CN102939560A - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents
液晶显示装置及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102939560A CN102939560A CN2011800285246A CN201180028524A CN102939560A CN 102939560 A CN102939560 A CN 102939560A CN 2011800285246 A CN2011800285246 A CN 2011800285246A CN 201180028524 A CN201180028524 A CN 201180028524A CN 102939560 A CN102939560 A CN 102939560A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- liquid crystal
- depressed part
- alignment films
- dielectric film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 162
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 95
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 claims abstract description 40
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 17
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 claims description 106
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 174
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 25
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000009193 crawling Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133388—Constructional arrangements; Manufacturing methods with constructional differences between the display region and the peripheral region
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本发明提供一种液晶显示装置及其制造方法。该液晶显示装置的第一基板具有形成于支承基板(21)上的布线层(16)(18)、形成于支承基板上且覆盖布线层的绝缘膜(43)、以及通过使具有流动性的取向膜材料(24)固化而形成的取向膜(23)。边框区域(32)包括密封构件(14)的形成区域(34)在内。在绝缘膜(43)的表面,形成有未贯穿绝缘膜(43)呈凹陷设置的凹陷部(48),从支承基板(21)的表面的法线方向观察时,凹陷部(48)至少有一部分与布线层(16)(18)重叠。取向膜(23)的端缘部(25)受凹陷部(48)的边缘部(51)支承,凹陷部(48)的底部从取向膜(23)露出。根据本发明,能够使液晶显示装置的非显示区域大幅度变窄,同时能够抑制取向膜材料的扩散。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示装置及其制造方法,尤其涉及对取向膜的涂布区域的控制。
背景技术
液晶显示装置一般具有将液晶层封入一对基板间的结构。一对基板由TFT基板和对置基板构成。TFT基板上形成有多根栅极布线、多根源极布线、多个像素电极和多个TFT。对置基板上形成有上述多个像素电极公用的公共电极。液晶层被框状的密封构件包围并密封在TFT基板与对置基板之间。
在上述一对基板上,形成有作为显示区域的像素区域、和设置在其外侧周围作为非显示区域的边框区域。TFT基板的边框区域包括密封构件的形成区域和设置在其外侧周围的端子区域。端子区域中形成有用于向像素区域提供信号的多个端子。
在TFT基板和对置基板上设有取向膜,以限制液晶层中的液晶分子在液晶层侧的表面上的取向。取向膜由例如聚酰亚胺等树脂模构成,其表面经过研磨处理。
取向膜通过在TFT基板和对置基板的表面上涂布液状聚酰亚胺后进行烧结使之固化而形成。聚酰亚胺可通过例如凸版印刷法或喷墨印刷法等涂布。
这里,采用上述喷墨法形成取向膜的工序中,为了使向基板喷射并落在基板上的聚酰亚胺等取向膜材料能在基板表面充分扩散,需要降低该取向膜材料的粘性。
由于低粘性的取向膜材料很容易在基板表面扩散,因此,容易扩散到本来不必扩散至的边框区域。若取向膜材料扩散到边框区域中的端子区域,多个端子会被作为绝缘膜的取向膜所覆盖,结果会妨碍端子与安装在该端子的电路芯片之间的导通。
专利文献1和2中,提出了通过在TFT基板的密封构件形成区域与进行显示的像素区域之间形成槽的结构,并在该槽内储留取向膜材料,从而防止过剩的取向膜材料扩散。
另外,专利文献3中公开了通过在TFT基板的表面设置进行了拒水处理的区域,以及用与形成在TFT基板上的布线层相同的材料来形成凹凸结构,从而来控制取向膜材料的浸润扩散。由于凹凸结构使用与布线层相同的材料来形成,因此能够通过刻蚀的方法与布线同时形成。
此处,图19是表示专利文献3中控制取向膜材料浸润扩散的原理的剖视图。如图19所示,专利文献3的凹凸结构100是由玻璃基板101上隔开规定间隔而设置的多个凸部102构成的。凸部102由与布线层相同的金属膜构成。当取向膜材料的液滴103滴到该凹部结构100上时,由于液滴103与玻璃基板101之间形成有空气层104,因此,液滴103容易发生弹跳,从而能够控制液滴103的浸润扩散
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2008-26345号公报
专利文献2:日本专利特开2007-322627号公报
专利文献3:日本专利特开2007-114586号公报
发明内容
发明所要解决的问题
但是,在上述专利文献1和2那样形成多道凹槽来储留取向膜材料的结构中,为了确保用于储留取向膜材料的容积,需要将多道凹槽的形成区域设置得比较宽。从而导致像素区域到密封构件形成区域之间的距离变长,因此很难使边框状的非显示区域的宽度变窄。
另外,关于上述专利文献3中记载的发明,当要在布线形成区域中形成凹凸结构时,布线会被切断,因此无法形成该凹凸结构。即,形成凹凸结构的区域受到限制,在没有形成该凹凸结构的区域中,取向膜材料会向密封构件形成区域浸润扩散,因此会导致液晶显示装置的可靠性显著降低。
