CN101958340A

CN101958340A - 有机发光二极管显示器

Info

Publication number: CN101958340A
Application number: CN2010102337613A
Authority: CN
Inventors: 姜镇求; 崔相武; 金茂显; 金禁男
Original assignee: Samsung Mobile Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2009-07-20
Filing date: 2010-07-20
Publication date: 2011-01-26
Anticipated expiration: 2030-07-20
Also published as: CN101958340B; EP2278622A2; JP2011023340A; EP2278622A3; US20110012816A1; JP5578712B2; KR101107178B1; KR20110008621A; US8587499B2

Abstract

一种有机发光二极管显示器，包括多个像素区域和介于所述多个像素区域之间的透明区域，所述显示器包括：基板构件；位于所述基板构件上的薄膜晶体管和电容器元件，所述薄膜晶体管和所述电容器元件与所述像素区域重叠；位于所述基板构件上的栅线、数据线和共用电源线，所述栅线、所述数据线和所述共用电源线与所述像素区域和所述透明区域重叠，并且被连接至所述薄膜晶体管和/或所述电容器元件中的相应一个；以及位于所述基板构件上的像素电极，所述像素电极与所有的所述薄膜晶体管和所述电容器元件重叠，并且与所述栅线、所述数据线和所述共用电源线的与所述像素区域重叠的相应部分重叠。

Description

有机发光二极管显示器

技术领域

实施例总体上涉及有机发光二极管显示器(OLED)，更具体地说，涉及透明的有机发光二极管显示器。

背景技术

有机发光二极管显示器包括多个有机发光二极管，每个二极管具有空穴注入电极、有机发射层和电子注入电极。从空穴注入电极如阳极供给的空穴和从电子注入电极如阴极供给的电子可以在有机发射层中复合为激子，即电子-空穴对。有机发射层可以在激子回到基能态，例如激子从激发态落到基态时发光。有机发光二极管显示器可以利用该光发射来显示图像。

基于这种原理，有机发光二极管显示器具有自发光特征，而且由于与液晶显示器不同，有机发光二极管显示器并不需要光源，因此有机发光二极管显示器能够具有相对小的厚度和重量。进一步，有机发光二极管显示器通常具有诸如低功耗、高亮度和快响应时间等多种有益特性。因此，有机发光二极管显示器可以用作便携式电子装置的可选显示器。

另外，基于有机发光二极管显示器的特征，有机发光二极管显示器可以被制造为透明显示装置，该透明显示装置使用户在位于相对侧的物体或图像透过有机发光二极管显示器被投影时，能够看到该物体或图像。也就是说，有机发光二极管显示器能够被制造得在其处于关断状态时，位于相对侧的物体或图像能够被投影，并且在有机发光二极管显示器处于开启状态时，有机发光二极管显示器发射的图像能够被看到。

然而，在有机发光二极管显示器处于关断状态时，位于相对侧的物体或图像在被传送给用户之前，可能经过诸如薄膜晶体管和各种配线之类的图案之间的空间，以及经过有机发光二极管显示器被投影。典型地，图案之间的间隙为大约几百nm，并且具有与可见区域中光的波长相同的级别，从而导致透射光的散射。因此，传送给用户的图像可能是失真的图像。

在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解，因此，上述信息可能包括不构成本领域普通技术人员在本国已知的现有技术的信息。

发明内容

因此，实施例致力于有机发光二极管显示器，其基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一种或多种问题。

