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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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产品型号SI7368DP-T1-E3的概述

SI7368DP-T1-E3 芯片概述及参数详情 概述 SI7368DP-T1-E3 是一款程序设计的高性能功率 MOSFET,旨在满足各种工业应用和消费电子的需求。该芯片采用先进的工艺技术,支持高效的电源管理,具备良好的热稳定性及长寿命,适合在各种环境下使用。凭借其出色的性能特点,SI7368DP-T1-E3 被广泛应用于电动汽车、工业控制、照明控制及电源管理等领域。 详细参数 SI7368DP-T1-E3 的详细参数如下: - VDS 最大耐压:30V - ID 最大持续电流:68A - 功率耗散:45W - 电源电压范围:4.5V 至 10V - 栅极阈值电压:2V 至 4V(典型值) - 输入电容(Ciss):2200pF - 输出电容(Coss):335pF - 反向体二极管:集成,具低反向恢复电流 - 工作温度范围:-55°C至+150°C - 封装类型:SOIC-8 -...
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SI7368DP-T1-E3产品参数
型号:SI7368DP-T1-E3
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.84
配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):13 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):5 W
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
Base Number Matches:1
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