本发明鉴于上述各方面,其目的在于无论布线采用何种布局方式,都尽可能地使液晶显示装置的非显示区域变窄,同时抑制取向膜材料的扩散。
解决技术问题所采用的技术方案
为了实现上述目的,本发明的液晶显示装置以具备第一基板、与上述第一基板相对设置的第二基板、设置在上述第一基板和第二基板之间的液晶层、以及设置在上述第一基板和第二基板之间包围上述液晶层对其进行密封的密封构件的液晶显示装置作为对象。
而且,上述第一基板和第二基板分别具有作为显示区域的像素区域、和作为非显示区域的边框区域,该边框区域是位于上述像素区域的外侧周围的区域,包括上述密封构件的形成区域在内,在上述第一基板和第二基板靠近上述液晶层的一侧,形成有通过将具有流动性的取向膜材料固化而形成的取向膜,该取向膜从上述像素区域向上述边框区域一侧扩散,上述第一基板具有支承基板、形成在该支承基板上的布线层、以及以覆盖该布线层的方式形成在上述支承基板上的绝缘膜,该绝缘膜在与上述支承基板相反一侧的一部分表面被上述取向膜直接覆盖,在上述绝缘膜的表面形成有未贯穿该绝缘膜呈凹陷设置的凹陷部,当从上述支承基板的表面的法线方向观察时,上述凹陷部至少有一部分与上述布线层重叠,上述凹陷部的边缘部设置在上述边框区域中,并且随着该边缘部的切平面逐渐朝向该凹陷部的内侧而向上述支承基板一侧倾斜,上述取向膜的端缘部受上述凹陷部的边缘部的支承,并且支承着该取向膜的端缘部的凹陷部的底部从上述取向膜露出。
-作用-
接着,对本发明的作用进行说明。
在制造上述液晶显示装置的情况下,固化前的取向膜材料形成为从像素区域向边框区域一侧扩散。从而,取向膜的端缘部形成于边框区域。另一方面,在第一基板的支承基板上,形成绝缘膜以覆盖布线层,并在该绝缘膜的表面形成凹陷的凹陷部。该凹陷部的边缘部设置在边框区域中。
然后,取向膜材料的浸润扩散被上述凹陷部的边缘部阻断。结果导致取向膜的端缘部受凹陷部的边缘部的支承。凹陷部的边缘部随着其切平面逐渐朝向凹陷部的内侧而向支承基板一侧倾斜,因此,能够根据取向膜材料的粘性来对其进行支承。
因此,在第一基板上,无需在支承结构部的侧部与多个端子之间设置用于储留取向膜材料的槽结构,从而能够示液晶显示装置的非显示区域大幅度变窄1~2mm左右,同时能够抑制取向膜材料的扩散。
而且,在凹陷部与布线层重叠设置的状态下,凹陷部与布线层之间存在绝缘层,因此,机能利用绝缘层保护布线层,又能使凹陷部连续延伸,而不管该布线层的布局采用何种方式。从而,能够更加可靠地防止取向膜材料的扩散。
另一方面,像现有技术那样在形成于基板上的槽内储留取向膜材料的结构中,由于储留的取向膜材料会占据多少槽结构的容积并不清楚,因此,在将液晶滴注到基板上来制造液晶显示装置时,难以恰当地限定包含槽结构中的空闲容量在内的要滴注的液晶材料的体积。如果液晶材料的体积少于所需的量,则液晶层中会产生气泡。
而本发明中,并不是将取向膜材料储留在凹陷部的内部,而使用该凹陷部的边缘部来阻断取向膜材料,因此,能够保持要滴注的液晶材料的体积大致固定。因而,能够将合适体积的液晶材料提供到支承基板上,以防止液晶层中产生气泡。
发明的效果
根据本发明,由于无需设置用于储留取向膜的树脂材料的槽结构,因此,液晶显示装置的非显示区域大幅度变窄,而且能够抑制取向膜材料扩散。而且,在将凹陷部与布线层重叠设置的状态下,凹陷部与布线层之间存在绝缘层,因此,利用绝缘层能够保护布线层,且能够无论该布线层的布局采用何种方式,都能使凹陷部连续延伸。从而,能够更可靠地防止取向膜材料扩散。
附图说明
图1是表示本实施方式1的液晶显示装置的简要结构的俯视图。
图2是将图1的TFT基板上用Ⅱ所示的区域放大表示的俯视图。
图3是将图1的TFT基板上用Ⅲ所示的区域放大表示的俯视图。
图4是图3的Ⅳ-Ⅳ线剖视图。
图5是将TFT基板上的凹陷部的边缘部附近放大表示的剖视图。
图6是将TFT基板的一部分放大表示的俯视图。
图7是示意性地表示用于形成凹陷部的半色调掩模的俯视图。
图8是表示经半色调曝光后显影的平坦化膜的剖视图。
图9是表示经后烘后的平坦化膜的剖视图。
图10是表示液晶显示装置的简要结构的剖视图。
图11是表示边缘部的最大角度及凹陷部的凹陷深度与控制取向膜材料扩散的特性之间的关系的图表。
图12是将θ1max为约15°时的凹陷部的附近放大表示的剖视图。
图13是将θ1max为约50°时的凹陷部的附近放大表示的剖视图。
图14是将θ1max为约5°时的凹陷部的附近放大表示的剖视图。
图15是将其它实施方式中的TFT基板的一部分放大表示的俯视图。
图16是将其它实施方式中的TFT基板的一部分放大表示的俯视图。
图17是将其它实施方式中的TFT基板的角部放大表示的俯视图。
图18是将其它实施方式中的TFT基板的角部放大表示的俯视图。
图19是表示现有的控制取向膜材料浸润扩散的原理的剖视图。
具体实施方式
下面,基于附图详细说明本发明的实施方式。本发明不限于以下的实施方式。
《发明的实施方式1》
图1~图10示出本发明的实施方式1。
图1是表示本实施方式1的液晶显示装置1的简要结构的俯视图。图2是将图1的TFT基板11上用Ⅱ所示的区域放大表示的俯视图。图3是将图1的TFT基板11上用Ⅲ所示的区域放大表示的俯视图。图4是图3的Ⅳ-Ⅳ线剖视图。
图5是将TFT基板11上的凹陷部48的边缘部51附近放大表示的剖视图。图6是将TFT基板11的一部分放大表示的俯视图。另外,图6中,省略了后文所述的取向膜23和凹陷部48的图示。图10是表示液晶显示装置1的简要结构的剖视图。
如图1和图10所示,液晶显示装置1包括:作为第一基板的TFT基板11、与TFT基板11相对设置的作为第二基板的对置基板12、以及设置在TFT基板11与对置基板12之间的液晶层13。
液晶显示装置1还具有设置在TFT基板11与对置基板12之间包围液晶层13对其进行密封的密封构件14,密封构件14如图1所示,形成为大致矩形框状,由例如丙烯酸或环氧类树脂等对于紫外线和热都能进行固化的这一类树脂构成。在密封构件14中,分散混入有例如多个导电性粒子(未图示)。密封构件14的线宽为例如0.5mm~2.5mm左右。
TFT基板11和对置基板12分别具有作为显示区域的像素区域31和像素区域31的外侧周围的区域即作为非显示区域的边框区域32。边框区域32包括与像素区域31隔开规定间隔而设置的密封构件形成区域34(密封构件14的形成区域)在内。
另外,在TFT基板11和对置基板12靠近液晶层13的一侧,通过使具有流动性的取向膜材料24固化而形成有取向膜23,该取向膜23从像素区域31向密封构件14的形成区域一侧扩散。
取向膜23由聚酰亚胺等树脂材料形成,用于限制液晶层13的液晶分子的初始取向。通过在聚酰亚胺等中添加溶剂来降低其粘性,从而形成取向膜材料24。取向膜材料24可以使用例如JSR株式会社制造的粘度为6.5mPa·s的垂直取向膜材料。
TFT基板11的边框区域32如图6所示,具有形成有用于向像素区域31提供信号的多个端子28的端子区域33,该端子区域33位于密封构件形成区域34的与像素区域31相反一侧的区域。端子区域33如图4所示,形成于TFT基板11的侧部区域。
