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型号: | M5M5V1132GP-7 |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP |
包装说明: | QFP, QFP100(UNSPEC) |
针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.88 |
最长访问时间: | 7 ns |
I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 100 |
字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | |
组织: | 32KX32 |
输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QFP |
封装等效代码: | QFP100(UNSPEC) |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.002 A |
子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.2 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.13 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING |
端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
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