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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市华来深电子有限公司

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产品型号MJE5851G的概述

芯片MJE5851G的概述 MJE5851G是一款常用的高功率驱动晶体管,属于NPN型功率晶体管,广泛应用于开关电源、音频放大器和其他功率放大器电路中。由于其良好的电压承受能力和导通性能,这款器件备受电子工程师的青睐。MJE5851G的设计初衷是为了满足高电流和高电压的应用需求,因此在具有高效能的同时,也保持了较低的热阻特性。 芯片MJE5851G的详细参数 MJE5851G的主要电气参数如下: - 极性:NPN - 最大集电极-发射极电压 (Vce):最大可承受电压为 100V - 最大集电极电流 (Ic):最大为 8A - 最大功耗 (Pd):至多 30W - 直流增益 (hFE):一般为 20-70(在Vce=10V时) - 开关频率:适合中频(最高可达 15 kHz) - 工作温度:-55°C 至 +150°C 这些参数表明了MJE5851G可以在较高的电压和电流条件下工作,同...
配单直通车
MJE5851G产品参数
型号:MJE5851G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:TO-220AB
包装说明:ROHS COMPLIANT, CASE 221A-09, 3 PIN
针数:3
制造商包装代码:221A-09
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.83
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):8 A
集电极-发射极最大电压:350 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):5
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):80 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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