deep-etchとは 意味・読み方・使い方

USE OF F-BASED GATE ETCH TO PASSIVATE HIGH-K/METAL GATE STACK FOR DEEP SUBMICRON TRANSISTOR TECHNOLOGY例文帳に追加

ディープサブミクロントランジスタ技術用のｈｉｇｈ−ｋ／金属ゲートスタックをパッシベートするためのＦベースのゲートエッチングの使用 - 特許庁

To provide an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode excellent in etching characteristics, which can surely increase the expanded surface rate and increase the electrostatic capacitance further by forming uniform etch pits in a high density and starting deep etching from these etch pits to make coupling hard within a tunnel.例文帳に追加

エッチピットを高密度かつ均一に形成させ、このエッチピットを起点に深くかつトンネル内で結合が起こりにくくエッチングすることで確実に拡面率を高め、静電容量の更なる増大を図ることができる、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材等を提供する。 - 特許庁

Another method is the one of filling a small recess such as a narrow and deep trench and a small-diameter and deep hole with a copper CVD using a catalyst, and the one of forming a very thin film on an uppermost flat portion so that elimination is performed in preparation for a subsequent step by a dry or wet etch-back or high-temperature plasma etch-back step.例文帳に追加

ここに提示された他の方法は、狭くて深いトレンチと小径で深いホールのような小さな陥没部を触媒を使用した銅ＣＶＤで充填する方法であり、湿式または乾式エッチバックまたは高温プラズマエッチバック工程により後続工程段階に備えて除去されるように扁平な最上部の表面に非常に薄い薄膜を形成する方法である。 - 特許庁

To provide an aluminum material for electrolytic capacitor electrodes, which can surely increase a surface area and gives higher capacitance, by generating high-density deep etch pits uniformly.例文帳に追加

深いエッチングピットを高密度かつ均一に発生させて確実に拡面率を高め、静電容量のさらなる増大を図ることができる電解コンデンサ電極用アルミニウム材を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for manufacturing a semiconductor device in which sudden etch-stop during etching for formation of a deep hole is prevented.例文帳に追加

深いホール形成のためのエッチング時における突然のエッチストップを防止しうる半導体装置の製造装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color filter of high quality with a printing method using a deep-etch plate without generating color irregularity in forming a black matrix or in forming a pattern of transparent coloring pixels.例文帳に追加

ブラックマトリクスの形成又は透明着色画素のパターン形成について平凹版を用いた印刷法により色むらが生じないように高品質なカラーフィルタを形成できる、カラーフィルタの製造方法。 - 特許庁

A very deep etch pit 1b is formed in the position corresponding to a leak portion by performing molten KOH etching and the like after Al ion implantation and activation annealing, based on findings that a dislocation causing leak such as a drain leak of a vertical MOSFET is a threading screw dislocation.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴのドレインリークなどのリークを引き起こす転位は貫通らせん転位であるということに基づき、Ａｌイオンの注入および活性化アニール後に溶融ＫＯＨエッチング等を行うことにより、リーク部に相当する場所に非常に深いエッチピット１ｂを形成する。 - 特許庁