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产品型号MTW32N25E的概述

MTW32N25E芯片概述 MTW32N25E是一款广泛应用于电力电子和功率管理领域的MOSFET(绝缘栅场效应晶体管),其设计旨在满足现代电力转换装置对开关速度与导通损耗的严格要求。作为一款功能强大的功率晶体管,它在多种行业中被广泛采用,例如电源适配器、电机驱动、LED驱动和其他高频开关电源应用。 详细参数 MTW32N25E是N沟道MOSFET,具有以下主要参数: 1. 最大漏极-源极电压 (V_DS): 25V 2. 连续漏极电流 (I_D): 32A,具体数值可能因散热条件和工作温度而异。 3. 脉冲漏极电流 (I_DM): 100A 4. 栅极-源极电压 (V_GS): ±20V 5. 热阻 (R_θJC): 1.5°C/W (结至壳体) 6. 导通电阻 (R_DS(on)): 10mΩ 在 10V V_GS 下 7. 总门电容 (C_g): 1000pF,助力实现较快的开关...
配单直通车
MTW32N25E产品参数
型号:MTW32N25E
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:MOTOROLA INC
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.78
Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):32 A
最大漏极电流 (ID):32 A
最大漏源导通电阻:0.1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-247AE
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):250 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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