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产品型号BAR63-06E6327的概述

芯片BAR63-06E6327的概述 BAR63-06E6327是一款广泛应用于现代电子设备中的高性能器件,通常用于控制、监测和信号处理等多种功能。该芯片采用了高集成度设计,能够满足复杂电路的需求,特别是在通信、消费电子和工业控制领域中,BAR63-06E6327展示了其卓越的性能和可靠性。 芯片BAR63-06E6327的详细参数 BAR63-06E6327的技术参数包括但不限于以下几个方面: 1. 工作电压:该芯片的工作电压范围通常在3.0V到5.5V之间,可以适应各种电源设计,增强了其应用的灵活性。 2. 工作温度:BAR63-06E6327具备广泛的工作温度范围,一般为-40°C至85°C,确保在严苛环境下仍能正常工作。 3. 功耗:该芯片的静态功耗较低,通常在微安级别,有助于延长电池供电设备的使用时间。 4. 数据传输速率:BAR63-06E6327能够支持高速的数据传输,达...
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BAR63-06E6327产品参数
型号:BAR63-06E6327
生命周期:Transferred
IHS 制造商:SIEMENS A G
包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.08
应用:SWITCHING
最小击穿电压:50 V
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
最大二极管电容:0.3 pF
二极管元件材料:SILICON
最大二极管正向电阻:2 Ω
二极管电阻测试电流:5 mA
二极管电阻测试频率:100 MHz
二极管类型:PIN DIODE
频带:S BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
少数载流子标称寿命:0.075 µs
元件数量:2
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified
反向测试电压:20 V
表面贴装:YES
技术:POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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