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  • 万三科技(深圳)有限公司

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产品型号M74HC299B1R的概述

M74HC299B1R芯片概述 M74HC299B1R是一种高性能MOS(金属氧化物半导体)逻辑器件,属于74系列的数字集成电路。这款芯片特别设计用于数据移位、存储和转换等多种数字功能。作为8位移位寄存器,M74HC299B1R具备并行输入和串行输出的功能,广泛应用于数据处理、控制系统及信息通信领域。 M74HC299B1R的工作电压范围一般为2V到6V,使其适合于许多低功耗应用。由于其采用了高于传统TTL(晶体管-晶体管逻辑)的逻辑快度,M74HC299B1R在快速数据处理方面表现优秀。此外,该芯片支持多种逻辑功能的实现,适合在嵌入式系统中大规模使用。 详细参数 以下为M74HC299B1R的详细电气参数及性能规格: - 电源电压 (Vcc): 2.0V至6.0V - 输入电流 (Iin): 最大10µA(输入逻辑高/低状态) - 输出驱动电流 (Iout): 最大输出电流为25mA...
配单直通车
M74HC299B1R产品参数
型号:M74HC299B1R
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP20,.3
针数:20
Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.45
Is Samacsys:N
其他特性:HOLD MODE; COMMON I/O PINS; TOTEMPOLE SERIAL SHIFT RIGHT & SHIFT LEFT OUTPUTS; GATED OUTPUT CONTROL
计数方向:BIDIRECTIONAL
系列:HC/UH
JESD-30 代码:R-PDIP-T20
JESD-609代码:e3
长度:25.15 mm
负载电容(CL):50 pF
逻辑集成电路类型:PARALLEL IN PARALLEL OUT
最大频率@ Nom-Sup:24000000 Hz
位数:8
功能数量:1
端子数量:20
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
输出特性:3-STATE
输出极性:TRUE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP20,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:2/6 V
传播延迟(tpd):300 ns
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.93 mm
子类别:Shift Registers
最大供电电压 (Vsup):6 V
最小供电电压 (Vsup):2 V
标称供电电压 (Vsup):4.5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:MILITARY
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发器类型:POSITIVE EDGE
宽度:7.62 mm
最小 fmax:24 MHz
Base Number Matches:1
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