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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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SI5933CDC-T1-E3产品参数
型号:SI5933CDC-T1-E3
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-XDSO-C8
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.75
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3.7 A
最大漏极电流 (ID):2.5 A
最大漏源导通电阻:0.144 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XDSO-C8
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):10 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:PURE MATTE TIN
端子形式:C BEND
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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