馬本隆綱

セイコーエプソンは、小型電子機器に向けたパワーマネジメントIC（PMIC）「S1A00210B」を開発、2025年8月よりサンプル出荷を始める。補聴器や集音器、スマートリングなどの用途に向ける。

マグナ・ワイヤレスと大阪大学、情報通信研究機構（NICT）は、遅延時間を従来の50分の1に短縮できる「ポスト5G対応半導体チップ」を共同開発した。産業分野におけるローカル5Gの普及を視野に入れており、マグナ・ワイヤレスが2025年度中に製品化する。

東京大学と高輝度光科学研究センターの研究グループは、永久磁石の「マグネタイト（Fe3O4）」に希土類元素を添加することで、飽和磁化が増大することを実証した。

東北大学は、有機分子の分子設計と固体中における分子配列を適切に制御することで、複数の機能を共存させた「固体有機材料」を信州大学と共同で開発した。この材料は、固体状態で光応答性と強誘電性が共存しており、高密度な電場−光メモリ素子への応用が期待される。

京セラは、1005サイズ（1.0×0.5mm）で静電容量が47μFの積層セラミックコンデンサー（MLCC）「KGM05シリーズ」を開発、サンプル出荷を始める。同等サイズの従来製品に比べ静電容量を約2.1倍に拡大した。

大阪大学は豊田中央研究所と共同で、絶縁膜と炭化ケイ素（SiC）の界面に局在する「発光中心のエネルギー準位」を解明することに成功した。界面発光中心を単一光子源として利用した量子技術を実現できるとみている。

ジャパンディスプレイ（JDI）とKDDI、KDDI総合研究所は、開発した可搬型のミリ波（28GHz帯）用液晶メタサーフェス反射板を実環境に設置して、電波の反射方向や範囲を変更させて、ピンポイントに電波を届ける実証実験に成功した。

中央大学は、カーボンナノチューブ（CNT）とビスマス化合物の特性を兼ね備えた、非破壊検査向け「PTE（光熱起電力効果）センサー」を開発した。ペースト化したビスマス化合物とCNT分散液を混合することで、スクリーン印刷による薄膜形成を可能にした。

サンケン電気は、TSMCの22nm超低リーク（22ULL）プロセスとRRAM（抵抗性ランダムアクセスメモリ）技術を活用し、RISC-V CPUコア内蔵の「パワー制御システム向けMCU」を共同開発した。2025年第4四半期（10〜12月）より量産を始める。

日立製作所は、日立ハイテクの協力を得て、半導体製造工程で発生する10nm以下の微小な欠陥を、高い感度で検出できる画像処理技術を開発した。機械学習を活用することで、「欠陥」とそうではない「製造ばらつき」の判別が可能となり、過検出を90％以上も抑えた。

京セラは、基地局から送信される電波の進行方向を変えられる「透明メタサーフェス屈折フィルム」を開発した。この屈折フィルムを窓ガラスやアクリルスタンドに貼り付ければ、景観を損なわずにミリ波5Gなどのサービスエリアを拡大できるという。

東京科学大とクイーンズランド大学の研究グループは、全固体電池や燃料電池内のイオン伝導度を、高速かつ高精度に予測できる計算手法を開発した。「非平衡MD（分子動力学）法」と呼ばれるこの方法は、従来の平衡MD法に比べ100倍も高速に計算できるという。

化合物半導体の世界市場は、2024年見込みの4兆4584億円に対し、2031年には7兆9920億円規模に達する。今後はLEDチップやパワー半導体が市場拡大に寄与する。富士キメラ総研が市場調査し、2031年までの予測を発表した。

名城大学は、ゲルマニウム（Ge）と固体電解質「LiAlGePO」を組み合わせた「複合負極」を開発した。この複合負極を用いたリチウムイオン電池は、1000mAh/g以上と従来の約3倍となる高容量を、300サイクル以上も劣化なく駆動させることに成功した。

東北大学は、リチウムイオン電池正極から遷移金属イオンが電解液中に溶出する様子をリアルタイムで可視化する手法を開発した。この手法を用いて、電池を充放電する時にマンガン（Mn）が溶出する電圧や場所などを定量的に測定した。

金沢大学の研究グループは産業技術総合研究所などと共同で、完全に平たんなダイヤモンド表面をMOS界面に用いた「反転層チャネル型ダイヤモンドMOSFET」の作製に成功した。動作時の低抵抗化を実現したことで、ダイヤモンドMOSFETの性能を高めることが可能となる。