TFT基板11上的密封构件形成区域34中,如图6所示,在作为绝缘膜的平坦化膜43的表面,形成有多个由ITO(Indium Tin Oxide:铟锡氧化物)等透明导电膜形成的作为电极部的焊盘20。焊盘20形成100nm左右的厚度,并沿密封构件14隔开规定间隔设置。该焊盘20是通过密封构件14的导电性粒子而与对置基板12的公共电极(省略其图示)电连接用的部件。
在TFT基板11的像素区域31中,多个像素5设置成矩阵状。各像素5中分别形成有由ITO等透明导电膜构成的像素电极15。像素电极15的厚度为例如100nm左右。另外,各像素5中还形成有与像素电极15相连接的作为开关元件的TFT(Thin-Film Transistor:薄膜晶体管,未图示)。
另外,构成TFT的半导体层(未图示)由厚度为150nm的i-Si膜(本征硅膜)和厚度为40nm的n+Si膜按照此顺序层叠而成。此外,在上述半导体层上还层叠着厚度为200nm左右的SiNx膜作为沟道保护膜。
此外,在TFT基板11上,如图2和图3所示,还形成有与上述TFT相连接的栅极布线18和源极布线16等。栅极布线18由厚度为30nm左右的Ti膜、厚度为300nm左右的Al膜和厚度为100nm左右的Ti膜按此顺序层叠而成。源极布线16则由厚度为30nm左右的Ti膜和厚度为300nm左右的Al膜按此顺序层叠而成。上述栅极布线18和源极布线16的线宽为10μm左右。相邻的栅极布线18彼此间的间隔如图2所示,为200μm左右。而相邻的源极布线16彼此间的间隔如图3所示,为70μm左右。
另外,如图4所示,TFT基板11具有玻璃基板21作为支承基板,在该玻璃基板21靠近液晶层13一侧的表面上,形成有上述栅极布线18和覆盖栅极布线18的栅极绝缘膜41。另外,如图1所示,在玻璃基板21的边框区域32中,形成有以与上述栅极布线18相同的材料构成的多个引出布线17。引出布线17的线宽为10μm左右。该引出布线17的端部设有端子28。
源极布线16通过触点部(未图示)而与引出布线17相连接。栅极绝缘膜41由例如SiNx等构成,形成为400nm左右的厚度。
在栅极绝缘膜41的表面形成有作为保护膜的钝化膜42。钝化膜42由例如SiNx等无机膜构成,形成为250nm左右的厚度。
在源极布线16的表面则形成有钝化膜42以及覆盖该钝化膜42作为绝缘膜的平坦化膜43。即,平坦化膜43形成为在玻璃基板21上覆盖源极布线16等布线层。平坦化膜43由例如光固化性丙烯酸树脂等光固化性树脂(感光性树脂)构成,形成为2~2.5μm左右的厚度。
在像素区域31中的平坦化膜43的表面形成有上述多个像素电极15。另一方面,在密封构件形成区域34中的上述平坦化膜43的表面形成有上述密封构件14。另外,平坦化膜43的与玻璃基板21相反一侧的一部分表面被取向膜23直接覆盖。
并且,在平坦化膜43的表面形成有不贯穿该平坦化膜43呈凹陷设置的凹陷部48。
这里,当从玻璃基板21的表面的法线方向观察时,凹陷部48至少有一部分与源极布线16或栅极布线18等布线层重叠。如图2和图3所示,本实施方式的凹陷部48沿着密封构件形成区域34延伸形成。凹陷部48沿着密封构件形成区域延伸成槽状,从而整体形成为框状。
凹陷部48的槽宽为例如20μm左右,凹陷部48的槽深为例如1μm左右。凹陷部48如后文所述那样能够通过光刻方法形成。
凹陷部48的边缘部51设置在边框区域32中,尤其是设置在像素区域31与密封构件形成区域34之间。而且,如图5所示,该凹陷部48的边缘部51随着该边缘部51的切平面53逐渐朝向该凹陷部48的内侧而向玻璃基板21一侧倾斜。取向膜23的端缘部25受凹陷部48的边缘部51的支承,且支承着该取向膜23的端缘部25的凹陷部48的底部从取向膜23露出。
这里,将上述凹陷部48的边缘部51的切平面53与玻璃基板21表面所成的最大角度设为θ1max。另外,将上述凹陷部48的切平面53在支承着取向膜23(取向膜材料24)的端缘部25的位置上与玻璃基板21表面所成的角度设为θ1。并将上述取向膜23的端缘部25表面的切平面54与上述切平面53所成的角度设为θ2。
然后,将凹陷部48的边缘部51的切平面53与玻璃基板21表面所成的最大角度设θ1max限定为5°以上。另一方面,优选将上述最大角度θ1max限定为小于88°。
这里,图11是表示边缘部51的最大角度θ1max及凹陷部48的凹陷深度与控制取向膜材料24扩散的特性之间的关系的图表。图11中,标记“○”表示边缘部51恰当地支承了取向膜材料24,标记“×”则表示没有恰当地支承取向膜材料24。实验所用的取向膜材料的粘度为6.5mPa·s。
图12~图14是分别将θ1max为约15°、约50°、约5°时的凹陷部48的附近放大表示的剖视图。图12~图14中,符号A表示凹陷部48的切平面53的角度达到最大角度θ1max时的位置。符号B则表示被凹陷部48的边缘部51阻断的取向膜23(取向膜材料24)的端缘部25的位置。
通过试验可知,如图12所示,位置A上的最大角度θ1max为约15°时,位置B上的角度θ1为约5°,且角度θ2为约2°。另外,如图13所示,位置A上的最大角度θ1max为约50°时,位置B上的角度θ1为约5°,且角度θ2为约2°。另外,如图14所示可知,位置A上的最大角度θ1max为约5°时,位置A与位置B一致,该位置B上的角度θ1为约5°,且角度θ2为约2°。
并且,如图11的实验结果可知,凹陷部48的凹陷深度与控制取向膜材料24的扩散无关,只有边缘部51的最大角度θ1max影响到控制取向膜材料24的扩散。当最大角度θ1max小于5°时,取向膜材料24不受上述边缘部51的支承而进行扩散。另一方面,当最大角度θ1max在88°以上时,θ1max+θ2达到90°以上,从而无法阻断取向膜。当最大角度θ1max为5°以上且小于88°时,取向膜材料24能够在边缘部51受到很好的的支承。
这样,由于正确地限定了边缘部51的切平面53的最大角度θ1max,因此,在该边缘部51能够以角度θ2来阻断从像素区域31一侧流过来的取向膜材料24。从而,取向膜23及取向膜材料24在上述凹陷部48的边缘部51附近,向液晶层13一侧突起。
如图4所示,上述取向膜23及取向膜材料24的突起区域的宽度为200μm左右。取向膜材料24的突起区域的厚度a约为10μm以下,固化后的取向膜23的突起区域的厚度a约为0.7μm左右。像素区域31一侧的平坦的取向膜材料24的厚度b约为3μm左右,而像素区域31一侧的固化后的平坦的取向膜23的厚度b约为0.1μm左右。
另一方面,对置基板12具有作为支承基板的玻璃基板(未图示)。在该玻璃基板靠近液晶层13的一侧,形成有构成滤色片(未图示)的多个着色层(未图示)和作为遮光膜的黑矩阵(未图示)。在滤色片的表面形成有由ITO等透明导电膜构成的公共电极(未图示)。公共电极的表面与TFT基板11相同,也被取向膜(未图示)覆盖。
-制造方法-
接着,对本上述液晶显示装置1的制造方法进行说明。
