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  • ML86V8401图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 厂家LAPIS 
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  • 千层芯半导体(深圳)有限公司

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  • 数量5000 
  • 厂家QORVO 
  • 封装SMD 
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  • QORVO“芯达集团”专营品牌原装正品假一罚十
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  • ML86V8401图
  • 深圳市华兴微电子有限公司

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  • 厂家OKI 
  • 封装N/A 
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  • 只做进口原装QQ询价,专营射频微波十五年。
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配单直通车
ML8701产品参数
型号:ML8701
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92
其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电压:1.6 V
JESD-609代码:e0
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT
功能数量:1
最高工作温度:75 °C
最低工作温度:-20 °C
光电设备类型:LASER DIODE
标称输出功率:5 mW
峰值波长:1200 nm
最长响应时间:6e-10 s
半导体材料:InGaAs
形状:ROUND
尺寸:3 mm
子类别:Laser Diodes
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
最大阈值电流:30 mA
Base Number Matches:1
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