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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市顺兴源微电子商行

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市奥伟斯科技有限公司

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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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SI4952DY-T1-E3产品参数
型号:SI4952DY-T1-E3
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.18
雪崩能效等级(Eas):1.25 mJ
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:25 V
最大漏极电流 (ID):8 A
最大漏源导通电阻:0.023 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):30 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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