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| 型号: | MJD30-1 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.53 |
| Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 15 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
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