液晶显示装置1的制造方法包括以下工序:形成TFT基板11的工序;形成对置基板12的工序;以及将TFT基板11与对置基板12隔着液晶层13及密封构件14彼此贴合的工序。
即,液晶显示装置1通过在TFT基板11或对置基板12上形成框状的密封构件14,并在该密封构件14的内侧滴注液晶后,将上述TFT基板11和对置基板12彼此贴合制造而成。
形成TFT基板11的工序包括:在作为透明支承基板的玻璃基板21上形成布线层16、18的工序;在玻璃基板21上形成平坦化膜43来覆盖布线层16、18的工序;以及在平坦化膜43的表面直接形成取向膜23来覆盖布线层16、18的工序。
形成布线层16、18的工序中,在玻璃基板21的表面形成栅极布线18、栅极绝缘膜41、硅膜(未图示)、源极布线16、钝化膜42、平坦化膜43、ITO膜等。
栅极布线18等金属膜通过溅射法形成,构成TFT的半导体层、绝缘膜及沟道保护膜则通过CVD法形成,然后,分别采用光刻法及湿刻法或干刻法形成规定的形状。
形成平坦化膜43的工序中,在平坦化膜43的表面形成凹陷部48,该凹陷部48不贯穿该平坦化膜43呈凹陷设置,从玻璃基板21的表面的法线方向观察时,该凹陷部48至少有一部分与布线层16、18重叠,并且,将凹陷部48的边缘部51设置在边框区域32中,同时使该边缘部51随着该边缘部41的切平面逐渐朝向该凹陷部48的内侧而向玻璃基板21一侧倾斜。
另外,凹陷部48沿着密封构件14的形成区域延伸而形成。并且,将该凹陷部48设置在像素区域31与密封构件14的形成区域之间。
平坦化膜43可以用光固化性丙烯酸树脂等感光性有机材料、非感光性绝缘膜形成。当使用感光性有机材料时,通过采用例如旋涂法(也可以采用狭缝涂布法或喷墨法),在玻璃基板21上形成有机材料,并使其表面平坦。
然后,通过半色调曝光,形成上述平坦化膜43的凹陷部48。这里,图7是示意性地表示用于形成凹陷部48的半色调掩模60的俯视图。图8是表示经半色调曝光后显影的平坦化膜43的剖视图。图9是表示经后烘后的平坦化膜43的剖视图。
在该用于半色调曝光的半色调掩模60上,如图7所示,隔开规定间隔形成有多个狭缝61。各狭缝61的宽度为3μm左右,且隔开3μm左右的间距。因而,形成了狭缝61的区域整体宽度在15μm左右。
通过使用上述半色调掩模60,将平坦化膜43上沿着密封构件形成区域34的区域曝光之后并显影,如图8所示,形成由凹状曲面形成的槽部62。然后,通过后烘对形成了上述槽部62的平坦化膜43进行加热,从而使该平坦化膜43的曲面变成平滑的曲面。由此,上述槽部62通过加热而发生变形,形成具有曲面状的边缘部51的凹陷部48。
当使用非感光性绝缘膜来形成平坦化膜43时,通过使用例如CVD法(也可以使用溅射法或用涂布型材料进行涂布),在玻璃基板21上形成均一膜厚的绝缘材料层后,在该绝缘材料层的整个表面涂布感光性抗蚀剂。接着,用光刻法形成规定的抗蚀剂图案。然后,对绝缘材料层进行刻蚀(湿刻或干刻)以去除上述抗蚀剂图案,从而形成上述凹陷部48。
接下来,在形成上述取向膜23的工序中,使具有流动性的取向膜材料24从上述像素区域向上述边框区域扩散,利用上述凹陷部48的边缘部来支承该取向膜材料24的端缘部25,并且使支承着该取向膜材料24的端缘部25的凹陷部48的底部从取向膜材料24露出。
首先,在上述平坦化膜43的表面形成ITO层,并采用光刻法或刻蚀法对该ITO层进行图案形成,从而形成多个像素电极15。然后,通过喷墨法提供聚酰亚胺等具有流动性的取向膜材料24,使其覆盖上述像素电极15等。
取向膜材料24从像素区域31向边框区域32流动,当到达凹陷部48的边缘部51时,该取向膜材料24的端缘部25被上述边缘部51支承。结果如图4所示,取向膜材料24在凹陷部48的边缘部51附近,向液晶层13的一侧突起并被阻断。然后,通过对取向膜材料24进行烧结,形成取向膜23。通过这样制造TFT基板11。
-实施方式1的效果-
因而,根据上述实施方式1,在TFT基板11上设置用于支承取向膜23(取向膜材料24)的凹陷部48,并且在该凹陷部48形成了边缘部51,该边缘部51随着其切平面53逐渐朝向随着凹陷部48内侧而向玻璃基板21倾斜,因此,利用该边缘部41对取向膜23(取向膜材料24)进行支承,并且即使该取向膜材料24的粘度较低,也能够对该取向膜23(取向膜材料24)的端缘部25进行支承。
从而,能够使多余的取向膜材料24储留在凹陷部48的边缘部51靠近液晶层13的一侧,因此,无需在凹陷部48的边缘部51靠近密封构件形成区域34的一侧形成用于储留取向膜材料24的槽结构,从而能够使液晶显示装置1的边框区域32大幅度变窄,同时能够恰当地抑制取向膜材料24扩散,防止该取向膜材料24与密封构件14重叠。
而且,由于将上述边缘部51的切平面53与玻璃基板21所成的最大角度θ1max限定为在5°以上且小于88°,因此,在边缘部51能够可靠地支承取向膜材料24。
此外,在将凹陷部48与源极布线16等布线层重叠设置的状态下,凹陷部48与布线层之间存在平坦化膜43,因此,利用平坦化膜43能够保护布线层免受刻蚀剂等造成的损伤,而且,无论上述布线层的布局采用何种方式,都能使凹陷部48连续地延伸。从而,凹陷部48可以形成为沿着密封构件形成区域34而包围像素区域1的环状,因此,能够更可靠地防止取向膜材料24扩散。
另一方面,像现有技术那样在形成于基板上的槽内储留取向膜材料的结构中,由于储留的取向膜材料会占据多少槽结构的容积并不清楚,因此,在将液晶滴注到基板上来制造液晶显示装置时,难以恰当地限定包含槽结构中的空闲容量在内的要滴注的液晶材料的体积。如果液晶材料的体积少于所需的量,则液晶层中有可能产生气泡。
而在本实施方式中,如图4所示,并不将取向膜材料24储留在凹陷部48内,而是用该凹陷部48的边缘部51来阻断取向膜材料24,因此,能够将要滴注的液晶材料的体积维持得大致固定。因此,能够将合适体积的液晶材料提供到玻璃基板21上,以防止液晶层13中产生气泡。
而且,由于平坦化膜43由光固化性丙烯酸树脂构成,因此,能够通过半色调曝光很好地控制凹陷部48及其边缘部51,并容易形成合适的形状。
《其它实施方式》
在上述实施方式1中,将凹陷部48形成为沿着密封构件形成区域34且不中断地包围像素区域31的环状,但本发明不限于此,凹陷部48也可以是至少在一个部位被切断的形状。例如,根据TFT基板11上的布线图案等,可以形成为在取向膜23发生扩散也不会造成问题的区域中将凹陷部48切断的形状。
这里,图15和图16是将其它实施方式中的TFT基板的一部分放大表示的俯视图。在上述实施方式1中,说明了将一道凹陷部48沿着密封构件形成区域34设置的例子,但本发明不限于此,也可以如图15所示那样,沿着密封构件形成区域34分别设置多道凹陷部48。
这样一来,即使取向膜材料24越过设置在像素区域31一侧的凹陷部48而扩散到外侧(图11中为左侧),也能利用设置在外侧的其它凹陷部48的边缘部51,来防止该取向膜材料24扩散。
另外,在上述实施方式1中说明了凹陷部48呈直线状延伸的例子,但本发明不限于此,也可以如图16所示那样,凹陷部48沿着密封构件形成区域34蛇行延伸的形状。这样也能很好地防止取向膜材料24扩散。