因此，实施例的特征在于提供一种通过抑制透射光的散射来防止失真的有机发光二极管显示器。

因此，实施例的另外的特征在于提供一种通过抑制透射光的散射来防止失真的透明的有机发光二极管显示器。

上述和其它特征以及优点中的至少一个可以通过提供一种有机发光二极管显示器来实现，该有机发光二极管显示器包括透明区域和多个像素区域，所述像素区域彼此隔开，并且所述透明区域介于所述像素区域之间，所述显示器包括：基板构件；位于所述基板构件上的薄膜晶体管和电容器元件，所述薄膜晶体管和所述电容器元件与所述像素区域重叠；位于所述基板构件上的栅线、数据线和共用电源线，所述栅线、所述数据线和所述共用电源线与所述像素区域和所述透明区域重叠，并且被连接至所述薄膜晶体管和/或所述电容器元件中的相应一个；以及位于所述基板构件上的像素电极，所述像素电极与所有的所述薄膜晶体管和所述电容器元件重叠，并且与所述栅线、所述数据线和所述共用电源线的与所述像素区域重叠的相应部分重叠。

所述像素区域可以基本上和/或完全与所述像素电极覆盖的区域相同。

所述透明区域相对于所述像素区域和所述透明区域的总面积的面积比可以在20％至90％的范围内。

所述像素电极可以包括反射式导电材料。

所述显示器可以进一步包括顺序形成在所述像素电极上的有机发射层和共用电极，其中所述有机发射层可以适于朝着所述共用电极的方向发光以显示图像。

位于所述像素区域中的相邻像素区域上的所述栅线、所述数据线和所述共用电源线可以在所述透明区域之上互连。

所述显示器可以包括位于所述基板构件上的绝缘层、平整化层和像素限定层，其中所述平整化层和所述像素限定层包括透明材料。

所述基板构件的透射率可以高于或等于形成在所述基板构件上的层的总的透射率。

上述和其它特征以及优点中的至少一个还可以通过提供一种有机发光二极管显示器而单独实现，该有机发光二极管显示器包括透明区域和多个像素区域，所述像素区域彼此隔开，并且所述透明区域介于所述像素区域之间，所述显示器包括：基板构件；位于所述基板构件上的像素电极，所述像素电极对应于所述显示器的所述像素区域；与所述像素电极完全重叠的薄膜晶体管和电容器元件；以及连接至所述薄膜晶体管和/或所述电容器元件中的相应一个的栅线、数据线和共用电源线，所述栅线、所述数据线和所述共用电源线中的每一个包括与所述像素电极中的相应一个直接重叠的像素部分，以及在所述像素电极中的相邻像素电极之间延伸，以分别连接所述栅线、所述数据线和所述共用电源线的所述像素部分中的相邻像素部分的互连部分，其中只有所述栅线、所述数据线和所述共用电源线的互连部分被布置在所述显示器的所述透明区域上。

所述基板构件可以包括玻璃、石英、陶瓷和/或塑料。

所述基板构件的透射率可以高于或等于布置在所述基板构件上的所有的层和/或元件的总的透射率，所述层和/或元件包括布置在所述基板构件上的缓冲层、绝缘层、层间绝缘层和平整化层。

除所述栅线、所述数据线和所述共用电源线的互连部分之外，只有透明层和/或元件可以布置在所述基板构件的与所述显示器的所述透明区域重叠的部分上。

所述显示器可以进一步包括：位于所述基板构件上的缓冲层；位于所述缓冲层上的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的平整化层；以及位于所述栅绝缘层上的像素限定层，其中所述缓冲层、所述栅绝缘层、所述平整化层和所述像素限定层可以仅包括透明材料。

所述像素限定层可以布置在所述基板构件的与所述显示器的所述透明区域对应的部分上。

所述像素电极可以以包括沿第一方向延伸的行和沿第二方向延伸的列的矩阵图案被布置，所述第一方向与所述第二方向相交。

所述栅线可以沿所述第一方向延伸，并且所述栅线的所述互接部分在所述像素电极中被布置在一行中的相邻像素电极的相向侧之间延伸。

所述数据线和所述共用电源线可以沿所述第二方向延伸，并且所述数据线和所述共用电源线的互连部分在所述像素电极中的布置在一列中的相邻像素电极的相向侧之间延伸。

所述显示器的所述像素区域可以对应于所述像素电极的区域。

在所述显示器的显示区域内，所述透明区域对应于所述显示区域的除所述像素区域之外的区域。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，上述和其它特征以及优点对于本领域普通技术人员来说将变得更明显，其中：

