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  • MURD312T4G图
  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • MURD312T4图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家ON-安森美 
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  • MURD312T4图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • MURD312T4图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • MURD312T4
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  • 厂家MOTOROLA/摩托罗拉 
  • 封装16+ 
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  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • MURD312T4G图
  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 厂家ON 
  • 封装N/A 
  • 批号2024 
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  • MURD312T4图
  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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配单直通车
MURD315产品参数
型号:MURD315
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84
应用:ULTRA FAST RECOVERY POWER
外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.95 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:75 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:3 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:150 V
最大反向电流:5 µA
最大反向恢复时间:0.035 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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