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  • 深圳市诚达吉电子有限公司

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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 深圳市华来深电子有限公司

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产品型号BC849BE6327的概述

芯片BC849BE6327概述 BC849BE6327是一种普遍使用的小信号双极型晶体管(BJT),通常用于放大和开关电路。这种晶体管广泛应用于各种电子设备中,尤其是在低功耗和小型化的元件设计中。BC849BE6327作为一种NPN型晶体管,凭借其良好的性能和稳定性,在市场上获得了良好的口碑。 芯片BC849BE6327详细参数 BC849BE6327的电气参数如下: - 类型: NPN - 最大集电极电压(V_CE): 50V - 最大集电极电流(I_C): 100mA - 最大功率耗散(P_D): 500mW - 增益带宽积(f_T): 250MHz - 直流电流增益(h_FE): 100-800(在一定工作条件下) - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C 从上述参数来看,BC849BE6327可以在多种工作条件下运行,表现出高度的可靠性和灵活性。此外,其高增益与高工作频...
配单直通车
BC849BF产品参数
型号:BC849BF
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.57
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PDSO-F3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHz
Base Number Matches:1
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