另外,图17和图18是将其它实施方式中的TFT基板的角部放大表示的俯视图。凹陷部48在密封构件形成区域34的角部区域中,既可以如图17所示那样弯曲成大致直角的形状,也可以是如图18所是那样的圆弧状。
工业上的实用性
如以上所示目的,本发明可用于液晶显示装置及其制造方法,尤其适合对取向膜的涂布区域进行控制的情况。
标号说明
1液晶显示装置
11TFT基板(第一基板)
12对置基板(第二基板)
13液晶层
14密封构件
16源极布线(布线层)
18栅极布线(布线层)
21玻璃基板(支承基板)
23取向膜
24取向膜材料
25端缘部
31像素区域
32边框区域
34密封构件形成区域
43平坦化膜(绝缘膜)
48凹陷部
51边缘部
Claims (10)
1.一种液晶显示装置,其特征在于,包括:
第一基板;
与所述第一基板相对设置的第二基板;
设置在所述第一基板与第二基板之间的液晶层;以及
设置在所述第一基板与第二基板之间将所述液晶层包围并密封的密封构件,
所述第一基板及第二基板分别具有作为显示区域的像素区域、和作为非显示区域的边框区域,该边框区域是位于所述像素区域的外侧周围的区域,且包括所述密封构件的形成区域在内,
所述第一基板及第二基板在靠近所述液晶层的一侧形成有取向膜,该取向膜通过使具有流动性的取向膜材料固化而形成,并从所述像素区域向所述边框区域一侧扩散,
所述第一基板具有支承基板、形成在该支承基板上的布线层、以及形成在所述支承基板上并覆盖该布线层的绝缘膜,该绝缘膜在与所述支承基板相反一侧的一部分表面被所述取向膜直接覆盖,
在所述绝缘膜的表面形成有不贯穿该绝缘膜呈凹陷设置的凹陷部,
当从所述支承基板的表面的法线方向观察时,所述凹陷部至少有一部分与所述布线层重叠,
所述凹陷部的边缘部设置在所述边框区域中,并且形成为随着该边缘部的切平面逐渐朝向该凹陷部的内侧而向所述支承基板一侧倾斜,
所述取向膜的端缘部受所述凹陷部的边缘部的支承,且支承着该取向膜的端缘部的凹陷部的底部从所述取向膜露出。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,
所述凹陷部沿着所述密封构件的形成区域延伸而形成。
3.如权利要求1或2所述的液晶显示装置,其特征在于,
所述凹陷部设置在所述像素区域与所述密封构件的形成区域之间。
4.如权利要求1至3的任一项所述的液晶显示装置,其特征在于,
所述取向膜在所述凹陷部的边缘部附近,向所述液晶层一侧突起。
5.如权利要求1至4的任一项所述的液晶显示装置,其特征在于,
所述绝缘膜由光固化性树脂构成。
6.一种液晶显示装置的制造方法,该液晶显示装置中彼此相对的第一基板和第二基板分别具有作为显示区域的像素区域、和作为非显示区域的边框区域,该边框区域是位于所述像素区域的外侧周围的区域,且包括密封构件的形成区域在内,该制造方法的特征在于,包括:
形成第一基板的工序;
形成第二基板的工序;以及
将所述第一基板和第二基板隔着液晶层及密封构件彼此贴合的工序,
形成所述第一基板的工序包括在支承基板上形成布线层的工序、在所述支承基板上形成绝缘膜以覆盖所述布线层的工序、以及在所述绝缘膜的表面直接形成取向膜以覆盖所述布线层的工序,
在形成所述绝缘膜的工序中,在所述绝缘膜的表面形成凹陷部,该凹陷部不贯穿所述绝缘膜且呈凹陷设置,从所述支承基板的表面的法线方向观察时,所述凹陷部至少有一部分与所述布线层重叠,并且,将所述凹陷部的边缘部设置在所述边框区域中,且随着该边缘部的切平面逐渐朝向该凹陷部的内侧而向所述支承基板一侧倾斜,
在形成所述取向膜的工序中,使具有流动性的取向膜材料从所述像素区域向所述边框区域扩散,利用所述凹陷部的边缘部来支承该取向膜材料的端缘部,并且使支承着该取向膜材料的端缘部的凹陷部的底部从所述取向膜材料露出。
7.如权利要求6所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于,
在形成所述绝缘膜的工序中,使所述凹陷部沿着所述密封构件的形成区域延伸而形成。
8.如权利要求6或7所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于,
在形成所述绝缘膜的工序中,将所述凹陷部设置在所述像素区域与所述密封构件的形成区域之间。
9.如权利要求6至8的任一项所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于,
在形成所述取向膜的工序中,使所述取向膜在所述凹陷部的边缘部附近,向所述液晶层一侧突起。
10.如权利要求6至9的任一项所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于,
在形成所述绝缘膜的工序中,用光固化性树脂构成所述绝缘膜。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010-133325 | 2010-06-10 | ||
JP2010133325 | 2010-06-10 | ||
PCT/JP2011/002771 WO2011155133A1 (ja) | 2010-06-10 | 2011-05-18 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102939560A true CN102939560A (zh) | 2013-02-20 |
Family
ID=45097754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2011800285246A Pending CN102939560A (zh) | 2010-06-10 | 2011-05-18 | 液晶显示装置及其制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8885127B2 (zh) |
EP (1) | EP2581784A4 (zh) |
JP (1) | JP5302460B2 (zh) |
CN (1) | CN102939560A (zh) |
WO (1) | WO2011155133A1 (zh) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105093627A (zh) * | 2015-08-17 | 2015-11-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板 |
CN105556382A (zh) * | 2013-09-26 | 2016-05-04 | 夏普株式会社 | 显示部件和显示装置 |
CN105867034A (zh) * | 2015-02-09 | 2016-08-17 | 全视技术有限公司 | 硅基液晶面板及相关方法 |
