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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • MURB2020CTR-M3
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  • MURB2020CTR-M3图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • MURB2020CTR-M3
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MURB2020CTTR产品参数
型号:MURB2020CTTR
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
零件包装代码:TO-263
包装说明:R-PSSO-G2
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.4
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT, FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
应用:ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:2
相数:1
端子数量:2
最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):225
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向恢复时间:0.035 µs
表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
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