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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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产品型号MJD42C1G的概述

芯片MJD42C1G的概述与详细分析 一、概述 MJD42C1G是一款广泛应用于模拟电路和功率应用中的双极型晶体管(BJT)。作为NPN型晶体管,MJD42C1G具有良好的电流放大特性,适用于电流切换、放大及驱动应用。其高性能的特性使其在各类电子产品中都有实际应用,包括功率放大器、开关电源、驱动继电器及大功率负载等场景。 二、详细参数 MJD42C1G的详细参数包括但不限于以下几个方面: 1. 极限参数: - 最大集电极-发射极电压(V_CE):60V - 最大集电极电流(I_C):10A - 最大功耗(P_D):75W - 最大结温(T_j):150°C 2. 电气参数: - 直流电流增益(h_FE):在I_C = 4A的情况下,h_FE典型值为30-150 - 直流放大倍数(h_FE)的温度系数:6.0 %/°C - 截止频率(f...
配单直通车
MJD42C1G产品参数
型号:MJD42C1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369D-01, DPAK-3
针数:4
制造商包装代码:369
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.69
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):6 A
集电极-发射极最大电压:100 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):15
JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):20 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHz
Base Number Matches:1
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