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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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产品型号SD20N60的概述

SD20N60 芯片概述 SD20N60是一款广泛使用的功率MOSFET,专为高电压和高电流应用而设计,具有出色的开关性能和可靠性。这款芯片的额定电压为600伏,额定电流为20安培,适合应用于逆变器、DC-DC转换器以及各种开关电源中。凭借其低导通电阻和高开关频率,SD20N60能够有效降低功率损耗,提高系统整体效率。 SD20N60 芯片的详细参数 SD20N60的主要技术参数如下: - 最大漏极端-源极电压 (V_DS): 600V - 最大漏极电流 (I_D): 20A - 最大脉冲漏极电流 (I_DM): 45A - 最大栅极-源极电压 (V_GS): ±20V - 导通电阻 (R_DS(on)): 大约0.2Ω(在25°C时) - 开关速度: 适合高频开关应用 - 封装: TO-220或TO-247 - 工作温度范围: -55°C 到 +150°C 这些参数使得SD20N60...
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SD210产品参数
型号:SD210
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SIGNETICS CORP
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.47
外壳连接:SUBSTRATE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):0.05 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):0.5 pF
JESD-30 代码:O-MBCY-W4
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
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