東京大学の研究グループは、開発コストを従来の40分の1に削減しながら、高い電力効率を実現した「ストラクチャードASIC型AIプロセッサ」を開発したと発表した。

ロームは2025年2月、Murata Power Solutionsが開発するAIサーバ向け5.5kW出力のM電源ユニットに、ロームの「GaN HEMT」が採用されたと発表した。このGaN HEMTは650V耐圧で高放熱のTOLLパッケージを用いている。

金沢大学は、麗光やクイーンズ大学（カナダ）と共同で、光電変換効率（PCE）が8％を超える「全有機太陽電池」を開発した。このPCEは、これまでの全有機太陽電池に比べ2倍以上となる。

三菱電機は、そよ風や人のわずかな動きなどでも効率よく発電する「電磁誘導発電モジュール」を開発した。IoTセンサー向け電源として実証実験を進め、2027年度までに実用化を目指す。

東北大学らの研究グループは、記憶と演算の機能を併せ持つ「スピントロニクス素子」を開発したと発表した。省エネAIチップなどへの応用が期待される。

レゾナックは、次世代半導体パッケージ基板向けに熱膨張係数が小さい「銅張積層板」を開発した。温度サイクル試験により従来製品に比べ4倍の寿命を確認、100mm角を超えるサイズの半導体パッケージにも対応できるという。2026年から量産を始める。

ヌヴォトン テクノロジージャパンは、産業用48V向け17セル対応のバッテリー監視ICとして新たに2製品を開発、量産を始める。蓄電システムの安全性向上とシステムコストの削減が可能となる。

東京科学大学と産業技術総合研究所、信越化学工業らによる研究グループは、ヘテロエピCVD成長により、大面積のダイヤモンド結晶基板を作製、この基板を用いて高精度の量子センサーを開発した。EVに搭載される電池モニターや生体計測などへの応用が期待される。

京都大学と産業技術総合研究所、物質・材料研究機構の研究グループは、細いカーボンナノチューブ（CNT）同士を融合し、直径が2倍となるCNTに効率よく変換できる方法を開発した。太いCNTの構造制御や後処理による物性変換が可能となる。

東京エレクトロン（TEL）は2025年2月、製造子会社の東京エレクトロン宮城（宮城県黒川郡大和町）に、プラズマエッチング装置などの半導体製造装置を増産するための生産新棟を建設すると発表した。2027年夏の完成を予定している。建設費用は約1040億円。

大阪大学は、高品質の二酸化バナジウムを電極としてシリコン基板に組み込み、温度制御によって電極構造を変えることができるダイオードを開発した。このデバイスはテラヘルツ光の検出器として、最大10倍以上も性能を向上させたという。

東北大学や京都工芸繊維大学らの研究グループは、磁性メタ原子をカイラルメタ原子に挿入して作成した人工構造物質（メタマテリアル）「磁気カイラルメタ分子」が、室温で極めて強く結合したマグノンポラリトンになることを確認した。

豊橋技術科学大学は、2種類の化学物質を面で捉え、高い空間分解能で可視化計測ができる「半導体イメージセンサー」を開発したと発表した。脳機能の解明などが可能になるとみている。

電気通信大学と三菱電機は、磁気結合回路を等価な電気回路に変換する手法を共同開発した。磁気結合回路をグラフネットワークとして表現できれば、グラフニューラルネットワーク（GNN）を活用し、回路の寿命予測や自動設計などの精度向上が可能となる。

京都大学の研究グループは、トヨタ自動車や東京大学、兵庫県立大学、東北大学および、東京科学大学と共同で、全固体フッ化物イオン二次電池用の超高容量正極材料を開発した。既存のリチウムイオン二次電池正極材料に比べ、2倍を超える高い可逆容量を示すことが分かった。

東京大学の研究グループは0.1T〜1THzのテラヘルツ波を吸収する極薄の「テラヘルツ波吸収フィルム」を、新日本電工と共同で開発した。6G（第6世代移動通信）や非接触バイタルモニタリングシステム、セキュリティセンシングシステムなどの用途に向ける。

大阪公立大学は、ガラス基板上に凸型構造物を形成し、粉末状のジアリールエテンを結晶化させたところ、この微結晶が凸型構造物に沿って同じ向きに配列することを確認した。曲線を含む凸型構造では、微結晶が光に応答して色や形状を変化させることも分かった。

