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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • MSM832V1-45
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  • MSM832V1-45图
  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • MSM832V1-45
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配单直通车
MSM832V10产品参数
型号:MSM832V10
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:HYBRID MEMORY PRODUCTS LTD
包装说明:DIP, DIP28,.1
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88
最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDIP-T28
内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
端子数量:28
字数:32768 words
字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:32KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.1
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.003 A
最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
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