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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绝对原装正品全新深圳进口现货,优质渠道供应商!
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  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

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  • 一站式BOM配单,短缺料找现货,怕受骗,就找昂富电子.
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 封装贴/插片 
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  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • ▉▉¥1.8元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 一级代理,原装特价现货!
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 厂家ON 
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  • 深圳市英德州科技有限公司

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  • 厂家ON(安森美) 
  • 封装SOT-363 
  • 批号1年内 
  • 全新原装 货源稳定 长期供应 提供配单
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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装SC-88/SC70-6/SOT-363 
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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 数量30000 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT363 
  • 批号23+ 
  • 代理全新原装现货,价格优势
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  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • 厂家ON 
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  • 原装现货假一赔万,原包原标,支持实单
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  • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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  • 数量30000 
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  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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  • 北京天阳诚业科贸有限公司

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  • 厂家ON SEMICONDUCTOR 
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  • 深圳威尔运电子有限公司

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  • 批号16+ 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量660000 
  • 厂家onsemi(安森美) 
  • 封装SOT-363 
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  • 支持实单/只做原装
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  • 深圳市嘉胜威科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 数量9000 
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产品型号MUN5335DW1T1G的概述

MUN5335DW1T1G 芯片概述 MUN5335DW1T1G是一款广泛应用于电子设计中的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片。这种器件因其高效率、低导通电阻和快速开关能力而被广泛使用。MUN5335DW1T1G是特别设计用于低电压高电流应用的,它可以降低系统的功耗,提高系统的性能。 其结构采用了N沟道MOSFET的设计,使得MUN5335DW1T1G拥有优良的电气特性,例如高击穿电压和低阈值电压,重要的是其门控特性允许更小的控制电压便可实现大电流的传输。这种特性使得MUN5335DW1T1G非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、马达驱动器和电池管理系统等高效率电源管理应用。 详细参数 MUN5335DW1T1G的主要电气参数如下: - 最大漏源电压(Vds):30V - 最大漏极电流(Id):15A - 功率耗散(Pd):1W,具体视散热条件而定 - 导通电阻(R...
配单直通车
MUN5335DW1T1G产品参数
型号:MUN5335DW1T1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6
制造商包装代码:419B-02
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.95
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 21.36
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):80
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs):0.385 W
认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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