産総研グループ（産業技術総合研究所およびAIST Solutions）と日本ガイシは、パワー半導体モジュールなどに用いられる窒化ケイ素製セラミック基板の熱拡散率を、高い精度で評価するための共同研究を始めると発表した。

三菱電機は、欧州現地法人を通じて欧州「FLAGCHIP」プロジェクトに参画した。同プロジェクトでは、新たに開発する試験機を用い、パワー半導体モジュールに実装された半導体チップの温度を正確に推定する技術を実証していく。

東京科学大学と東京応化工業は、UVナノインプリントリソグラフィー（UV-NIL）を用いたシリコンフォトニクス半導体プロセスを開発した。開発した光硬化性樹脂と同プロセスを用いて試作したシリコン導波路は、電子線描画を用いて作製した光導波路と同等レベルの性能が得られることを確認した。

矢野経済研究所は、半導体実装工程材料・副資材の世界市場（メーカーの出荷数量ベース）を調査し、製品セグメント別の出荷見通しなどを発表した。同市場は半導体需要におおむね連動しており、2025年以降は多くの品目において3〜8％程度のプラス成長と予測した。

東北大学と大阪大学、英国マンチェスター大学の研究グループは、らせん磁性体の整流効果について、その発現機構を解明した。これにより、らせん磁気情報の読み出し効率を最大化することが可能となり、らせん磁性体を用いた「キラリティ磁気メモリ」の開発に弾みをつける。

東北大学は、産業技術総合研究所や関東化学と共同で、研磨工程を用いずに常温接合で金（Au）めっき膜を平滑化する技術を開発した。次世代電子デバイス実装に求められる平らで滑らかな原子レベルの接合面を実現した。

佐賀大学と伊藤忠テクノソリューションズ（CTC）は、ダイヤモンド半導体の研究を促進するとともに、社会実装の早期実現に向けて連携する。

宇宙航空研究開発機構（JAXA）とNECは、先進のレーダー衛星「だいち4号」（ALOS-4）と約4万km離れた「光データ通信衛星」間で、通信速度1.8Gビット/秒という高速光通信を行い、だいち4号で観測したデータを地上局へ伝送することに成功した。

北海道大学や東北大学らの研究グループは、アルファ型二酸化マンガンの極小ナノ粒子を短時間で合成する手法「アルコール溶液法」を開発した。合成した極小ナノ粒子は、多価イオン電池の正極や酸化反応触媒として高い特性を示すことが分かった。

東北大学は、白金を混合した金属磁性体ナノ薄膜が、従来よりも約5倍大きい光磁気トルクを発生したと発表した。光の強度を約5分の1に弱めても同じ効果が得られることから、光磁気デバイスの省エネ化が可能となる。

筑波大学システム情報系の秋元祐太朗助教らによる研究グループは、磁気センサーを用い、リチウムイオン電池が純正品かどうかを非接触で識別する方法を開発した。

産業技術総合研究所（産総研）と物質・材料研究機構は、弾性波フィルターに用いられる窒化物圧電材料の性能を大きく向上させることに成功した。圧電定数を35.5pC/Nまで高めたことで、より高い周波数帯域に対応した弾性波フィルターを開発できるとみている。

キヤノンは、35mmフルサイズで4.1億画素を実現したCMOSイメージセンサーを開発した。解像度は24K相当で8Kの12倍、フルHDに比べ198倍となる。

東北大学と日本原子力研究開発機構、理化学研究所の共同研究グループは、表面弾性波（SAW）が、磁性材料を用いて作製した回折格子を通過する際に、「非相反回折」と呼ばれる現象が生じることを確認した。

ラムリサーチ（Lam Research）は、パターニング技術である「ドライフォトレジスト（ドライレジスト）」が、2nmあるいはそれ以下のロジック回路における配線工程（BEOL）の「28nmピッチダイレクトプリント」に適格であることを、imecが認定したと発表した。

東京大学とJSRの研究グループは、半導体露光装置を用い可視光の平面レンズを低コストで大量生産できる手法を開発した。

Altera（アルテラ）は、FPGAソリューション開発を加速するための新しい「アルテラ・ソリューション・アクセラレーション・パートナー・プログラム（ASAPプログラム）」を始めると発表した。FPGAユーザーは複雑になる設計上の課題を早期に解決し、FPGAソリューションの開発期間を最大9カ月も短縮できるとみている。