图1示出有机发光二极管显示器的示例性实施例的布局图；

图2示出图1的一部分的放大布局图；以及

图3示出沿图2的线III-III截取的图1中的示例性有机发光二极管显示器的剖面图。

具体实施方式

以下将参考附图更全面地描述示例性实施例；然而，示例性实施例可以采用不同的形式具体化，而不应该解释为限于这里给出的实施例。更确切地说，提供这些实施例是为了使本公开更充分和完整，并将向本领域普通技术人员更全面地传达本发明的范围。

进一步，为了描述方便，图中示出的元件的尺寸和厚度被任意示出，因此实施例不限于那些示出的尺寸和厚度。

图中，对厚度进行了放大，以清楚地描绘多个层和区域。说明书中相同的附图标记始终表示相同的元件。应当理解，当提到诸如层、膜、区域或者基板之类的一元件在另一元件“上”时，该元件可以直接在该另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当提到一元件“直接”在另一元件“上”时，则不存在中间元件。整个说明书中，省略了公知或者对于理解示例性实施例不必要的方面。

另外，尽管附图中示出具有一个像素包括两个TFT和一个电容器的2TR-1Cap结构的有源矩阵(AM)型有机发光二极管显示器，但实施例不限于此。相应地，例如，有机发光二极管显示器可以在一个像素中包括三个或更多个薄膜晶体管以及两个或更多个电容器元件。有机发光显示器可以有具有额外的配线的多种结构。

这里，像素区域是指可以形成像素的区域。像素是指用于显示图像的最小单元。有机发光二极管显示器可以通过多个像素显示图像。更具体地说，有机发光二极管显示器可以包括显示区域和外围区域，并且可以在显示器的显示区域中通过多个像素显示图像。

以下将参考图1至图3描述示例性实施例。图1示出有机发光二极管显示器100的示例性实施例的布局图。图2示出图1的示例性发光二极管显示器100的一部分的放大布局图。图3示出沿图2的线III-III截取的图1的示例性有机发光二极管显示器100的剖面图。

如图1所示，有机发光二极管显示器100可以包括透明区域TA和多个像素区域PA。像素区域PA可以彼此隔开。透明区域TA可以介于像素区域PA之间。像素区域PA和透明区域TA可以被形成得使透明区域TA相对于像素区域PA和透明区域TA的总面积的面积比可以在大约20％至大约90％的范围内。进一步，在一些实施例中，例如，显示器100可以包括显示区域和例如外围区域(未示出)，并且显示区域可以只包括像素区域PA和透明区域TA。

如图2所示，有机发光二极管显示器100的每个像素区域PA可以包括开关薄膜晶体管10、驱动薄膜晶体管20、电容器元件80以及有机发光二极管(OLED)70。

有机发光二极管显示器100可以进一步包括栅线151、数据线171和共用电源线172。栅线151可以沿第一方向，例如y方向在像素区域PA和透明区域TA上延伸。数据线171可以与栅线151绝缘，并且可以沿与栅线151相交的第二方向，例如x方向在像素区域PA和透明区域TA上延伸。x方向可以与y方向垂直。共用电源线172可以与栅线151绝缘，并且可以沿第二方向，例如x方向在像素区域PA和透明区域TA上延伸。栅线151、数据线171和/或共用电源线172可以被形成为尽可能多地与像素区域PA重叠。可以以一图案形成栅线151、数据线171和/或共用电源线172，使得栅线151、数据线171和/或共用电源线172的在像素区域PA中的相邻像素区域上的相应部分可以被互连。在一些实施例中，参见图1，例如，只有栅线151、数据线171和共用电源线172的互连部分15li、17li和172i可以与透明区域TA重叠。栅线151、数据线171和共用电源线172可以被形成为尽可能少地与透明区域TA重叠，即被形成为具有与透明区域TA重叠的最小可能的区域。

