单晶抛光硅片

1-12英寸抛光硅片参数格：

生长方式： 直 CZ

型号：N型/磷、砷、锑P型/硼 （掺杂元素）

晶向： 111/100

电阻：0.0015-60 Ω·cm（电阻范围可选、也可按照客需要订制）

厚度： 200-5000μm（厚度范围可选、也可按照客需要订制）

整度TIR：<3μm

弯度Bow: <15μm

翘度TTV: <15μm

粗度nm : <0.5nm

主要用有：
1、用于同步辐射实样品载体；
2、用于磁控溅射生长样品；
3、用于X射线分析晶体。