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  • 深圳市福田区恒科电子商行

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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 集好芯城

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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MMSZ2V4ET3产品参数
型号:MMSZ2V4ET3
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:R-PDSO-G2
针数:2
制造商包装代码:CASE 425-04
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.22
Is Samacsys:N
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:100 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified
标称参考电压:2.4 V
子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES
技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
最大电压容差:5%
工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1
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