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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市金嘉锐电子有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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SIM400-T1-GE3产品参数
型号:SIM400-T1-GE3
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.75
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.35 A
最大漏极电流 (ID):0.00035 A
最大漏源导通电阻:3.9 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.9 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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