Poly Cとは 意味・読み方・使い方

This polyether-based lubricant comprises an alkylene oxide adduct, having a clouding point of not higher than 30°C, to an alkyl(poly) alkylene polyamine or a (poly)alkylene polyamine, and an organic acid in a specific ratio.例文帳に追加

曇点が３０℃以下であるアルキル（ポリ）アルキレンポリアミン又は（ポリ）アルキレンポリアミンのアルキレンオキシド付加物と有機酸を特定の割合で配合してなるポリエーテル系潤滑剤。 - 特許庁

The plasticizer for resins is mainly composed of a compound obtained by a reaction of (a) a (poly)alkylene glycol, (b) an aliphatic dicarboxylic acid, (c) an aliphatic monocarboxylic acid and (d) a (poly)alkylene glycol monoalkyl ether.例文帳に追加

（ａ）（ポリ）アルキレングリコール、（ｂ）脂肪族ジカルボン酸、（ｃ）脂肪族モノカルボン酸、および（ｄ）（ポリ）アルキレングリコールモノアルキルエーテルの反応により得られる化合物を主成分とする樹脂用可塑剤。 - 特許庁

Under this state, poly(acetyloxystyrene) 10 is held for 30 minutes in the supercritical fluid 13 at 40°C under 80 atm. to remove the protecting group (an acetyl group) in poly(acetyloxystyrene) 10.例文帳に追加

この状態で、ポリ（アセチルオキシスチレン）１０を、４０℃で且つ８０気圧の超臨界流体１３中に３０分間保持して、ポリ（アセチルオキシスチレン）１０の保護基（アセチル基）を脱離させる。 - 特許庁

The poly(4-methyl-1-pentene) resin film prepared by mixing a specific poly(4-methyl-1-pentene) and a fluorine-based resin in a specific ratio shows an excellent releasing property at a high temperature at 200°C or the above.例文帳に追加

特定のポリ４−メチル−１−ペンテンとフッ素系樹脂を、特定の割合で混合して得られたポリ４−メチル−１−ペンテン樹脂フィルムが、温度２００℃以上の高温における離型性が良好であることを見出した。 - 特許庁

Further, the poly-crystal tantalum oxide film 58 is subjected to a heat treatment in an oxidative atmosphere such as ozone at 500°C for 5 min. to correct the deficiency of oxygen in the poly-crystal tantalum oxide film 58.例文帳に追加

さらに、多結晶酸化タンタル膜５８にオゾン等酸化性雰囲気にて、５００℃、５分の熱処理を施し、多結晶酸化タンタル膜５８中の酸素欠陥を回復する。 - 特許庁

A resin composition containing at least poly(lactic acid) (A), a block copolymer (B) of poly(lactic acid) and an aliphatic polyester and talc (C) is extruded to prepare a primary sheet 14 having relative crystallinity Xc of 40 to 55%.例文帳に追加

ポリ乳酸（Ａ）、ポリ乳酸と脂肪族ポリエステルとのブロック共重合体（Ｂ）およびタルク（Ｃ）を少なくとも含有する樹脂組成物を押出成形して、相対結晶化度Ｘｃが４０〜５５％の原反シート１４を準備する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor crystal film such as a poly-Si thin film on an insulating or a flexible substrate such as a glass with the use of low temperature process of not more than the softening point (500°C) of a glass.例文帳に追加

ガラスの軟化点（500℃）以下の低温プロセスを用いて、poly-Si薄膜などの半導体結晶膜をガラスなどの絶縁性、又は、柔軟性基板上に作製する方法を提供する。 - 特許庁

Further, a Poly-Si layer 26 is deposited on a semiconductor substrate 3 containing the padding oxide film 21 (a process shown in (c)) and the Poly-Si layer is etched using the padding oxide film 21 as a stopper.例文帳に追加

さらに、パッド酸化膜２１を含む半導体基板３上にＰｏｌｙ−Ｓｉ層２６を堆積させ（図２（ｃ）に示す工程）、パッド酸化膜２１をストッパーとして、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層２６をエッチングする。 - 特許庁