Sodium nitrideとは 意味・読み方・使い方

To provide a sodium-chloride type transition metal carbide single crystal substrate that increases lattice matching property with a (0001) or (000-1) plane of a nitride semiconductor crystal such as GaN and that allows epitaxial growth of a nitride semiconductor crystal with little defect.例文帳に追加

GaNなどの窒化物半導体結晶の(0001)又は(000-1)面との間の格子整合性を高めて、低欠陥の窒化物半導体結晶をエピタキシャル育成可能な岩塩型遷移金属炭化物単結晶基板を提供する。 - 特許庁

A material of the light dispersion body is a birefringent material (for example, barium carbonate, strontium carbonate, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, magnesium carbonate, or the like), or a nitride (for example, boron nitride).例文帳に追加

散光体の材料が復屈折材料（例えば、炭酸バリウム、炭酸ストロンチウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウムなど）あるいは窒化物（例えば、窒化ホウ素）である。 - 特許庁

When the group III nitride single crystal is grown on a substrate 5, on whose surface the ground film 6 of the group III nitride single crystal is formed, by using the flux 2 containing a sodium metal, a pretreatment process is provided for keeping the ground film, or the like, at a keeping temperature lower than the growth temperature of the group III nitride single crystal.例文帳に追加

表面にIII属窒化物単結晶の下地膜６が形成された基板５上に、ナトリウム金属を含むフラックス２を使用してIII属窒化物単結晶を育成する際に、III属窒化物単結晶の育成温度よりも低い保持温度で保持する前処理工程を設ける。 - 特許庁

The alkali metal compound used is exemplified by a nitrate, sulfate, carbonate, oxide, nitride, halide, or a hydroxide of sodium, potassium, rubidium, or the like.例文帳に追加

アルカリ金属化合物としては、ナトリウム、カリウム、ルビジウム等の硝酸塩、硫酸塩，炭酸塩、酸化物、窒化物、ハロゲン物、水酸化物等が用いられる。 - 特許庁

To provide a substrate producing apparatus where workability relating to take a crucible in and out is enhanced in a method for producing a gallium nitride substrate by supplying nitrogen gas into a melt containing gallium and sodium.例文帳に追加

ガリウム及びナトリウムが含まれる融液に窒素ガスを供給することにより窒化ガリウム基板を製造する方法において、坩堝出し入れにかかわる作業性が向上しうる基板製造装置を提供する。 - 特許庁

To be capable of growing a high quality and large crystal in an apparatus for crystal growth to obtain a gallium nitride single crystal by the sodium flux method.例文帳に追加

いわゆるナトリウムフラックス法を用いて窒化ガリウムの単結晶を得るようにした結晶育成装置において、高品質で大きな結晶を育成できるようにする。 - 特許庁

This silicon nitride coat is effective in blocking movable ion such as sodium or the like, thus being able to prevent movable ion from entering into the channel area from the gate electrode and others, i.e., prevent movable ion's invasion.例文帳に追加

この窒化珪素被膜は、ナトリウム等の可動イオンをブロッキングする効果があるので、ゲイト電極その他からチャネル領域に可動イオンが侵入することを防止でき、可動イオンの侵入を防止できる。 - 特許庁

The GaN self-supporting 21 is conveyed to a flux crystal growth apparatus and a crystal is grown on the surface 21s in a sodium/gallium flux under high temperature and high pressure conditions to form a nitride gallium layer 3 having a layer thickness of 2 mm (1.E).例文帳に追加

ＧａＮ自立基板２１をフラックス結晶成長装置に搬入し、高温高圧下、ナトリウム／ガリウムフラックス中で表面２１ｓに結晶成長させて、膜厚２ｍｍの窒化ガリウム層３を形成した（１．Ｅ）。 - 特許庁