CN106501983A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-03-15 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN106773340A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-05-31 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
CN107422541A (zh) * | 2016-05-24 | 2017-12-01 | 深超光电(深圳)有限公司 | 配向膜及其制备方法、显示面板与显示器 |
CN107924091A (zh) * | 2015-08-31 | 2018-04-17 | 夏普株式会社 | 显示面板以及显示面板的制造方法 |
CN109212845A (zh) * | 2018-10-25 | 2019-01-15 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板、显示装置及显示基板的制备方法 |
CN109729746A (zh) * | 2016-09-01 | 2019-05-07 | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 | 具有载体和光电部件的装置 |
CN110376778A (zh) * | 2018-04-13 | 2019-10-25 | 夏普株式会社 | 显示装置、以及显示装置的制造方法 |
CN110537251A (zh) * | 2017-04-25 | 2019-12-03 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
CN110716342A (zh) * | 2019-10-28 | 2020-01-21 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN112198722A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-01-08 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种液晶面板 |
CN113138474A (zh) * | 2020-01-20 | 2021-07-20 | 松下液晶显示器株式会社 | 视角控制单元、视角控制单元的基板组件及显示组件 |
CN114779533A (zh) * | 2022-04-11 | 2022-07-22 | Tcl华星光电技术有限公司 | 配向膜及其制备方法 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2525252A4 (en) * | 2010-01-12 | 2014-06-04 | Sharp Kk | LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
CN202133987U (zh) * | 2011-07-22 | 2012-02-01 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种电磁感应天线板、背光源及显示装置 |
CN102854669B (zh) * | 2012-09-27 | 2015-01-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其制作方法 |
JP6348297B2 (ja) | 2014-02-21 | 2018-06-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102244018B1 (ko) | 2014-11-20 | 2021-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN104570455B (zh) * | 2014-12-19 | 2017-06-27 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板的制作方法 |
KR20160123424A (ko) * | 2015-04-15 | 2016-10-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
WO2017017818A1 (ja) | 2015-07-29 | 2017-02-02 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 液晶表示装置 |
JP6470204B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2019-02-13 | 富士フイルム株式会社 | 液晶表示パネルの製造方法 |
CN107436504B (zh) * | 2016-05-27 | 2020-05-08 | 深超光电(深圳)有限公司 | 彩膜基板、显示面板、显示装置及彩膜基板的制备方法 |
US10957268B2 (en) | 2016-08-12 | 2021-03-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active-matrix substrate and display device |
WO2019004051A1 (ja) | 2017-06-28 | 2019-01-03 | シャープ株式会社 | 表示装置用基板及び表示装置 |
KR20190124845A (ko) * | 2018-04-26 | 2019-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
CN109581752B (zh) * | 2018-12-24 | 2021-07-27 | 惠科股份有限公司 | 配向液的涂布方法及涂布系统 |
WO2020226369A1 (en) * | 2019-05-03 | 2020-11-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode module |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050052600A1 (en) * | 2003-09-02 | 2005-03-10 | Shunichi Hashimoto | Reflective liquid crystal display device, method of manufacturing the same, and liquid crystal display unit |