参见图3，有机发光元件70可以包括像素电极710、有机发射层720和共用电极730。有机发射层720可以形成在像素电极710上。共用电极730可以形成在有机发射层720上。像素电极710可以是阳(+)极，例如空穴注入电极。共用电极730可以是阴(-)极，例如电子注入电极。实施例不限于此。例如，在一些实施例中，根据有机发光二极管显示器100的驱动方法，像素电极710可以是阴极，而共用电极730可以是阳极。空穴和电子可以分别从像素电极710和共用电极730注入到有机发射层720中。在注入的空穴和注入的电子结合时可以形成激子。当激子从激发态落到基态时，有机发射层720可以发光。

参见图2，像素电极710可以与整个像素区域PA重叠，即像素电极710覆盖的区域可以与像素区域PA基本和/或完全相同。在这种实施例中，像素电极710可以与开关薄膜晶体管10、驱动薄膜晶体管20、电容器元件80、栅线151、数据线171和共用电源线172的与像素区域PA重叠的所有部分重叠。

开关薄膜晶体管10可以包括开关半导体层131、开关栅极152、开关源极173和开关漏极174。

驱动薄膜晶体管20可以包括驱动半导体层132、驱动栅极155、驱动源极176和驱动漏极177。

电容器元件80可以包括第一维持电极158和第二维持电极178。如图3所示，第一维持电极158和第二维持电极178可以被布置为使层间绝缘层160介于二者之间。

开关薄膜晶体管10可以用作开关元件来选择要发光的像素。开关栅极152可以连接至栅线151。开关源极173可以连接至数据线171。开关漏极174可以与开关源极172隔开，并且连接至第一维持电极158。

对于所选的要发光的像素，相应驱动薄膜晶体管20可以向相应像素电极710施加驱动力，从而可以使相应有机发光元件70的有机发射层720能够发光。驱动栅极155可以连接至第一维持电极158。驱动源极176和第二维持电极178可以连接至共用电源线172。驱动漏极177可以通过接触孔182连接至有机发光元件70的像素电极710。

通过这种结构，开关薄膜晶体管10可以由施加给栅线151的栅电压操作，并且可以用于将施加给数据线171的数据电压传递给驱动薄膜晶体管20。与从共用电源线172施加给驱动薄膜晶体管20的共用电压和从开关薄膜晶体管10传送的数据电压之间的差对应的电压可以被存储在电容器元件80中，并且与存储在电容器元件80中的电压对应的电流可以通过驱动薄膜晶体管20流向有机发光元件70，从而可以使有机发光元件70能够发光。

以下将参考图3描述有机发光二极管显示器100的结构。图3示出有机发光二极管显示器100的剖面图，具体集中于驱动薄膜晶体管20、有机发光元件70和电容器元件80。

以下将就驱动薄膜晶体管20来详细描述薄膜晶体管的结构。对于开关薄膜晶体管10，将仅简要地描述与驱动薄膜晶体管20的不同之处。

基板构件110例如可以包括由例如玻璃、石英、陶瓷、塑料等制成的透明绝缘基板。基板构件110的透射率可以高于或等于形成在基板构件110之上的各层的总的透射率。缓冲层120、驱动半导体层132、栅绝缘层140、层间绝缘层160、平整化层180、有机发射层720以及各种导线和电极(参见下文)可以形成在基板构件110之上。

缓冲层120可以形成在基板构件110之上。缓冲层120可以具有减少和/或防止杂质渗透并且用于使表面平整的功能。缓冲层120可以包括例如用于执行这种功能的各种材料。例如，缓冲层120可以包括氮化硅(SiNx)膜、氧化硅(SiO₂)膜和/或氧-氮化硅膜(SiO_XN_Y)。实施例不限于此。例如，在一些实施例中，可以不使用缓冲层120，即在一些实施例中，依据基板构件110的类型和/或工艺条件可以省略缓冲层120。

