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产品型号BUH100G的概述

芯片BUH100G的概述 BUH100G是一款广泛应用于功率放大和开关电源的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由于其出色的导通性能和高效的切换特性,倍受电子工程师的青睐。随着电力电子技术的迅速发展,BUH100G以其卓越的电气特性和可靠性,成为各类电力转换何方向的重要组成部分。无论是在家用电器、工业设备还是电动车辆中,该芯片都能够有效提高系统的能效并降低功耗。 芯片BUH100G的详细参数 BUH100G的主要电气参数如下: - 类别:N-MOSFET - 最大漏极电压(V_DS):100V - 最大漏极电流(I_D):15A - 漏源导通电阻(R_DS(on)):0.175Ω - 最大脉冲漏极电流(I_D,pulse):50A - 最大结温(T_j):150°C - 文献上标注的开关速度:适用于高频应用 - 输入电容(C_iss):约为1500pF - 反向恢复时间...
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BUH100G产品参数
型号:BUH100G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:TO-220AB
包装说明:ROHS COMPLIANT, CASE 221A-09, 3 PIN
针数:3
制造商包装代码:221A-09
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:7.42
其他特性:LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):6
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):100 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):23 MHz
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