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STL9NK30Z产品参数
型号:STL9NK30Z
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:CSP
包装说明:5 X 5 MM, POWERFLAT, CSP-8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.81
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):155 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):9 A
最大漏极电流 (ID):9 A
最大漏源导通电阻:0.4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:S-XQCC-N8
湿度敏感等级:3
元件数量:1
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):36 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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