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| 型号: | ST62T09CB1 |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP20,.3 |
| 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.31.00.01 |
| 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N |
| 具有ADC： | YES |
| 其他特性： | ALSO OPERATES AT 3V MINIMUM SUPPLY |
| 地址总线宽度： | |
| 位大小： | 8 |
| CPU系列： | ST6200 |
| 最大时钟频率： | 8 MHz |
| DAC 通道： | NO |
| DMA 通道： | NO |
| 外部数据总线宽度： | |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T20 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 26.16 mm |
| I/O 线路数量： | 12 |
| 端子数量： | 20 |
| 片上程序ROM宽度： | 8 |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| PWM 通道： | NO |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP20,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 电源： | 3.3/5 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| RAM（字节）： | 64 |
| ROM（单词）： | 1024 |
| ROM可编程性： | OTPROM |
| 座面最大高度： | 5.33 mm |
| 速度： | 8 MHz |
| 子类别： | Microcontrollers |
| 最大压摆率： | 4.8 mA |
| 最大供电电压： | 6 V |
| 最小供电电压： | 4.5 V |
| 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | HCMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | MICROCONTROLLER |
| Base Number Matches： | 1 |
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