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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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产品型号MG15N6ES42的概述

芯片MG15N6ES42的概述 MG15N6ES42是一款高功率的IGBT(绝缘栅双极型晶体管),广泛应用于电力电子行业。该器件凭借其出色的性能和多样的应用领域,受到了广泛关注。IGBT的设计允许它结合了MOSFET的良好控制特性与BJT的高电流和电压处理能力,适用于高频和高效率的电力转换系统中。MG15N6ES42 在特定条件下的突出性能使其成为电机驱动、逆变器和其他电力转换应用中的重要选择。 芯片MG15N6ES42的详细参数 MG15N6ES42的主要参数如下: - 最大Collector-Emitter Voltage(VCEO): 1200V - 最大Collector Current(IC): 15A - 最大Gate-Emitter Voltage(VGE): ±20V - 门极电容(Cgc): 约3500pF - 开关速度: 在合理工作条件下,具有较快的开关速度,适合高...
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