Al junctionとは 意味・読み方・使い方

GOLD ALLOY WIRE FOR BONDING WIRE HAVING HIGH JUNCTION RELIABILITY AND HIGH CIRCULARITY OF COMPRESSION BONDING BALL, PREVENTING EASY DAMAGE OF Al PAD AND ITS LOWER PORTION, AND HAVING STILL HIGHER RESIN FLOW PERFORMANCE例文帳に追加

高い接合信頼性および圧着ボールの高い真円性を有し、さらにＡｌパッドとその下部が損傷しにくくかつ一層高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線 - 特許庁

To provide a gold alloy wire for a bonding wire having high junction reliability and high circularity of a compression bonding ball, preventing easy damage of an Al pad and its lower portion and having still higher resin flow performance.例文帳に追加

高い接合信頼性および圧着ボールの高い真円性を有し、さらにＡｌパッドとその下部が損傷しにくくかつ一層高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線を提供する。 - 特許庁

At this time, the roughened surface 3a of the copper bump 3 is directly brought into contact with the electrode terminal 4a by breaking the oxide Al film formed on the electrode terminal 4a, and an electrically excellent junction part is formed.例文帳に追加

このとき銅バンプ３の粗面３ａが、電極端子４ａ上に形成された酸化Ａｌ膜を破壊して電極端子４ａと直接接触し、電気的に良好な接合部が形成されている。 - 特許庁

To provide a junction structure that is low in material cost, superior in long-term reliability of a joint part to an Al electrode, and applicable to an in-vehicle LSI use, or a copper bonding wire for a semiconductor.例文帳に追加

本発明は、材料費が安価で、Ａｌ電極との接合部の長期信頼性に優れ、車載用ＬＳＩ用途にも適用できる接合構造、または半導体用銅ボンディングワイヤを提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor element has the polarization junction formed of an In_aGa_1-aN channel layer 9, an Al_xIn_yGa_1-x-yN barrier layer 10, and an In_bGa_1-bN cap layer 11 (0≤a, b, c<0.02).例文帳に追加

Ｉｎ_ａＧａ_１−ａＮチャネル層９、Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_１−ｘ−ｙＮバリア層１０、およびＩｎ_ｂＧａ_１−ｂＮキャップ層１１により分極接合を形成する（０≦ａ、ｂ、ｃ＜０．０２）。 - 特許庁

This magnetic sensor for measuring a magnetic field with high precision in a high temperature ranging from 200°C to 600°C is provided with a group III nitride semiconductor layer, and an Al_xGa_1-xN layer configuring the group III nitride semiconductor layer and hetero junction.例文帳に追加

２００℃〜６００℃程度の高温で磁界を高精度に測定するための磁気センサは、ＩＩＩ族窒化物半導体層と、前記ＩＩＩ族窒化物半導体層とヘテロ接合を構成するＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層とを有する。 - 特許庁

Thermoelectric elements 2 and 3 are configured to provide, in a junction between it and an electrode 4 in a thermoelectric material 8 consisting of alloy containing Sb, a diffusion prevention layer 9 formed of a sintered material of mixed powder which consists of Ti powder and/or Ti alloy powder and Al powder, and in which the content of the Al powder is 10-20 wt.%.例文帳に追加

熱電素子2,3は、Ｓｂを含む合金からなる熱電材料８における電極９との接合部に、Ｔｉ粉末および／またはＴｉ合金粉末とＡｌ粉末とからなり、かつＡｌ粉末の含有量が１０〜２０wt％である混合粉末の焼結体で形成された拡散防止層９を設けたものである。 - 特許庁

The translucent pixel electrodes 662 and second upper electrodes 64b consisting of an Al film are electrically connected across first junction electrodes 68 consisting of Ta, by which the connection resistance of the pixel electrodes 66 and the second upper electrodes 64b is reduced.例文帳に追加

また、Ｔａからなる第１の中継電極６８を介して透光性画素電極６６２と、Ａｌ膜からなる第２の上電極６４ｂを電気的に接続させて、画素電極６６と第２の上電極６４ｂとの接続抵抗を低減する。 - 特許庁