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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 上海金庆电子技术有限公司

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产品型号M29F010B90N6的概述

芯片M29F010B90N6的概述 M29F010B90N6是一款高性能、可编程的闪存芯片,属于法国子公司意法半导体(STMicroelectronics)的产品。这款芯片广泛应用于嵌入式系统中,尤其在需要非易失性存储的场合。其主要应用于消费电子、汽车、工业控制和通信设备等领域。该芯片的容量为1MB(8Mb),可以为各种应用提供快速存储和读取解决方案,适合大量数据存储和快速更新的需求。 芯片M29F010B90N6的详细参数 M29F010B90N6的技术参数涵盖了多个关键指标,包括存储容量、访问时间、工作电压等。以下是一些主要参数: - 存储容量:1MB (8Mb) - 存储类型:非易失性闪存 - 数据接口:并行接口 - 访问时间:90纳秒 - 工作电压:3.0V至3.6V - 编程时间:大约为20ms - 擦除时间:大约为1s - 工作温度范围:-40℃至85℃(工业级) - 封装...
配单直通车
M29F010B90N6产品参数
型号:M29F010B90N6
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:TSOP
包装说明:8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
针数:32
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.5
Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns
命令用户界面:YES
数据轮询:YES
耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
部门数/规模:8
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP32,.8,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V
编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
部门规模:16K
最大待机电流:0.0001 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES
类型:NOR TYPE
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
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