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機械工学英和和英辞典での「linear gate」の意味

linear gate

リニアゲート回路

「linear gate」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 87



例文

LINEAR MOTOR CONTROL METHOD OF GATE TYPE STAGE SYSTEM例文帳に追加

門型ステージ装置のリニアモータ制御方法 - 特許庁

A gate line 104 has a potential obtained by linear interpolation between the bias voltage VbiasA and the bias voltage VbiasB.例文帳に追加

ゲート線G104の電位は、このバイアス電圧VbiasA,VbiasBを線形補間した値になる。 - 特許庁

A linear gate frame 4 has a bonding pad 6 spaced from the die pad 2.例文帳に追加

直線状のゲートフレーム4は、ダイパッド2とは離間したボンディングパッド6を有する。 - 特許庁

This manual type elevating gate 2 includes a main pole 4, a sub-pole 6 and a linear body 8.例文帳に追加

手動式昇降ゲート2は、メインポール4、サブポール6及び線状体8を備えている。 - 特許庁

A gate electrode 13 is opposed to a lamination boundary 7 of a linear portion 10 which is exposed in a trench 6 with a gate insulating film 12 interposed.例文帳に追加

線状部10においてトレンチ6内に露出した積層境界7には、ゲート絶縁膜12を介してゲート電極13が対向している。 - 特許庁

At an outer peripheral edge part of the resin cover 31, a gate-use flange part 33 with a linear fan-gate trace 35 at a tip end is formed in protrusion.例文帳に追加

樹脂カバー31の外周縁部には、先端に直線状のファンゲート痕35を有するゲート用フランジ部33が突出形成される。 - 特許庁

例文

In a MOS transistor cell having a salicide structure, its p-channel gate terminal and n-channel gate terminal are constituted of a linear gate wiring (10) having a constant width, and it has the plurality of gate wirings (10).例文帳に追加

サリサイド構造のMOSトランジスタセルは、Pチャネルゲート端子とNチャネルゲート端子とが一定幅かつ直線状の一のゲート配線で構成され、当該ゲート配線(10)を複数備えている。 - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「linear gate」の意味

linear gate


「linear gate」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 87



例文

The semiconductor device comprises: the gate electrode 2 so formed as to include a linear portion; dummy electrode 18 formed on an extension line of the linear portion of the gate electrode 2; stopper insulation film 5; side wall insulation film 3; interlayer insulation film; and linear contact section 11 extended in parallel with the linear portion of the gate electrode 2 when viewed from the top.例文帳に追加

半導体装置は、直線部分を含むように形成されたゲート電極2と、上記直線部分の延長上の位置において形成されたダミー電極18と、ストッパ絶縁膜5と、サイドウォール絶縁膜3と、層間絶縁膜と、上から見たときに上記直線部分に平行に延びる直線状コンタクト部11とを備える。 - 特許庁

The MOS semiconductor device is structured such that a contact region is formed between the trenches in the longitudinal direction of the short linear trenches; gate electrodes are wired in a direction vertically traversing the width of the short linear trenches to conductively connect the gate electrodes in the short linear trenches to one another.例文帳に追加

短い線状のトレンチの長手方向のトレンチ間にコンタクト領域を形成し、短い線状のトレンチの幅を垂直に横断する方向にゲート電極を配線して短い線状のトレンチ内のゲート電極を導電型的に接続する構造とする。 - 特許庁

To solve the problem of gate delay which is caused by increasing gate resistance and parasitic capacitance, without damages to a gate insulating film 17, relating to a TDMOS transistor where a first gate electrode 2, and the like, are provided in a linear long trench 1 via the gate insulating film 17.例文帳に追加

長い直線状のトレンチ1内に、ゲート絶縁膜17を介して第1ゲート電極2等を有するTDMOSトランジスタについて、増大するゲート抵抗と寄生容量に基づくゲート遅延の問題を、ゲート絶縁膜17に損傷を与えることなく改善する。 - 特許庁

The gate voltage resistance holding region 27 integrally includes a first region 29 formed in an intersection 17 of the gate trenches 15 and a second region 30 formed to a linear portion 16 of the gate trench 15.例文帳に追加

ゲート耐圧保持領域27は、ゲートトレンチ15の交差部17に形成された第1領域29と、ゲートトレンチ15の線状部16に形成された第2領域30とを一体的に含んでいる。 - 特許庁

The separation between the saturation region and the linear region is determined according to a voltage applied to the gate of the TFT and a voltage applied to the OLED.例文帳に追加

飽和領域と線形領域を分けるのはTFTのゲートに印可される電圧とOLEDに加わる電圧をどうするかで決まる。 - 特許庁

A gate apparatus has a linear passage 4, which is formed, for example, between a pair of wall bodies 2a, 2b arranged in parallel with each other at a predetermined interval.例文帳に追加

直線状の通路4を有し、この通路は、間隔を隔てて、例えば平行に配置された一対の壁体2a、2b間に形成されている。 - 特許庁

A first semiconductor region 1 and a second semiconductor region 2 respectively having linear shapes are arranged in parallel with each other, and a first gate electrode 3 and a second gate electrode 4 respectively having linear shapes are arranged in parallel with each other so as to meet with these semiconductor regions at right angles.例文帳に追加

直線形状を有する第1の半導体領域1と第2の半導体領域2が互いに平行に配置され、これらの半導体領域と直行するように直線形状を有する第1のゲート電極3と第2のゲート電極4が互いに平行に配置されている。 - 特許庁

例文

This p-channel power MOSFET includes an n-type polysilicon linear field plate electrode and an n-type polysilicon linear gate electrode in each trench thereof.例文帳に追加

本願の一つの発明は、N型ポリシリコン線状フィールドプレート電極およびN型ポリシリコン線状ゲート電極を各トレンチ部に有するPチャネル型パワーMOSFETである。 - 特許庁

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