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BG3430RE6327HTSA1产品参数
型号:BG3430RE6327HTSA1
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76
其他特性:LOW NOISE
配置:COMPLEX
最小漏源击穿电压:12 V
最大漏极电流 (ID):0.025 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
元件数量:2
端子数量:6
工作模式:DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
参考标准:AEC-Q101
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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