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| 型号: | ATSAMR30E18A-MU |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | QFN-32 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.31.00.01 |
| Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 5.75 |
| 具有ADC： | YES |
| 地址总线宽度： | |
| 位大小： | 32 |
| 边界扫描： | YES |
| CPU系列： | CORTEX-M0 |
| 最大时钟频率： | 48 MHz |
| DAC 通道： | NO |
| DMA 通道： | YES |
| 外部数据总线宽度： | |
| 格式： | FIXED POINT |
| 集成缓存： | YES |
| JESD-30 代码： | S-XQCC-N32 |
| 长度： | 5 mm |
| 低功率模式： | YES |
| DMA 通道数量： | 12 |
| 外部中断装置数量： | 14 |
| I/O 线路数量： | 16 |
| 端子数量： | 32 |
| 计时器数量： | 3 |
| 片上数据RAM宽度： | 32 |
| 片上程序ROM宽度： | 32 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| PWM 通道： | NO |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | HVQCCN |
| 封装等效代码： | LCC36,.2SQ,20 |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| RAM（字节）： | 32768 |
| RAM（字数）： | 8192 |
| ROM（单词）： | 65536 |
| ROM可编程性： | FLASH |
| 座面最大高度： | 1 mm |
| 速度： | 48 MHz |
| 最大压摆率： | 46 mA |
| 最大供电电压： | 3.63 V |
| 最小供电电压： | 1.8 V |
| 标称供电电压： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | QUAD |
| 最短时间： | SECONDS |
| 宽度： | 5 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | MICROCONTROLLER, RISC |
| Base Number Matches： | 1 |
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