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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 厂家Infineon/英飞凌 
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  • 公司只售原装 支持实单
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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 厂家INFINEON/英飞凌 
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  • 全新原装挺实单欢迎来撩/可开票
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  • 深圳市特拉特科技有限公司

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  • 深圳市澳亿芯电子

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  • 深圳市创芯联科技有限公司

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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 批号1818+ 
  • 一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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  • 厂家VISHAY-威世 
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  • 批号▉▉:2年内 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量9328 
  • 厂家INFINEON-英飞凌 
  • 封装车规-晶体管 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥8.7元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 厂家INFINEON-英飞凌 
  • 封装TO-263-3 
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  • 厂家Infineon Technologies 
  • 封装D2PAK 
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  • 厂家INFINEON 
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产品型号AUIRF1010EZ的概述

芯片AUIRF1010EZ的概述 AUIRF1010EZ是一款高效、低导通电阻的N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、高频开关电路等领域。该芯片在高温、高电压条件下的可靠性极高,适应现代电子设备对效率和可靠性的高要求。其出色的性能参数使得用户在应用设计中能够实现更高的效率和更小的尺寸。 芯片AUIRF1010EZ的详细参数 AUIRF1010EZ具有一系列重要的电气参数。根据官方数据手册,以下是其关键参数: - 最大漏源电压(V_DS):100V - 最大连续漏电流(I_D):80A - 最大脉冲漏电流(I_D,pulse):最大可达到320A - 导通电阻(R_DS(on)):低至10 mΩ(当V_GS=10V时) - 最大栅源电压(V_GS):±20V - 工作温度范围(T_J):-55℃至+150℃ - 封装类型:TO-220,适合散热 - 总门...
配单直通车
AUIRF1010EZ产品参数
型号:AUIRF1010EZ
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.24
Is Samacsys:N
其他特性:ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas):180 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):75 A
最大漏极电流 (ID):75 A
最大漏源导通电阻:0.0085 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):250
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):340 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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