驱动半导体层132可以形成在缓冲层120之上。驱动半导体层132可以包括例如多晶硅膜。驱动半导体层132可以包括沟道区135、源区136和漏区137，其中沟道区135可不掺杂质。源区136和漏区137可以通过例如p+掺杂形成在沟道区135的两侧。被掺杂的离子例如可以是诸如硼(B)、主要是B₂H₆之类的p型杂质。使用的杂质可以依据薄膜晶体管的类型而不同。

尽管在此处描述的示例性实施例中，使用p型杂质的PMOS结构薄膜晶体管被用作驱动薄膜晶体管20，但实施例不限于此。在一些实施例中，例如驱动薄膜晶体管20可以是具有NMOS结构、CMOS结构等的薄膜晶体管。

进一步，应当理解，例如尽管图3中示出的驱动薄膜晶体管20的示例性实施例被描述为包括多晶硅膜的多晶薄膜晶体管，但开关薄膜晶体管10(见图2)可以是多晶薄膜晶体管或者是包括非晶硅膜的非晶薄膜晶体管。

栅绝缘层140可以包括例如氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiO₂)。栅绝缘层140可以形成在驱动半导体层132之上。包括例如驱动栅极155的栅极配线可以形成在栅绝缘层140之上。更具体地说，栅极配线可以包括例如驱动栅极155、栅线151(见图2)、第一维持电极158等。驱动栅极155可以被形成为与驱动半导体层132的至少一部分重叠，且更具体地说，与沟道区135重叠。

层间绝缘层160可以形成在栅绝缘层140上。层间绝缘层160可以覆盖驱动栅极155。栅绝缘层140和层间绝缘层层160可以具有使例如驱动半导体层132的源区136和漏区137暴露的通孔，例如共用通孔。层间绝缘层160和/或栅绝缘层140可以包括例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO₂)等。

包括例如驱动源极176和驱动漏极177的数据配线可以形成在层间绝缘层160之上。更具体地说，数据配线可以包括例如驱动源极176、数据线171(见图2)、共用电源线172、第二维持电极178等。驱动源极176和驱动漏极177可以通过相应通孔分别被连接至驱动半导体层132的源区136和漏区137。

在一些实施例中，包括驱动半导体层132、驱动栅极155、驱动源极176和驱动漏极177的驱动薄膜晶体管20可以以上述示例性方式形成。然而，驱动薄膜晶体管20的结构不限于前述示例，而是可以以本领域普通技术人员能够容易实现的多种公知的结构进行修改。

平整化层180可以形成在层间绝缘层160上，并且可以覆盖数据配线，例如共用电源线172、驱动源极176、驱动漏极177和/或第二维持电极178。平整化层180可以具有覆盖梯状部分的功能，并且可以具有平整化表面以提高有机发光元件70的发光效率的功能。平整化层180可以包括使驱动漏极177的一部分暴露的接触孔182。

平整化层180可以包括例如聚丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚脂树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和/或苯并环丁烯树脂(BCB)中的一种或多种。

有机发光元件70的像素电极710可以形成在平整化层180之上。像素电极710可以通过平整化层180的接触孔182连接至驱动漏极177。

在像素区域PA中，驱动栅极155、驱动源极176、驱动漏极177、第一维持电极158、第二维持电极178、栅线151(见图2)以及共用电源线172可以都布置在像素电极710下，例如布置在像素电极710与基板构件110之间。

像素限定层190可以形成在平整化层180上。像素限定层190可以包括用以使像素电极710暴露的开口。也就是说，像素电极710可以对应于像素限定层190的开口布置。在一些实施例中，形成有像素限定层190的部分可以与除形成有像素电极710的部分之外的部分类似。也就是说，形成有像素限定层190的区域例如可以与透明区域TA类似和/或对应。

像素限定层190例如可以包括诸如聚丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂之类的树脂或者硅基无机材料。

有机发射层720可以形成在像素电极710之上。共用电极730可以形成在有机发射层720上。在一些实施例中，包括像素电极710、有机发射层720和共用电极730的有机发光元件70可以以上述的示例性方式形成。