CN1776507A (zh) * | 2004-11-17 | 2006-05-24 | 京东方显示器科技公司 | 凹部垂直配向模式液晶显示装置 |
JP2006201312A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Nec Corp | 液晶表示パネル及び液晶表示装置 |
CN101140390A (zh) * | 2006-09-08 | 2008-03-12 | 株式会社日立显示器 | 液晶显示装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006015271A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Seiko Epson Corp | 薄膜形成方法 |
JP4142058B2 (ja) | 2005-06-22 | 2008-08-27 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
JP4768393B2 (ja) | 2005-10-21 | 2011-09-07 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP4651580B2 (ja) | 2006-05-31 | 2011-03-16 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
JP4820226B2 (ja) | 2006-07-18 | 2011-11-24 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP4869892B2 (ja) | 2006-12-06 | 2012-02-08 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
JPWO2010070960A1 (ja) * | 2008-12-17 | 2012-05-24 | シャープ株式会社 | 液晶パネルおよび液晶表示装置 |
EP2525252A4 (en) * | 2010-01-12 | 2014-06-04 | Sharp Kk | LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
EP2525251A4 (en) * | 2010-01-14 | 2013-10-30 | Sharp Kk | LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE |
-
2011
- 2011-05-18 JP JP2012519224A patent/JP5302460B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-18 EP EP11792095.9A patent/EP2581784A4/en not_active Withdrawn
- 2011-05-18 CN CN2011800285246A patent/CN102939560A/zh active Pending
- 2011-05-18 WO PCT/JP2011/002771 patent/WO2011155133A1/ja active Application Filing
- 2011-05-18 US US13/702,697 patent/US8885127B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050052600A1 (en) * | 2003-09-02 | 2005-03-10 | Shunichi Hashimoto | Reflective liquid crystal display device, method of manufacturing the same, and liquid crystal display unit |
CN1776507A (zh) * | 2004-11-17 | 2006-05-24 | 京东方显示器科技公司 | 凹部垂直配向模式液晶显示装置 |
JP2006201312A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Nec Corp | 液晶表示パネル及び液晶表示装置 |
CN101140390A (zh) * | 2006-09-08 | 2008-03-12 | 株式会社日立显示器 | 液晶显示装置 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105556382A (zh) * | 2013-09-26 | 2016-05-04 | 夏普株式会社 | 显示部件和显示装置 |
CN105867034A (zh) * | 2015-02-09 | 2016-08-17 | 全视技术有限公司 | 硅基液晶面板及相关方法 |
CN105093627A (zh) * | 2015-08-17 | 2015-11-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板 |
CN107924091A (zh) * | 2015-08-31 | 2018-04-17 | 夏普株式会社 | 显示面板以及显示面板的制造方法 |
CN107924091B (zh) * | 2015-08-31 | 2020-12-25 | 夏普株式会社 | 显示面板以及显示面板的制造方法 |
CN107422541B (zh) * | 2016-05-24 | 2020-05-08 | 深超光电(深圳)有限公司 | 配向膜及其制备方法、显示面板与显示器 |
CN107422541A (zh) * | 2016-05-24 | 2017-12-01 | 深超光电(深圳)有限公司 | 配向膜及其制备方法、显示面板与显示器 |
CN109729746A (zh) * | 2016-09-01 | 2019-05-07 | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 | 具有载体和光电部件的装置 |
CN109729746B (zh) * | 2016-09-01 | 2020-07-10 | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 | 具有载体和光电部件的装置 |
US10629578B2 (en) | 2016-09-01 | 2020-04-21 | Osram Oled Gmbh | Arrangement having a carrier and an optoelectronic component |
