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NAND operationとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 否定論理積、否定積
「NAND operation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 76件
A NAND circuit 4 performs NAND operation between the negative-phase clock and an output of the peak hold circuit, and a means value detection circuit 9 detects a mean value of outputs of the NAND circuit.例文帳に追加
NAND回路４は逆相クロックとピークホールド回路の出力との否定論理積演算を行い、平均値検出回路９はNAND回路の出力の平均値を検出する。 - 特許庁
TWIN NAND DEVICE STRUCTURE, ITS ARRAY OPERATION AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加
ツインＮＡＮＤ素子構造、そのアレイ動作およびその製造方法 - 特許庁
MEMORY CARD USING NAND FLASH MEMORY, AND OPERATION METHOD THRTRFOR例文帳に追加
ＮＡＮＤフラッシュメモリを使用するメモリカード及びそれの動作方法 - 特許庁
The NAND circuit 6 conducts a NAND operation between the logical value output from the inverter 5 and the logical value output from the comparator 4, and outputs the result as a signal-interruption detecting signal.例文帳に追加
NAND回路６は、インバータ５から出力される論理値と、コンパレータ４から出力される論理値との否定論理積演算を行ない、その結果を信号断検出信号として出力する。 - 特許庁
The latch circuit (14; 64) includes first and second logical operation circuits (for example, a NAND circuit).例文帳に追加
ラッチ回路（１４；６４）は、第１および第２の論理演算回路（たとえば、ＮＡＮＤ回路）を含む。 - 特許庁
To shorten a required time for a whole write sequence by enabling input operation of write data in parallel with data write operation, in a NAND cell type EEPROM.例文帳に追加
NANDセル型EEPROMにおいて、データ書込み動作中に並行して書き込みデータの入力動作を可能とし、書き込みシーケンス全体の所要時間を短縮する。 - 特許庁
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「NAND operation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 76件
By applying the correction voltage to the end portion of the memory cells in the NAND string, it is possible to equalize the erasure operation thereof with the erasure operation of the internal memory cells in the NAND string.例文帳に追加
補正電圧をＮＡＮＤストリングの端部メモリ・セルに印加することで、その消去オペレーションをＮＡＮＤストリングの内部メモリ・セルと等しくすることができる。 - 特許庁
To provide a NAND-type flash memory device having multi-page program operation, multi-page read operation, and multi-block erase operation.例文帳に追加
マルチページプログラム動作、マルチページ読み取り動作、及び、マルチブロック消去動作を有するＮＡＮＤフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁
Thereby, read-out operation of data of which operation frequencies are most as operation of a NAND cell type EEPROM 11a can be performed with low power source voltage.例文帳に追加
これにより、ＮＡＮＤセル型ＥＥＰＲＯＭ１１ａの動作として最も多い、データの読み出し動作を低い電源電圧で実行できる。 - 特許庁
Consequently, timing when a counter circuit 42 ends a count operation is matched with timing when an RDL latch circuit 43 holds outputs of each of an inverting circuit 40a and a NAND circuit 40b.例文帳に追加
これにより、カウンタ回路42がカウント動作を終了するタイミングとRDLラッチ回路43が各反転回路40a及びNAND回路40bの出力を保持するタイミングとを揃えることができる。 - 特許庁
The semiconductor integrated circuit 1 is provided with a NAND gate unit 10 comprising a high speed operation 2-input NAND gate 2 and a control Nch MOS transistor NS1.例文帳に追加
半導体集積回路１には、高速動作用２入力ＮＡＮＤゲート２と制御用Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＳ１から構成されるＮＡＮＤゲート部１０が設けられている。 - 特許庁
To provide a NAND-type flash memory for suppressing variations in a threshold of a selection transistor in a write operation of the NAND-type flash memory.例文帳に追加
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの書き込み動作において、選択トランジスタの閾値の変動を抑制することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁
To improve the reliability of a memory cell in erroneous write by reducing effective channel capacity and increasing a channel potential boost ratio during operation of a self-boost system in a NAND type flash memory.例文帳に追加
NAND型フラッシュメモリにおいて、実効的なチャネル容量を下げ、セルフ・ブースト方式の動作時においてチャネル電位ブースト比を大きくし、メモリセルの誤書き込みに対する信頼性を改善する。 - 特許庁
To provide a highly-integrated vertical NAND channel having a high operation speed, a nonvolatile memory device including the same, and a vertical NAND memory device.例文帳に追加
高集積化され、動作速度が速い垂直ＮＡＮＤチャンネルとこれを含む不揮発性メモリー装置、及び垂直ＮＡＮＤメモリー装置を提供する。 - 特許庁
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