有机发射层720可以包括例如低分子有机材料或高分子有机材料。有机发射层720可以包括多层。例如，有机发射层720可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)。在这种实施例中，空穴注入层(HIL)可以布置在作为正极的像素电极710上，并且空穴传输层(HTL)、发射层、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)可以顺序堆叠在空穴注入层(HIL)上。

在一些实施例中，有机发光二极管显示器100可以是前向发射类型。在这种实施例中，有机发射层720可以朝着共用电极730的方向发光以显示图像。

像素电极710可以包括反射式导电材料。反射式导电材料可以包括例如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)和/或金(Au)。然而，实施例不限于此。例如，像素电极710可以包括多层，包括透明导电层和反射层。

共用电极730可以包括例如透明导电材料或者半透明导电材料。透明导电材料可以包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟(In₂O₃)。半透明导电材料可以包括例如包括镁(Mg)和银(Ag)中的至少一种的共沉积材料，或者可以是来自于镁(Mg)、银(Ag)、钙(Ca)、锂(Li)和/或铝(Al)中的一种或多种材料。

缓冲层120、栅绝缘层140、层间绝缘层160、平整化层180以及像素限定层190可以被形成为透明。实施例中，除栅线151、数据线171和共用电源线172的相应部分之外，只有透明部件，例如缓冲层120、栅绝缘层140、层间绝缘层160、平整化层180以及像素限定层190可以布置在透明区域TA中。进一步，如上面所讨论的，实施例中，栅线151、数据线171和共用电源线172可以被布置为与透明区域TA的重叠最小化。

如以上在图1中所示，像素区域PA和透明区域TA可以被形成为使透明区域TA相对于像素区域PA和透明区域TA的总面积的面积比在大约20％至大约90％的范围内。

与具有可比性的传统显示器相比，有机发光二极管显示器的实施例，例如图1中的有机发光显示器100可以抑制透射光的散射，从而可以获得由减少和/或防止失真而产生的透明度。

包括上述一个或多个特征的实施例可以使用户能够在有机发光二极管显示器100处于关断状态时，透过有机发光二极管显示器，例如上述显示器100，看到位于相对侧的具有减少的和/或无失真的物体或图像，并且可以在有机发光二极管显示器，例如上述显示器100，处于开启状态时看到有机发光元件发出的图像。

如果透明区域TA相对于像素区域PA和透明区域TA的总面积的面积比小于20％，则能够透过有机发光二极管显示器100的光量小。因此，用户可能难以看到位于有机发光二极管显示器的相对侧的物体或图像，所以有机发光二极管显示器可能不以透明为特征。

另一方面，如果透明区域TA相对于像素区域PA和透明区域TA的总面积的面积比大于90％，则有机发光二极管显示器100的像素集成度可能太低，以致不能通过有机发光元件70的发光实现稳定的图像。也就是说，像素区域PA的面积更小，则可能必须增加从有机发光元件，例如有机发光元件70发出的光的亮度，以补偿所减少的像素区域PA，即像素区域PA可能与像素的发光元件的亮度成反比。然而，当有机发光元件，例如有机发光元件70以高亮度状态操作时，其寿命会急剧缩短。而且，如果透明区域TA的面积比增加至高于90％，同时将每个像素区域PA保持在合适的尺寸，则像素区域PA的数目会减少。

这里已公开了示例性实施例，尽管使用了特定的术语，但这些特定的术语仅从一般和描述意义上使用和解释，并不用于限制的目的。因此，本领域普通技术人员应当理解，可以在不背离所附权利要求中给出的本发明的精神和范围的情况下，在形式和细节方面做出各种改变。

