MBEとは 意味・読み方・使い方

A substrate (12) having a III-V semiconductor surface is positioned in the MBE equipment (50 or 150).例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ半導体表面を有する基板（１２）をＭＢＥ装置（５０、１５０）内に位置決めする。 - 特許庁

Further, for example, use of the MBE such as plasma-assisted MBE enables the much more accurate control of the thickness and the composition of the nitride semiconductor layer 2.例文帳に追加

さらに、例えばプラズマアシストＭＢＥ等のＭＢＥを用いることによって、窒化物半導体層２の厚さおよび組成を遥かに正確に制御することができる。 - 特許庁

To provide an MBE(molecular beam epitaxial) apparatus, which can increase the used rate of a molecular beam material, enhance crystallization and stabilize the growth conditions of a growth layer, and to provide a method for manufacturing a semiconductor element using the apparatus.例文帳に追加

分子線材料の利用率を向上でき、結晶性を高めることができて、しかも、成長層の成長条件を安定させることができるMBE装置およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor structure 19 is fabricated by growing a gallium nitride-based semiconductor on a nitrified surface of a sapphire substrate by an MBE method.例文帳に追加

半導体構造物１９はサファイア基板の窒化した表面上に窒化ガリウム系半導体をＭＢＥ法で成長して作製される。 - 特許庁

To solve problems in the MBE method involving the control of crystal structure accuracy, interchangeability between apparatuses, and reproducibility of the setup conditions.例文帳に追加

ＭＢＥ法における、精密な結晶組成の制御および装置ごとの互換性、設定の再現性の問題点を解決する。 - 特許庁

After a lower-part DBR mirror is formed on a GaAs substrate in the MOCVD device, the substrate is transported into the MBE device.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ装置内で、ＧａＡｓ基板上に、下部ＤＢＲミラーを形成した後、その基板をＭＢＥ装置内に搬送する。 - 特許庁

Generally, nonpolar 4 H-AlN is grown up on 4 H-SiC (11-20) by molecular beam epitaxy (MBE).例文帳に追加

一般に、無極性４Ｈ−ＡｌＮは分子線エピタキシー（ＭＢＥ）により４Ｈ−ＳｉＣ（１１−２０）上に成長させる。 - 特許庁

Next, stripes of grooves 54 are formed on the GaAs layer 53 by photo-lithography, and an InAs layer is then formed by MBE.例文帳に追加

次に、フォトリソグラフィ法により、ＧａＡｓ層５３にストライプ状の溝５４を形成した後、ＭＢＥ法によりＩｎＡｓ層を形成する。 - 特許庁