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产品型号ME70N03S的概述

ME70N03S芯片概述 ME70N03S是一种高性能N沟道MOSFET,其设计目标是满足各类电源管理和开关转换应用的需求。该芯片因其较高的工作电压范围、低的导通阻抗和较快的开关速度而广受欢迎。作为一种功率半导体器件,ME70N03S通常用于电机驱动、电源模块、充电器、DC-DC转换器等多种应用场景。其结构设计使其能够在高负载条件下有效提高电能的转换效率,大幅度降低工作温度,使其在各种工业及消费电子产品中得以广泛应用。 ME70N03S的详细参数 ME70N03S的主要电气参数包括: 1. 最大漏极-源极电压 (Vds):30V 2. 最大栅极-源极电压 (Vgs):±20V 3. 连续漏极电流 (Id):70A 4. 脉冲漏极电流 (I(d, pulsed):120A 5. 导通电阻 (Rds(on)):约10mΩ 6. 输入电容 (Ciss):约1900pF 7. 输出电容 (Co...
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