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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 深圳市励创源科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市骏创达科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市创芯联科技有限公司

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  • 上海金庆电子技术有限公司

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  • 深圳市顺鑫诚电子科技有限公司

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  • 深圳德田科技有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市恒意创鑫电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市澳亿芯电子

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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产品型号BUZ110S的概述

芯片BUZ110S的概述 BUZ110S是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动和其他功率控制电路中。该器件在现代电子设备中扮演着重要角色,因其低导通电阻、高工作频率及良好的热稳定性而受到工程师的青睐。BUZ110S特别适合于需要高性能和高效率的应用场景,是许多电子设计中不可或缺的组件。 BUZ110S主要由半导体材料制成,具有可控制的导通和关断电性能。其工作原理基于栅极电压调节,从而有效控制源极与漏极之间的导通状态。这种特性使得BUZ110S在电源管理、开关电源及直流至直流转换器等领域中具备显著优势,能够实现快速切换和低损耗。 BUZ110S的详细参数 BUZ110S的主要参数规格如下: - 最大漏极-源极电压 (V_DS): 55V - 最大漏极电流 (I_D): 49A - 导通电阻 (R_DS(on)): 0.06Ω(在V_GS = 10V时) - 栅极-源...
配单直通车
BUZ110S产品参数
型号:BUZ110S
生命周期:Transferred
零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.31
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:55 V
最大漏极电流 (ID):80 A
最大漏源导通电阻:0.012 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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