結晶中の電子の「バレー自由度」を用いてデバイスに応用する「バレートロニクス」は、次世代の電子デバイスに要求される低消費電力・大容量化などを実現できるとして昨今盛んに研究が行われています。インド工科大学ボンベイ校のM.S.Mrudul氏らは、これまで困難とされてきたグラフェンでのバレー制御を実現したと報告し、現代の100万倍の計算速度を実現する技術の成功可能性を示しました。 OSA | Light-induced valleytronics in pristine graphene https://doi.org/10.1364/OPTICA.418152 Graphene Valleytronics: Paving the Way to Small-Sized Room-Temperature Quantum Computers | Industrial Research and Cons
現在主流となっているパソコン用メモリの規格は「DDR3」ですが、ついに次世代規格となる「DDR4」メモリが登場しました。 転送速度が飛躍的に向上しただけでなく、消費電力も大幅に低減されているため、パソコンの動作速度の向上などが期待できます。 ちなみに上記はイメージ写真です。 詳細は以下から。 Samsung Develops Industry’s First DDR4 DRAM, Using 30nm Class Technology | Business Wire Samsung電子のプレスリリースによると、30nmの製造プロセスを用いることで、世界初となるDDR4メモリモジュールの開発を完了したそうです。 DDR4メモリは同じ30nmプロセスで製造されたDDR3メモリと比較して処理速度が向上する反面、消費電力が低く、DDR3メモリでは1.35Vまたは1.5V動作時の転送速度が1.6Gb
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