所述第一搬运机械手、所述第二调温器、所述第四搬运机械手、所述第二搬运机械手的顺序，搬运基板。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
多个所述模块包括第一缓冲器，所述第一缓冲器用于在所述控制部选择所述第二搬运模式时暂时容纳曝光处理前的基板，并且分配将该基板搬运至所述第一曝光装置和所述第二曝光装置中的哪一个。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
多个所述模块包括第二缓冲器，所述第二缓冲器在所述控制部选择所述第二搬运模式时暂时容纳曝光处理后的基板，以将通过所述第一曝光装置实施了曝光处理的基板和通过所述第二曝光装置实施了曝光处理的基板交替地输送至所述后工序。
4.一种基板处理装置，对基板进行曝光处理的前工序的处理，并且进行曝光处理的后工序的处理，其特征在于，
具有：
前处理部，执行所述前工序的处理；
后处理部，执行所述后工序的处理；
接口部，将所述前处理部以及所述后处理部与第一曝光装置以及第二曝光装置连接，具有搬运基板的搬运机构和多个模块；以及
控制部，对所述搬运机构进行控制；
所述搬运机构具有：第一搬运机械手，取出从所述前处理部搬运来的基板；第二搬运机械手，向所述后处理部搬运基板；第三搬运机械手，与所述第一曝光装置进行基板的交接；以及第四搬运机械手，与所述第二曝光装置进行基板的交接；
多个所述模块包括对向所述第一曝光装置搬运的基板进行调温的第一调温器、以及对向所述第二曝光装置搬运的基板进行调温的第二调温器；
所述控制部对所述搬运机构进行控制，以按照所述第一搬运机械手、所述第一调温器、所述第三搬运机械手、所述第二调温器、所述第四搬运机械手、所述第二搬运机械手的顺序搬运基板，将实施了所述前工序的处理的多个基板分别依次搬运至所述第一曝光装置和所述第二曝光装置这两者。
5.如权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述接口部中层叠配置有多个所述模块的一部分。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一调温器与多个所述模块中的所述第二调温器以外的模块层叠；
所述第二调温器与多个所述模块中的所述第一调温器以外的模块层叠。
7.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
通过所述接口部搬运一张基板的期间的所述第一搬运机械手、所述第二搬运机械手、所述第三搬运机械手、以及所述第四搬运机械手中的每一个的访问次数为4以下。
8.如权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述前处理部包括对基板涂敷抗蚀剂的涂敷部。
9.如权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述后处理部包括对曝光处理后的基板进行显影处理的显影部。
10.一种基板处理方法，对基板进行曝光处理的前工序的处理，并且进行曝光处理的后工序的处理，其特征在于，
所述基板处理方法包括搬运工序，在所述搬运工序中，通过将执行所述前工序的处理的前处理部以及执行所述后工序的处理的后处理部与第一曝光装置以及第二曝光装置连接的接口部，将实施了所述前工序的处理的基板搬运至所述第一曝光装置和/或所述第二曝光装置，并且将实施了曝光处理的基板搬运至所述后处理部；
所述接口部具有搬运基板的搬运机构以及多个模块；
所述搬运机构具有：第一搬运机械手，取出从所述前处理部搬运来的基板；第二搬运机械手，向所述后处理部搬运基板；第三搬运机械手，与所述第一曝光装置进行基板的交接；以及第四搬运机械手，与所述第二曝光装置进行基板的交接；
多个所述模块包括对向所述第一曝光装置搬运的基板进行调温的第一调温器、以及对向所述第二曝光装置搬运的基板进行调温的第二调温器；
在所述搬运工序中，选择第一搬运模式或第二搬运模式，所述第一搬运模式为将实施了所述前工序的处理的多个基板分别依次搬运至所述第一曝光装置以及所述第二曝光装置这两者的搬运模式，所述第二搬运模式为将实施了所述前工序的处理的多个基板交替地搬运至所述第一曝光装置或所述第二曝光装置的搬运模式；
在所述第一搬运模式中，按照所述第一搬运机械手、所述第一调温器、所述第三搬运机械手、所述第二调温器、所述第四搬运机械手、所述第二搬运机械手的顺序，搬运基板；
在所述第二搬运模式中，按照所述第一搬运机械手、所述第一调温器、所述第三搬运机械手、所述第二搬运机械手的顺序、或者按照所述第一搬运机械手、所述第二调温器、所述第四搬运机械手、所述第二搬运机械手的顺序，搬运基板。
11.如权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，
在选择所述第二搬运模式时，通过设置于所述接口部的第一缓冲器暂时容纳曝光处理前的基板，以分配将该基板搬运至所述第一曝光装置和所述第二曝光装置中的哪一个。
12.如权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，
在选择所述第二搬运模式时，通过设置于所述接口部的第二缓冲器暂时容纳曝光处理后的基板，以将通过所述第一曝光装置实施了曝光处理的基板和通过所述第二曝光装置实施了曝光处理的基板交替地输送至所述后工序。
13.一种基板处理方法，对基板进行曝光处理的前工序的处理，并且进行曝光处理的后工序的处理，其特征在于，
通过将执行所述前工序的处理的前处理部以及执行所述后工序的处理的后处理部与第一曝光装置以及第二曝光装置连接的接口部，将实施了所述前工序的处理的多个基板分别依次搬运至所述第一曝光装置以及所述第二曝光装置这两者；
所述接口部具有搬运基板的搬运机构以及多个模块；
所述搬运机构具有：第一搬运机械手，取出从所述前处理部搬运来的基板；第二搬运机械手，向所述后处理部搬运基板；第三搬运机械手，与所述第一曝光装置进行基板的交接；以及第四搬运机械手，与所述第二曝光装置进行基板的交接；
多个所述模块包括对向所述第一曝光装置搬运的基板进行调温的第一调温器、以及对向所述第二曝光装置搬运的基板进行调温的第二调温器；
按照所述第一搬运机械手、所述第一调温器、所述第三搬运机械手、所述第二调温器、所述第四搬运机械手、所述第二搬运机械手的顺序，搬运基板。
14.如权利要求9～13中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述前工序包括对基板涂敷抗蚀剂的工序。
15.如权利要求9～14中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述后工序包括对曝光处理后的基板进行显影处理的工序。
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