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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 深圳市隆鑫创展电子有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳德田科技有限公司

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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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产品型号SSM3K16TE的概述

芯片 SSM3K16TE 的概述 SSM3K16TE 是一款广泛应用于电子电路中的功率晶体管,主要用于开关电源、马达驱动、电源管理等领域。由于其优良的性能和高效能,SSM3K16TE 成为许多工业和消费类产品的关键组件。这款芯片的设计旨在提供高效的电流控制和极低的电压降,从而在不同的应用场景下实现卓越的性能。 芯片 SSM3K16TE 的详细参数 SSM3K16TE 的主要技术参数包括: 1. 最大集电极-发射极电压 (Vce):约 30V 2. 持续集电极电流 (Ic):可达 3.5A 3. 脉冲集电极电流 (Icm):最高可达 8A 4. 功耗 (Pd):最大 1.25W 5. 工作温度范围 (Tj):-55°C 至 150°C 6. 开关频率 (fs):可支持高频开关操作 7. 封装形式:SOT-23 流行封装 这些参数表明 SSM3K16TE 在高电流和高电压工作的环境下依然能...
配单直通车
SSM3K16TE产品参数
型号:SSM3K16TE
生命周期:Lifetime Buy
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.22
Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.1 A
最大漏极电流 (ID):0.1 A
最大漏源导通电阻:4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.1 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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