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  • 深圳市恒益昌科技有限公司

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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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产品型号MJD350G的概述

芯片MJD350G的概述 MJD350G是一款广泛应用于功率开关、电子电气设备、自动化系统及其他高功率应用的功率晶体管。它设置在NPN类型的双极型晶体管(BJT)架构之下,专为高电流和高电压应用而设计。其主要功能在于提供稳定的电流放大特性,以支持各种驾驶电路和控制系统的需求。在现代电子设备中,MJD350G的优秀性能使其成为了设计师们相对青睐的组件。 芯片MJD350G的详细参数 MJD350G的关键参数反映了它在电流、电压和功率处理方面的性能。这些参数中包括: 1. 最大集电极电压(VCBO):它可以支持最高至 60V 的电压。 2. 最大集电极电流(IC):其额定电流可达 15A,适合强电流应用需要。 3. 功率耗散(PD):芯片的最大功耗可达到 40W,这在高功率应用中非常重要。 4. 工作频率:虽然主要设计用于低频,但在一定条件下其工作频率可达到 100KHz。 5. 增益(h...
配单直通车
MJD350G产品参数
型号:MJD350G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:End Of Life
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3
制造商包装代码:369C
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.13
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):15 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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