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Q structureとは 意味・読み方・使い方
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「Q structure」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 93件
The second resonator structure has a second Q-factor.例文帳に追加
第2の共振器構造は第2のQ因子を有する。 - 特許庁
To the screw body 4 of the connector, a screw body S provided at the end of the attachment object Q is screwed to connect the attachment object Q to the structure P.例文帳に追加
連結具のねじ体4に、取付対象Qの端部に設けたねじ体Sをねじ込んで、取付対象Qを構造体Pに連結する。 - 特許庁
Moreover, it is applied to a motor where the difference between the number of poles and the number q of slots is 0.2≤q≤0.5 in the motor of surface magnet structure of concentrated winding.例文帳に追加
また、集中巻きの表面磁石構造のモータで、極数とスロット数qの差が0.2≦q≦0.5であるモータに適用した。 - 特許庁
The library part 12 stores data on FF 20 having a structure in which the same Q output terminal 23 is branched into a Q output terminal 231 for logical connection and a Q_C output terminal 232 for clock line.例文帳に追加
そして、ライブラリ部12には、同一のQ出力端子23が論理接続用のQ出力端子231とクロックライン用のQ_C出力端子232とに分岐した構造を有するFF20に関するデータが格納されている。 - 特許庁
The Q_n structure refers to a chemical structure determined depending on the number of crosslinking oxygen atoms (oxygen atom combined with two Si) among the oxygen atoms of a SiO_4 tetrahedron unit to be a structural unit of silica, and n of Q_n is the degree of combination of SiO_4 units and the number of crosslinking oxygen atoms.例文帳に追加
ここでQ_n構造とは、シリカの構成単位であるSiO_4四面体単位の酸素原子のうちの架橋酸素原子(2つのSiと結合している酸素原子)の数に応じて決まる化学的構造をいい、QnのnはSiO_4単位の結合度であり、架橋酸素原子の数である。 - 特許庁
The electrode structure having a solid polymer electrolyte film with softening point of 120°C or higher and a Q value of 0.09 to 0.18 C/cm2.例文帳に追加
固体高分子電解質膜を有する電極構造体であって、前記固体高分子電解質膜は120℃以上の軟化点及び0.09〜0.18 C/cm^2のQ値を有することを特徴とする電極構造体。 - 特許庁
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「Q structure」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 93件
To provide a dielectric resonator having a new structure to be expected an improvement of the Q characteristics and the temperature characteristics, and capable of controlling spurious characteristics.例文帳に追加
スプリアス特性の制御が可能であり、Q特性や温度特性の改善が期待できる新規な構造を有する誘電体共振器を提供することを目的とする。 - 特許庁
After forming gate insulating films 8 and gates 3 of a power transistor Q having a trench gate structure, channel regions 5 and source regions 6 of the power transistor Q are formed.例文帳に追加
トレンチゲート構造のパワートランジスタQのゲート絶縁膜8およびゲート部3を形成した後に、パワートランジスタQのチャネル領域5およびソース領域6を形成する。 - 特許庁
To provide a structure for improving power transmission efficiency by rasing a Q-value of a near field antenna used in a noncontact power transmission device which utilizes magnet field coupling in a near field.例文帳に追加
近接場での磁場結合を利用する非接触電力伝送装置で使用される近接場アンテナのQ値を高くし、電力伝送効率を向上するための構造を提供する。 - 特許庁
An optical waveguide type q-switching element is provided with an optical waveguide 3 comprised of a core 5 and clads 4a, 4b, and has a plane waveguide structure; light loss means 7a, 7b and electrodes 2a, 2b; and a q-switching driving device 6 that applies voltage to the electrodes 2a, 2b.例文帳に追加
コア5およびクラッド4a、4bからなる平面導波路構造の光導波路3と、光損失手段7a、7bおよび電極2a、2bと、電極2a、2bに電圧を印加するQスイッチ駆動装置6とを備える。 - 特許庁
To provide a dielectric filter that obtains a high Q being the special feature of a coaxial type, attains downsizing and a low height by a lamination structure, and includes characteristics of a low loss and a high attenuation amount.例文帳に追加
同軸型の特長である高いQを得るとともに、積層構造による小型、低背位化を実現するとともに、低損失で高減衰量の特性を有する誘電体フィルタを提供する。 - 特許庁
A large number of sampling points Q (x, y, z) are defined on the surface of the three-dimensional structure M and a normal vector N at the position of each sampling point Q is determined.例文帳に追加
三次元構造体Mの表面上に多数の標本点Q(x,y,z)を定義し、各標本点Qの位置における法線ベクトルNを求める。 - 特許庁
The photomask 5 for focus monitoring has a substrate 5a that transmits exposure light and a unit mask structure Q for focus monitoring.例文帳に追加
本発明のフォーカスモニタ用フォトマスク5は、露光光を透過する基板5aと、フォーカスモニタ用単位マスク構造Qとを備える。 - 特許庁
To provide the structure of a solenoid-type probe coil using a superconductive thin film, having a high Q value, having satisfactory magnetic uniformity, and occupying small space.例文帳に追加
Q値が高く、磁場均一性が良く、占有空間の小さい、超電導薄膜を用いたソレノイド型プローブコイルの構成を提供すること。 - 特許庁
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