CN106501983A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-03-15 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN106501983B (zh) * | 2016-12-23 | 2019-08-02 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN106773340A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-05-31 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
CN106773340B (zh) * | 2016-12-26 | 2019-11-26 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
CN110537251A (zh) * | 2017-04-25 | 2019-12-03 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
CN110376778A (zh) * | 2018-04-13 | 2019-10-25 | 夏普株式会社 | 显示装置、以及显示装置的制造方法 |
CN109212845A (zh) * | 2018-10-25 | 2019-01-15 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板、显示装置及显示基板的制备方法 |
CN109212845B (zh) * | 2018-10-25 | 2021-09-17 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板、显示装置及显示基板的制备方法 |
CN110716342A (zh) * | 2019-10-28 | 2020-01-21 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113138474A (zh) * | 2020-01-20 | 2021-07-20 | 松下液晶显示器株式会社 | 视角控制单元、视角控制单元的基板组件及显示组件 |
CN112198722A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-01-08 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种液晶面板 |
CN114779533A (zh) * | 2022-04-11 | 2022-07-22 | Tcl华星光电技术有限公司 | 配向膜及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2581784A1 (en) | 2013-04-17 |
US8885127B2 (en) | 2014-11-11 |
JP5302460B2 (ja) | 2013-10-02 |
US20130077035A1 (en) | 2013-03-28 |
EP2581784A4 (en) | 2014-01-01 |
JPWO2011155133A1 (ja) | 2013-08-01 |
WO2011155133A1 (ja) | 2011-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102939560A (zh) | 液晶显示装置及其制造方法 | |
US12189226B2 (en) | Display device | |
JP5372900B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP5239924B2 (ja) | 液晶表示装置及びそれを用いた電子機器 | |
CN102246088A (zh) | 液晶面板和液晶显示装置 | |
CN104335111A (zh) | 液晶显示装置 | |
CN102687066A (zh) | 液晶显示装置及其制造方法 | |
CN101276118B (zh) | 显示器件及其制造方法 | |
CN104603685A (zh) | 液晶显示装置 | |
US9291841B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
US9897877B2 (en) | Thin film transistor array substrate and liquid crystal display panel using same | |
CN101419375A (zh) | 电泳显示器件及其制造方法 | |
CN101482677A (zh) | 液晶显示装置以及液晶显示装置的制造方法 | |
US20120242946A1 (en) | Liquid crystal display device and method for manufacturing same | |
CN104011632A (zh) | 触摸面板和带触摸面板的显示装置 | |
CN102224536A (zh) | 显示面板用基板、显示面板 | |
CN102656510A (zh) | 液晶显示装置 | |
US20070052908A1 (en) | Liquid crystal display and method for manufacturing the same | |
US20160274404A1 (en) | Display panel, display device, and method for manufacturing display panel | |
JP5714676B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
US20130105804A1 (en) | Display panel and method of manufacturing the same | |
TWI344563B (en) | Liquid crystal display unit and method for fabricating the same | |
US20070181921A1 (en) | Display device and manufacturing method therefor | |
KR20100077094A (ko) | 전기영동표시소자의 제조방법 | |
KR20080041771A (ko) | 박막트랜지스터 기판 및 그 제조방법, 박막트랜지스터를포함하는 액정표시패널 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130220 |