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型号: | AT6020 |
生命周期: | Active |
IHS 制造商: | ASI SEMICONDUCTOR INC |
包装说明: | O-LALF-W2 |
针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.82 |
最小击穿电压: | 70 V |
外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE |
二极管电容容差: | 10% |
最小二极管电容比: | 7.4 |
标称二极管电容: | 39 pF |
二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
频带: | VERY HIGH FREQUENCY |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM |
认证状态: | Not Qualified |
最小质量因数: | 800 |
最大重复峰值反向电压: | 60 V |
子类别: | Varactors |
表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL |
变容二极管分类: | ABRUPT |
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