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  • MRF19030R3图
  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • MRF19030R3
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  • 封装高频管/射频管 
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  • 专营高频管,全新原装现货特价热卖"
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  • MRF19030R3图
  • 深圳市一线半导体有限公司

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MRF19030R3产品参数
型号:MRF19030R3
生命周期:Transferred
IHS 制造商:MOTOROLA INC
包装说明:NI-400, CASE 465E-04, 2 PIN
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.65
外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:65 V
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):83.3 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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