Claims

1.一种有机发光二极管显示器，包括透明区域和多个像素区域，所述像素区域彼此隔开，并且所述透明区域介于所述像素区域之间，所述有机发光二极管显示器包括：

基板构件；

位于所述基板构件上的薄膜晶体管和电容器元件，所述薄膜晶体管和所述电容器元件与所述像素区域重叠；

位于所述基板构件上的栅线、数据线和共用电源线，所述栅线、所述数据线和所述共用电源线与所述像素区域和所述透明区域重叠，并且被连接至所述薄膜晶体管和/或所述电容器元件中的相应一个；以及

位于所述基板构件上的像素电极，所述像素电极与所有的所述薄膜晶体管和所述电容器元件重叠，并且与所述栅线、所述数据线和所述共用电源线的与所述像素区域重叠的相应部分重叠。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中

所述像素区域与所述像素电极覆盖的区域相同。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述透明区域相对于所述像素区域和所述透明区域的总面积的面积比在20％至90％的范围内。

4.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素电极包括反射式导电材料。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：

顺序形成在所述像素电极上的有机发射层和共用电极，

其中所述有机发射层适于朝着所述共用电极的方向发光以显示图像。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中位于所述像素区域中的相邻像素区域上的所述栅线、所述数据线和所述共用电源线在所述透明区域之上互连。

7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：

位于所述基板构件上的绝缘层、平整化层和像素限定层，

其中所述平整化层和所述像素限定层包括透明材料。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述基板构件的透射率高于或等于形成在所述基板构件上的层的总的透射率。

9.一种有机发光二极管显示器，包括透明区域和多个像素区域，所述像素区域彼此隔开，并且所述透明区域介于所述像素区域之间，所述有机发光二极管显示器包括：

基板构件；

位于所述基板构件上的像素电极，所述像素电极对应于所述有机发光二极管显示器的所述像素区域；

与所述像素电极完全重叠的薄膜晶体管和电容器元件；以及

连接至所述薄膜晶体管和/或所述电容器元件中的相应一个的栅线、数据线和共用电源线，所述栅线、所述数据线和所述共用电源线中的每一个包括与所述像素电极中的相应一个直接重叠的像素部分，以及在所述像素电极中的相邻像素电极之间延伸、以分别连接所述栅线、所述数据线和所述共用电源线的所述像素部分中的相邻像素部分的互连部分，其中只有所述栅线、所述数据线和所述共用电源线的互连部分被布置在所述有机发光二极管显示器的所述透明区域上。

10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中所述基板构件包括玻璃、石英、陶瓷和/或塑料。

11.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中所述基板构件的透射率高于或等于布置在所述基板构件上的所有的层和/或元件的总的透射率，所述层和/或元件包括布置在所述基板构件上的缓冲层、绝缘层、层间绝缘层和平整化层。

12.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中除所述栅线、所述数据线和所述共用电源线的互连部分之外，只有透明层和/或元件被布置在所述基板构件的与所述有机发光二极管显示器的所述透明区域重叠的部分上。

13.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：

位于所述基板构件上的缓冲层；

位于所述缓冲层上的栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层上的平整化层；以及

位于所述栅绝缘层上的像素限定层，其中所述缓冲层、所述栅绝缘层、所述平整化层和所述像素限定层仅包括透明材料。

14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素限定层被布置在所述基板构件的与所述有机发光二极管显示器的所述透明区域对应的部分上。

15.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素电极以包括沿第一方向延伸的行和沿第二方向延伸的列的矩阵图案被布置，所述第一方向与所述第二方向相交。

16.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中所述栅线沿所述第一方向延伸，并且所述栅线的互连部分在所述像素电极中被布置在一行中的相邻像素电极的相向侧之间延伸。

17.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中所述数据线和所述共用电源线沿所述第二方向延伸，并且所述数据线和所述共用电源线的互连部分在所述像素电极中被布置在一列中的像素电极的相向侧之间延伸。

18.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中所述有机发光二极管显示器的所述像素区域对应于所述像素电极的区域。

19.根据权利要求18所述的有机发光二极管显示器，其中在所述有机发光二极管显示器的显示区域内，所述透明区域对应于所述显示区域的除所述像素区域之外的区域。